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El proceso o método de Czochralski (AFI: [t͡ʂɔ'xralskʲi]) consiste en un procedimiento para la obtención de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el científico polaco Jan Czochralski a partir de 1916.^[1]

Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.

Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectrónica, basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas miden 8 mm de lado, esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante.

El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, este se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo.

Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación, es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.

Para entender mejor este proceso véase el siguiente video

Las situaciones de inestabilidad indeseables en la masa fundida se pueden evitar mediante la monitorización y la visualización de los campos de temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de los cristales. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos.

Este proceso se realiza normalmente en una atmósfera inerte, como argón, y en una cámara inerte, como cuarzo.

Ventajas

El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificación en una configuración confinada) acomoda la expansión volumétrica sin mayor problema, esto elimina complicaciones que podrían surgir cuando el fundente moja el contenedor.

Por este método se pueden obtener monocristales grandes a altas velocidades. Actualmente el diámetro de los cristales puede variarse cambiando los parámetros térmicos. También puede alcanzarse alta perfección cristalina.

Limitaciones

A pesar de que el crecimiento Czochralski puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, este no se presta para el crecimiento de materiales cuya presión de vapor en el punto de fundición de alguno de sus constituyentes sea alta.

Las dificultades primarias están asociadas con problemas del manejo de la rotación y de la sujeción del cristal; y con los requerimientos de la configuración térmica para mantener el equilibrio termodinámico entre el vapor y el fundente.

La necesidad de utilizar un crisol en el proceso de crecimiento Czochralski implica el riesgo de contaminar el fundente. Además, este método no se presta para el crecimiento continuo.

Galería de fotos

Crisoles usados en el proceso Czochralski
Crisoles después de ser usados
Lingote de silicio monocristalino

Véase también

Referencias

↑ Barredo Egusquiza, Josu (24 de septiembre de 2013). «Estudio de las propiedades mecánicas de obleas de silicio». Archivo Digital UPM 2 (E.T.S.I. Industriales (UPM)): 15-18. doi:10.20868/UPM.thesis.29175. Consultado el 30 de octubre de 2022.

Datos: Q594666
Multimedia: Czochralski method / Q594666

[1] Barredo Egusquiza, Josu (24 de septiembre de 2013). «Estudio de las propiedades mecánicas de obleas de silicio». Archivo Digital UPM 2 (E.T.S.I. Industriales (UPM)): 15-18. doi:10.20868/UPM.thesis.29175. Consultado el 30 de octubre de 2022.

