S-параметры: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Область применимости: оформление, источники
 
(не показано 8 промежуточных версий 6 участников)
Строка 1: Строка 1:
'''S-параметры''' (от англ. ''Scattering'' - рассеяние) — элементы [[Матрица рассеяния|матрицы рассеяния]] [[многополюсник]]а, описывающего обычно радиотехническое устройство.
'''S-параметры''' (от англ. ''Scattering'' рассеяние) — элементы [[Матрица рассеяния|матрицы рассеяния]] [[многополюсник]]а, описывающего обычно радиотехническое устройство.


==Пример в виде матрицы==
==Пример в виде матрицы==
Строка 7: Строка 7:
</center>
</center>


==Метод анализа линейных СВЧ устройств с помощью S-параметров==
==Метод анализа линейных СВЧ-устройств с помощью S-параметров==
Различные типы СВЧ устройств можно описать с помощью падающих и отражённых волн, которые распространяются в подключенных к ним линиях передач. Связь между этими волнами описывается волновой матрицей рассеяния или матрицей S-параметров.
Различные типы СВЧ-устройств можно описать с помощью падающих и отражённых волн, которые распространяются в подключенных к ним линиях передач. Связь между этими волнами описывается волновой матрицей рассеяния или матрицей S-параметров.
Свойства многополюсника описываются с помощью N уравнений, связывающих комплексные амплитуды падающих и отражённых волн.
Свойства многополюсника описываются с помощью N уравнений, связывающих комплексные амплитуды падающих и отражённых волн.


=== Определение ===
{| width=90%
Каждый вход (''порт'') многополюсника в технике СВЧ принято представлять в виде поперечного сечения ("''клеммной плоскости''") линии передачи с основным типом волн. Колебательный процесс на каждом ''i''-м входе можно представить в виде суммы падающей (распространяющейся по направлению к многополюснику) и отражённой (распространяющейся от многополюсника) волн с амплитудами (нормированными амплитудами) соответственно ''a<sub>i</sub>'' и ''b<sub>i</sub>''. В линейном многополюснике с ''N'' портами амплитуды этих волн связаны линейными зависимостями:
|
:<math>
: <math>\begin{cases}
b_1 = s_{11}a_1 + s_{12}a_2 + \ldots + s_{1N}a_N \\
\begin{cases}
b_{1} = S_{11}\cdot a_{1} + S_{12}\cdot a_{2} + \dots\ + S_{1N}\cdot a_{N}\\
b_2 = s_{21}a_1 + s_{22}a_2 + \ldots + s_{2N}a_N \\
\cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \cdots \\
b_{2} = S_{21}\cdot a_{1} + S_{22}\cdot a_{2} + \dots\ + S_{2N}\cdot a_{N}\\
b_N = s_{N1}a_1 + s_{N2}a_2 + \ldots + s_{NN}a_N
\dots\\
\end{cases}</math>
b_{N} = S_{N1}\cdot a_{1} + S_{N2}\cdot a_{2} + \dots\ + S_{NN}\cdot a_{N}\\

\end{cases}
Здесь ''s<sub>mn</sub>'' — ''коэффициенты рассеяния'', не зависящие от ''a<sub>i</sub>'' и ''b<sub>i</sub>''. Набор уравнений можно записать в матричной форме. Для этого амплитуды падающих и отражённых волн нужно представить в виде матриц-столбцов '''''a''''' и '''''b''''':
: <math>
a = \begin{pmatrix}
a_1 \\
a_2 \\
\vdots \\
a_N
\end{pmatrix} ;
\quad
b = \begin{pmatrix}
b_1 \\
b_2 \\
\vdots \\
b_N
\end{pmatrix}
</math>
</math>
|}


Тогда связь между '''''a''''' и '''''b''''' имеет вид:
где
: <math>\;b=Sa</math>
Здесь '''''S''''' — матрица рассеяния:
: <math>
S = \begin{pmatrix}
s_{11} & s_{12} & \cdots & s_{1N} \\
s_{21} & s_{22} & \cdots & s_{2N} \\
\vdots & \vdots & \ddots & \vdots \\
s_{N1} & s_{N2} & \cdots & s_{NN}
\end{pmatrix}
</math>


=== Физический смысл ===
''a''<sub>1</sub>,''a''<sub>2</sub>...''a''<sub>N</sub> - комплексные амплитуды волн, входящих в многополюсник (падающие волны);
Чтобы определить физический смысл элементов матрицы рассеяния многополюсника СВЧ, необходимо на его вход (порт) ''n'' подать падающую волну, то есть возбудить многополюсник волнами с амплитудой ''a'' = (0, … , 0, ''a''<sub>''n''</sub>, 0, … , 0)<sup>T</sup>, причем ко всем прочим ''i''-м (''i'' ≠ ''n'') портам подключить согласованные (неотражающие, полностью поглощающие волны) нагрузки. Тогда амплитуды выходящих из портов волн <math>b_m=s_{mn}a_n</math>, откуда <math>\;s_{mn}=b_m/a_n</math>.


