Квантовая электроника: различия между версиями
[отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Sinednov (обсуждение | вклад) |
Vlmvv (обсуждение | вклад) м →Преамбула: орфография |
||
(не показано 40 промежуточных версий 27 участников) | |||
Строка 1: | Строка 1: | ||
'''Квантовая электроника''' — область [[физика|физики]], изучающая методы усиления и генерации [[Электромагнитное излучение|электромагнитного излучения]] на |
'''Квантовая электроника''' — область [[физика|физики]], изучающая методы усиления и генерации [[Электромагнитное излучение|электромагнитного излучения]], основанные на использовании явления [[Вынужденное излучение|вынужденного излучения]] в [[Неравновесная система|неравновесных]] [[Квантовая система|квантовых системах]], а также свойства получаемых таким образом усилителей и [[Квантовый генератор|генераторов]] и их применение в [[Электронное устройство|электронных приборах]]. |
||
== Физические основы квантовой электроники == |
== Физические основы квантовой электроники == |
||
С точки зрения классической [[Электроника (наука)|электроники]] генерация [[Электромагнитное излучение|электромагнитного излучения]] осуществляется за счёт [[Кинетическая энергия|кинетической энергии]] свободных [[электрон]]ов, согласованно движущихся в [[Колебательный контур|колебательном контуре]]. В соответствии с представлениями квантовой электроники энергия излучения берётся из [[Внутренняя энергия|внутренней энергии]] [[Квантовая система|квантовых систем]] ([[атом]]ов, [[молекула|молекул]], [[ион]]ов), высвобождаемой при излучательных [[квантовый переход|переходах]] между её [[Уровни энергии|уровнями энергии]]. Излучательные переходы бывают двух видов — [[спонтанное излучение]] и [[вынужденное излучение]]. При спонтанном излучении возбуждённая система самопроизвольно, без внешних воздействий испускает [[фотон]], характеристики которого ([[частота]], [[Поляризация света|поляризация]], направление распространения) никоим образом не связаны с характеристиками [[фотон]]ов, испускаемых другими частицами. Принципиально иная ситуация наблюдается при вынужденном испускании фотона под воздействием внешнего излучения той же частоты. При этом образуется [[фотон]] с точно теми же свойствами, что и у фотонов, вызвавших его появление, то есть формируется [[Когерентность (физика)|когерентное]] излучение. Наконец, имеет место процесс поглощения фотонов из внешнего излучения, противоположный вынужденному испусканию. |
|||
Обычно поглощение преобладает над вынужденным излучением. Если бы можно было добиться обратной ситуации, в веществе произошло бы усиление исходной внешней (вынуждающей) волны. Рассмотрим переходы между уровнями энергии <math>E_i</math> и <math>E_k</math>, характеризуемые частотой <math>\nu</math>, так что <math>h\nu=E_i-E_k^{}</math> (<math>h</math> — [[постоянная Планка]]). Вероятности переходов определяются через т. наз. [[коэффициенты Эйнштейна]] <math>A</math> и <math>B</math>: |
Обычно поглощение преобладает над вынужденным излучением. Если бы можно было добиться обратной ситуации, в веществе произошло бы усиление исходной внешней (вынуждающей) волны. Рассмотрим переходы между уровнями энергии <math>E_i</math> и <math>E_k</math>, характеризуемые частотой <math>\nu</math>, так что <math>h\nu=E_i-E_k^{}</math> (<math>h</math> — [[постоянная Планка]]). Вероятности переходов определяются через т. наз. [[коэффициенты Эйнштейна]] <math>A</math> и <math>B</math>: |
||
* для спонтанных переходов <math>w_{ik}^{s}=A_{ik}</math>, |
* для спонтанных переходов <math>w_{ik}^{s}=A_{ik}</math>, |
||
* для поглощения <math>w_{ki}=B_{ki}\rho_\nu^{}</math>, |
* для поглощения <math>w_{ki}=B_{ki}\rho_\nu^{}</math>, |
||
* для вынужденного излучения <math>w_{ik}=B_{ik}\rho_\nu^{}</math> (<math>\rho_\nu^{}</math> — спектральная |
* для вынужденного излучения <math>w_{ik}=B_{ik}\rho_\nu^{}</math> (<math>\rho_\nu^{}</math> — спектральная объёмная плотность энергии). |
||