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+[[Archivo:Czochralski esp.png|thumb|400px|Breve explicación del proceso Czochralski]]
-El '''proceso''' o '''método de Czochralski''' consiste en un procedimiento para la obtención de [[lingote]]s [[monocristal]]inos. Fue desarrollado por el científico polaco [[Jan Czochralski]].
+El '''proceso''' o '''método de Czochralski''' ({{IPA2|t͡ʂɔ'xralskʲi}}) consiste en un procedimiento para la obtención de [[lingote]]s [[monocristal]]inos. Fue desarrollado por el científico polaco [[Jan Czochralski]] a partir de 1916.<ref>{{Cita publicación|url=https://oa.upm.es/29175/|título=Estudio de las propiedades mecánicas de obleas de silicio|apellidos=Barredo Egusquiza|nombre=Josu|fecha=24 de septiembre de 2013|publicación=Archivo Digital UPM 2|editorial=E.T.S.I. Industriales (UPM)|páginas=15-18|fechaacceso=2022-10-30|doi=10.20868/UPM.thesis.29175}}</ref>
-Este método es utilizado para la obtención de [[silicio]] monocristalino mediante un [[cristal]] semilla depositado por un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria [[electrónica]] para la obtención de ''wafers'' u ''[[oblea (electrónica)|obleas]]'', destinadas a la fabricación de [[transistor]]es y [[circuito integrado|circuitos integrados]].
+Este método es utilizado para la obtención de [[silicio]] monocristalino mediante un [[cristal]] semilla depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria [[electrónica]] para la obtención de ''wafers'' u ''[[oblea (electrónica)|obleas]]'', destinadas a la fabricación de [[transistor]]es y [[circuito integrado|circuitos integrados]].
-Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectronica.
+Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectrónica, basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas miden 8 mm de lado, esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante.
-Cada chip creado de estas obleas miden 8mm de lado, esto hace que en cada oblea tengamos de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante.
-El método consiste en tener un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo [[germanio]]. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del [[punto de fusión]] y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la [[fusión por zonas]] para purificarlo.
+El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo [[germanio]]. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del [[punto de fusión]] y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, este se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la [[fusión por zonas]] para purificarlo.
-Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación, es posible extraer un solo cristal en forma de lingotes cilíndricos. Con el control de esas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.
+Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación, es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.
-Para entender mejor este proceso véase el siguiente [http://www.youtube.com/watch?v=CR0eEa1KHdc video]
+Para entender mejor este proceso véase el siguiente [https://www.youtube.com/watch?v=BTDYjWEbjuM video]
-La ocurrencia de situaciones de inestabilidad no deseada en la masa fundida se puede evitar mediante la investigación y la visualización de los campos de temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de cristales. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos.
+Las situaciones de inestabilidad indeseables en la masa fundida se pueden evitar mediante la monitorización y la visualización de los campos de temperatura y la velocidad durante el proceso de [[crecimiento de los cristales]]. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos.
 Este proceso se realiza normalmente en una atmósfera inerte, como argón, y en una cámara inerte, como cuarzo.
-Ventajas.
+== Ventajas ==
+El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificación en una configuración confinada) acomoda la expansión volumétrica sin mayor problema, esto elimina complicaciones que podrían surgir cuando el fundente moja el contenedor.
-El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificación en una configuración confinada) acomoda la expansión volumétrica sin mayor problema, esto elimina complicaciones que podrían surgir cuando el fundente moje el contenedor.
 Por este método se pueden obtener monocristales grandes a altas velocidades. Actualmente el diámetro de los cristales puede variarse cambiando los parámetros térmicos. También puede alcanzarse alta perfección cristalina.
-Limitaciones
+== Limitaciones ==
+A pesar de que el crecimiento Czochralski puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, este no se presta para el crecimiento de materiales cuya presión de vapor en el punto de fundición de alguno de sus constituyentes sea alta.
+Las dificultades primarias están asociadas con problemas del manejo de la rotación y de la sujeción del cristal; y con los requerimientos de la configuración térmica para mantener el equilibrio termodinámico entre el vapor y el fundente.
-A pesar de que el crecimiento Czochralski puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, éste no se presta para el crecimiento de materiales cuya presión de vapor o cuando uno de sus constituyente sea alto en el punto de fundición.
+La necesidad de utilizar un crisol en el proceso de crecimiento Czochralski implica el riesgo de contaminar el fundente. Además, este método no se presta para el crecimiento continuo.
-Las dificultades primarias están asociadas con problemas del manejo de la rotación y el jalado del cristal y con los requerimientos de la configuración térmica para mantener el equilibrio termodinámico entre el vapor y el fundente.
-Requerir un crisol en crecimiento Czochralski presenta peligro de contaminar el fundente. Además que este método no se presta para crecimiento continuo.
-== Galería Fotos ==
+== Galería de fotos ==
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-Image:Czochralski esp.png| Breve explicación del proceso
+Archivo:Czochralski method crucibles.jpg|Crisoles usados en el proceso Czochralski
-Image:Czochralski method crucibles.jpg|Crisoles usados en el proceso Czochralski
+Archivo:Czochralski method used crucible 1.jpg|Crisoles después de ser usados
+Archivo:Monokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|Lingote de silicio monocristalino
-Image: Czochralski method used crucible 1.jpg|Crisoles después de ser usados
-Image:Monokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|Lingote de silicio monocristalino
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 *[[Semiconductor]]
+==Referencias==
+{{listaref}}
+{{Control de autoridades}}
+[[Categoría:Cristalografía]]
+[[Categoría:Fabricación de dispositivos semiconductores]]
 [[Categoría:Tecnología microelectrónica]]
-[[Categoría:Tecnología]]
+[[Categoría:Procesos industriales]]
+[[Categoría:Epónimos relacionados con la tecnología]]
+[[Categoría:Ciencia y tecnología de Polonia]]
+[[Categoría:Ciencia de 1916]]
+[[Categoría:Polonia en 1916]]