Таким образом, элементы матрицы рассеяния с индексами ''n'' ≠ ''m'' представляют собой коэффициенты передачи в порт ''m'' из порта ''n'', с индексами ''n'' = ''m'' (элементы главной диагонали матрицы) —- коэффициенты отражения для случая, когда ко всем ''i''-м (''i'' ≠ ''n'') портам подключены поглощающие нагрузки.
''b''<sub>1</sub>,''b''<sub>2</sub>...''b''<sub>N</sub> - комплексные амплитуды волн, выходящих из многополюсника (отражённые волны);


=== Область применимости ===
''S''<sub>kk</sub>(''k'' = 1,2,...n) - коэффициенты отражения по соответствующим входам многополюсника при подключении согласованных нагрузок, равных ''R''<sub>0</sub>, ко всем остальным входам;
В отличие от матриц сопротивлений (проводимостей) и матриц передачи, матрица рассеяния определена для всех устройств СВЧ. Кроме того, с инженерной точки зрения процесс измерения ''S''-параметров возможен для любых устройств СВЧ, так как он сводится к измерению параметров падающей и отражённой волны на входах устройства.

<math>S_{km}\; (k, m = 1, 2, \ldots n,\; k \ne m)</math> — коэффициенты передачи амплитуд волн напряжения с m-ой линии в k-ю при подключении согласованных нагрузок, равных ''R''<sub>0</sub>, ко всем остальным входам;


== Литература ==
* {{книга|автор=[[Сазонов Д. М.]]|заглавие=Антенны и устройства СВЧ. Учеб. для радиотехнически специальностей вузов|ссылка=http://www.radioscanner.ru/files/download/file1066/kniga._sazonov_d.m.___antenni_i_ustrojst.djvu|место=М.|издательство=Высш. шк|год=1988|pages=432|isbn=5-06-001149-6}}
[[Категория:СВЧ]]
[[Категория:СВЧ]]
[[Категория:Элементы и устройства СВЧ-трактов]]
[[Категория:Элементы и устройства СВЧ-трактов]]

[[de:Streuparameter]]
[[en:Scattering parameters]]
[[es:Parámetros de dispersión]]
[[fr:Paramètres S]]
[[it:Parametri s]]
[[ja:Sパラメータ]]

Текущая версия от 17:22, 13 февраля 2022

S-параметры (от англ. Scattering — рассеяние) — элементы матрицы рассеяния многополюсника, описывающего обычно радиотехническое устройство.

Пример в виде матрицы

[править | править код]


Метод анализа линейных СВЧ-устройств с помощью S-параметров

[править | править код]

Различные типы СВЧ-устройств можно описать с помощью падающих и отражённых волн, которые распространяются в подключенных к ним линиях передач. Связь между этими волнами описывается волновой матрицей рассеяния или матрицей S-параметров.

Свойства многополюсника описываются с помощью N уравнений, связывающих комплексные амплитуды падающих и отражённых волн.

Определение

[править | править код]

Каждый вход (порт) многополюсника в технике СВЧ принято представлять в виде поперечного сечения ("клеммной плоскости") линии передачи с основным типом волн. Колебательный процесс на каждом i-м входе можно представить в виде суммы падающей (распространяющейся по направлению к многополюснику) и отражённой (распространяющейся от многополюсника) волн с амплитудами (нормированными амплитудами) соответственно ai и bi. В линейном многополюснике с N портами амплитуды этих волн связаны линейными зависимостями:

Здесь smnкоэффициенты рассеяния, не зависящие от ai и bi. Набор уравнений можно записать в матричной форме. Для этого амплитуды падающих и отражённых волн нужно представить в виде матриц-столбцов a и b:

Тогда связь между a и b имеет вид:

Здесь S — матрица рассеяния:

Физический смысл

[править | править код]

Чтобы определить физический смысл элементов матрицы рассеяния многополюсника СВЧ, необходимо на его вход (порт) n подать падающую волну, то есть возбудить многополюсник волнами с амплитудой a = (0, … , 0, an, 0, … , 0)T, причем ко всем прочим i-м (in) портам подключить согласованные (неотражающие, полностью поглощающие волны) нагрузки. Тогда амплитуды выходящих из портов волн , откуда .

Таким образом, элементы матрицы рассеяния с индексами nm представляют собой коэффициенты передачи в порт m из порта n, с индексами n = m (элементы главной диагонали матрицы) —- коэффициенты отражения для случая, когда ко всем i-м (in) портам подключены поглощающие нагрузки.

Область применимости

[править | править код]

В отличие от матриц сопротивлений (проводимостей) и матриц передачи, матрица рассеяния определена для всех устройств СВЧ. Кроме того, с инженерной точки зрения процесс измерения S-параметров возможен для любых устройств СВЧ, так как он сводится к измерению параметров падающей и отражённой волны на входах устройства.

Литература

[править | править код]
  • Сазонов Д. М. Антенны и устройства СВЧ. Учеб. для радиотехнически специальностей вузов. — М.: Высш. шк, 1988. — P. 432. — ISBN 5-06-001149-6.