При этом <math>A_{ik}=\frac{8\pi h \nu^3}{c^3}B_{ik}</math>, <math>B_{ki}=B_{ik}=\frac{32 \pi^3}{3} \frac{d_{ik}^2}{h^2}</math> (уровни считаются [[Вырождение (квантовая механика)|невырожденными]]). Изменение плотности энергии [[Электромагнитные волны|электромагнитной волны]] |
При этом <math>A_{ik}=\frac{8\pi h \nu^3}{c^3}B_{ik}</math>, <math>B_{ki}=B_{ik}=\frac{32 \pi^3}{3} \frac{d_{ik}^2}{h^2}</math> (уровни считаются [[Вырождение (квантовая механика)|невырожденными]]). Изменение плотности энергии [[Электромагнитные волны|электромагнитной волны]] равно разности испускаемой и поглощаемой в вынужденных процессах энергии и пропорционально разности населённостей уровней: |
||
: <math>(n_i-n_k)h \nu B_{ik} \rho_\nu^{}</math>. |
: <math>(n_i-n_k)h \nu B_{ik} \rho_\nu^{}</math>. |
||
В состоянии термодинамического равновесия |
В состоянии термодинамического равновесия населённости подчиняются распределению Больцмана, так что |
||
: <math>n_i= n_k \exp{(-h \nu/ kT)} < n_k^{}</math>, |
: <math>n_i= n_k \exp{(-h \nu/ kT)} < n_k^{}</math>, |
||
поэтому энергия поглощается системой и волна ослабляется. Чтобы волна усиливалась, необходимо, чтобы выполнялось условие <math>n_i>n_k^{}</math>, то есть система оказалась в неравновесном состоянии. Такую ситуацию, когда |
поэтому энергия поглощается системой и волна ослабляется. Чтобы волна усиливалась, необходимо, чтобы выполнялось условие <math>n_i>n_k^{}</math>, то есть система оказалась в неравновесном состоянии. Такую ситуацию, когда населённость верхнего уровня больше, чем нижнего, называют [[Инверсия населённостей|инверсией населённостей]], или системой с [[Отрицательная абсолютная температура|отрицательной температурой]]. Это состояние системы характеризуется отрицательным значением [[показатель поглощения|показателя поглощения]], то есть происходит усиление электромагнитной волны. |
||
Создать [[Инверсия |
Создать [[Инверсия населённостей|инверсию населённостей]] можно лишь затратив энергию — так называемую энергию [[накачка лазера|накачки]]. Среда с инверсией населённостей называется активной. Таким образом, в активной среде можно получить когерентное усиление излучения. Чтобы превратить [[Усилитель (электроника)|усилитель]] в [[Генератор (электроника)|генератор]], необходимо поместить среду в систему [[Положительная обратная связь|положительной обратной связи]], возвращающей часть излучения назад в среду. Для создания обратной связи используются объёмные и открытые [[резонатор]]ы. Наконец, для создания устойчивой генерации необходимо превышение энергии вынужденного излучения над потерями энергии ([[рассеяние света|рассеяние]], нагрев среды, полезное излучение), что приводит к требованию превышения мощности накачки определённого порогового значения. |
||
Феменологическая теория Эйнштейна была построена для случая, когда излучатель находится в свободном пространстве и который излучает в бесконечное число мод пространства. При размещении излучателя в пространство с ограниченным числом мод коэффициенты Эйнштейна <math>A_{ik} , B_{ik}</math> меняются, см. статью о [[Пёрселл-фактор]]е |
|||
== Из истории квантовой электроники == |
== Из истории квантовой электроники == |
||
=== Предпосылки === |
=== Предпосылки === |
||
Представление о [[Вынужденное излучение|вынужденном излучении]] было введено [[Эйнштейн, Альберт|А. Эйнштейном]] в [[1917 год]]у на основе [[термодинамика|термодинамических]] соображений и было использовано для получения [[Формула Планка|формулы Планка]]. В [[1940 год]]у [[Фабрикант, Валентин Александрович|В. А. Фабрикант]] предложил использовать вынужденное испускание для усиления света, однако в то время эта идея не была оценена. |
Представление о [[Вынужденное излучение|вынужденном излучении]] было введено [[Эйнштейн, Альберт|А. Эйнштейном]] в [[1917 год]]у на основе [[термодинамика|термодинамических]] соображений и было использовано для получения [[Формула Планка|формулы Планка]]. В [[1940 год]]у [[Фабрикант, Валентин Александрович|В. А. Фабрикант]] предложил использовать вынужденное испускание для усиления света, однако в то время эта идея не была оценена. Непосредственным предшественником квантовой электроники стала [[радиоспектроскопия]], давшая многие экспериментальные методы для работы с молекулярными и атомными пучками ([[Раби, Исидор Айзек|И. Раби]], [[1937]]) и поставившая задачу создания [[квантовый стандарт частоты|квантовых стандартов частоты и времени]]. Также в [[1944 год]]у [[Завойский, Евгений Константинович|Е. К. Завойским]] был открыт [[электронный парамагнитный резонанс]]. |
||
=== Мазеры === |
=== Мазеры === |
||
{{Основная статья|Мазер}} |
{{Основная статья|Мазер}} |
||
Датой рождения квантовой электроники можно считать [[1954 год]] |
Датой рождения квантовой электроники можно считать [[1954 год]], когда [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]] и [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоров]] в [[СССР]] и независимо Дж. Гордон (J. Gordon), Х. Цайгер (H. Zeiger) и [[Таунс, Чарльз|Ч. Таунс]] (C. H. Townes) в [[США]] создали первый [[квантовый генератор]] ([[мазер]]) на молекулах [[аммиак]]а. Генерация в нём осуществляется на длине волны 1,25 см, соответствующей переходам между состояниями молекул с [[Зеркальная симметрия|зеркально симметричной]] структурой. [[Инверсия населённостей]] достигается за счёт пространственного разделения возбуждённых и невозбуждённых молекул в сильно неоднородном электрическом поле (см. [[эффект Штарка]]). Отсортированный молекулярный пучок пропускается через [[объёмный резонатор]], служащий для осуществления обратной связи. Впоследствии были созданы и другие молекулярные генераторы, например [[водородный мазер|мазер на пучке молекул водорода]]. Современные мазеры позволяют достигать стабильности частоты <math>\Delta\nu/\nu \approx 10^{-11}-10^{-13}</math>, что позволяет создавать [[Атомные часы|сверхточные часы]]. |
||
Следующим важным шагом в развитии квантовой электроники стал предложенный в [[1955 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басовым]] и [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоровым]] метод |
Следующим важным шагом в развитии квантовой электроники стал предложенный в [[1955 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басовым]] и [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоровым]] метод трёх уровней, позволивший существенно упростить достижение инверсии и использовать для этой цели [[оптическая накачка лазера|оптическую накачку]]. На этой основе в [[1957]]—[[1958 год]]ах [[Сковил, Генри Эвелин|Г. Э. Д. Сковилом]] (H. E. D. Scovil) и другими были созданы квантовые усилители на парамагнитных кристаллах (например, на [[рубин]]е), работавшие в радиодиапазоне. |
||
=== Лазеры === |
=== Лазеры === |
||
{{Основная статья|Лазер}} |
{{Основная статья|Лазер}} |
||
Для продвижения квантовых генераторов в область оптических частот важной оказалась идея [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохорова]] об использовании [[открытый резонатор|открытых резонаторов]] (системы параллельных зеркал, как в [[резонатор Фабри-Перо|резонаторе Фабри-Перо]]), крайне удобных для осуществления накачки. Первый [[рубиновый лазер|лазер на кристалле рубина]], дававший излучение на длине волны 0,6934 мкм, был создан [[ |
Для продвижения квантовых генераторов в область оптических частот важной оказалась идея [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохорова]] об использовании [[открытый резонатор|открытых резонаторов]] (системы параллельных зеркал, как в [[резонатор Фабри-Перо|резонаторе Фабри-Перо]]), крайне удобных для осуществления [[Накачка лазера|накачки]]. Первый [[рубиновый лазер|лазер на кристалле рубина]], дававший излучение на длине волны 0,6934 мкм, был создан [[Майман, Теодор|Т. Майманом]] (Th. Maiman) в [[1960 год]]у. Оптическая накачка в нём реализуется при помощи импульсных [[газоразрядная лампа|газоразрядных ламп]]. [[Рубиновый лазер]] был первым твердотельным, также выделяются [[лазеры на неодимовом стекле]] и на [[Nd:YAG-лазер|кристаллах граната с неодимом]] (длина волны 1,06 мкм). [[Твердотельные лазеры]] позволили получить генерацию мощных коротких (<math>10^{-9}</math> с) и сверхкоротких (<math>10^{-12}</math> с) импульсов света в схемах [[Модуляция добротности|модуляции добротности]] и [[Синхронизация мод|синхронизации мод резонатора]]. |
||
Вскоре [[Джаван, Али|А. Джаван]] (A. Javan) создал первый [[Гелий-неоновый лазер|газовый лазер на смеси атомов гелия и неона]] (длина волны 0,6328). Накачка в |
Вскоре [[Джаван, Али|А. Джаван]] (A. Javan) создал первый [[Гелий-неоновый лазер|газовый лазер на смеси атомов гелия и неона]] (длина волны 0,6328 мкм). Накачка в нём осуществляется [[Электронный удар|электронным ударом]] в [[Газовый разряд|газовом разряде]] и резонансной передачей энергии от вспомогательного газа (в данном случае — [[гелий|гелия]]) основному ([[неон]]у). Среди других типов [[газовый лазер|газовых лазеров]] выделяются мощные лазеры на [[углекислый газ|углекислом газе]] (длина волны 10,6 мкм, вспомогательные газы — [[азот]] и [[гелий]]), [[аргоновый лазер|аргоновые лазеры]] (0,4880 и 0,5145 мкм), [[кадмиевый лазер]] (0,4416 и 0,3250 мкм), [[лазер на парах меди]], [[эксимерный лазер|эксимерные лазеры]] (накачка за счёт распада молекул в основном состоянии), [[химические лазеры]] (накачка за счёт [[Химическая реакция|химических реакций]], например, [[Цепная реакция (химия)|цепной реакции]] соединения [[фтор]]а с [[водород]]ом). |
||
В [[1958 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]], [[Вул, Бенцион Моисеевич|Б. М. Вул]] и [[Попов, Юрий Михайлович|Ю. М. Попов]] заложили основы теории [[Полупроводниковый лазер|полупроводниковых лазеров]], а уже в [[1962 год]]у был создан первый [[инжекционный лазер]] [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким [[КПД]] и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной [[ |
В [[1958 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]], [[Вул, Бенцион Моисеевич|Б. М. Вул]] и [[Попов, Юрий Михайлович (физик)|Ю. М. Попов]] заложили основы теории [[Полупроводниковый лазер|полупроводниковых лазеров]], а уже в [[1962 год]]у был создан первый [[инжекционный лазер]] [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким [[КПД]] и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной [[Запрещённая зона|запрещённой зоны]]). Существенным результатом является также создание в [[1968 год]]у [[гетеролазер|лазеров на полупроводниковых гетероструктурах]]. |
||
В конце [[1960-е|1960-х]] были разработаны и созданы [[Лазеры на красителях|лазеры на молекулах органических красителей]], обладающие чрезвычайно широкой полосой усиления, что позволяет плавно перестраивать частоту генерации при использовании дисперсионных элементов ([[Призма (оптика)|призмы]], [[дифракционная |
В конце [[1960-е|1960-х]] были разработаны и созданы [[Лазеры на красителях|лазеры на молекулах органических красителей]], обладающие чрезвычайно широкой полосой усиления, что позволяет плавно перестраивать частоту генерации при использовании дисперсионных элементов ([[Призма (оптика)|призмы]], [[дифракционная решётка]]). Набор из нескольких [[краситель|красителей]] позволяет охватить весь оптический диапазон. |
||
== Применения квантовой электроники == |
== Применения квантовой электроники == |
||
* [[Мазер]]ы позволили улучшить чувствительность и стабильность работы радиоустройств, что нашло применение в [[радиоастрономия|радиоастрономии]] (открытие [[Реликтовое излучение|реликтового излучения]] и [[ |
* [[Мазер]]ы позволили улучшить чувствительность и стабильность работы радиоустройств, что нашло применение в [[радиоастрономия|радиоастрономии]] (открытие [[Реликтовое излучение|реликтового излучения]] и [[Межзвёздный газ|межзвёздного водорода]]) и [[Космическая связь|космической связи]]. |
||
* [[Лазер]]ы позволили достичь [[ |
* [[Лазер]]ы позволили достичь [[Напряжённость электрического поля|напряжённостей электрического поля]], сравнимых с внутриатомными, при которых свойства вещества начинают зависеть от [[Интенсивность света|интенсивности световой волны]]: проявляются эффекты [[нелинейная оптика|нелинейной оптики]]. Они позволяют исследовать вещество и управлять характеристиками светового пучка ([[многофотонные процессы]], явления [[Насыщение|насыщения]] и [[самоиндуцированная прозрачность|резонансного просветления]], [[генерация гармоник]], суммарной и разностной частоты, [[параметрическая генерация света]], явления [[самофокусировка света|самофокусировки]], [[вынужденное рассеяние света]] и т. д.) |
||
* [[Лазер]]ы используются для создания и управления высокотемпературной [[Плазма (агрегатное состояние)|плазмы]], в том числе для целей [[Управляемый термоядерный синтез|термоядерного синтеза]]. |
* [[Лазер]]ы используются для создания и управления высокотемпературной [[Плазма (агрегатное состояние)|плазмы]], в том числе для целей [[Управляемый термоядерный синтез|термоядерного синтеза]]. |
||
* Квантовая электроника привела к существенному повышению разрешения спектроскопических систем ([[лазерная спектроскопия]]). |
* Квантовая электроника привела к существенному повышению разрешения спектроскопических систем ([[лазерная спектроскопия]]). |
||
* [[Монохроматическое излучение|Монохроматичность лазерного излучения]] |
* [[Монохроматическое излучение|Монохроматичность лазерного излучения]] даёт возможность селективного воздействия на вещество, что находит применение в [[фотохимия|фотохимии]] и [[фотобиология|фотобиологии]], лазерной очистке и [[лазерное разделение изотопов|лазерном разделении изотопов]]. |
||
* Использование квантовой электроники в [[метрология|метрологии]] для создания [[квантовый стандарт частоты|квантовых стандартов частоты и времени]], [[Лазерный дальномер|лазерных дальномеров]], систем дистанционного химического анализа, [[Лазерная локация|лазерной локации]]. |
* Использование квантовой электроники в [[метрология|метрологии]] для создания [[квантовый стандарт частоты|квантовых стандартов частоты и времени]], [[Лазерный дальномер|лазерных дальномеров]], систем дистанционного химического анализа, [[Лазерная локация|лазерной локации]]. |
||
* [[Лазер]]ы широко используются в системах [[оптическая связь|оптической связи]] и [[оптическая обработка информации|обработки информации]], в которых сочетаются принципы [[волоконная оптика|волоконной]] и [[интегральная оптика|интегральной оптики]]. |
* [[Лазер]]ы широко используются в системах [[оптическая связь|оптической связи]] и [[оптическая обработка информации|обработки информации]], в которых сочетаются принципы [[волоконная оптика|волоконной]] и [[интегральная оптика|интегральной оптики]]. |
||
Строка 54: | Строка 54: | ||
== Литература == |
== Литература == |
||
{{викифицировать литературу}} |
{{викифицировать литературу}} |
||
=== Общие сведения и научно-популярная литература === |
=== Общие сведения и научно-популярная литература === |
||
* Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1969. |
* Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1969. |
||
* ''[[Пекара, Аркадиуш Хенрик|А. Пекара]].'' Новый облик оптики. — М.: Советское радио, 1973. |
* ''[[Пекара, Аркадиуш Хенрик|А. Пекара]].'' Новый облик оптики. — М.: Советское радио, 1973. |
||
* ''[[Карлов, Николай Васильевич|Н. В. Карлов]].'' Квантовая электроника. // Физика микромира: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1980. — С. 200—217. |
* ''[[Карлов, Николай Васильевич|Н. В. Карлов]].'' Квантовая электроника. // Физика микромира: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1980. — С. 200—217. |
||
* ''М. Е. Жаботинский.'' [http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1566.html Квантовая электроника.] // Физическая энциклопедия. — Т. 2 — М.: СЭ, 1990. — С. 319—320. |
* ''М. Е. Жаботинский.'' [http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1566.html Квантовая электроника.] {{Wayback|url=http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1566.html |date=20091004043029 }} // Физическая энциклопедия. — Т. 2 — М.: СЭ, 1990. — С. 319—320. |
||
=== Монографии === |
=== Монографии === |
||
Строка 67: | Строка 68: | ||
* ''Ф. Цернике, Дж. Мидвинтер.'' Прикладная нелинейная оптика. — М.: Мир, 1976. |
* ''Ф. Цернике, Дж. Мидвинтер.'' Прикладная нелинейная оптика. — М.: Мир, 1976. |
||
* ''А. Ярив.'' Квантовая электроника. — М.: Советское радио, 1980. |
* ''А. Ярив.'' Квантовая электроника. — М.: Советское радио, 1980. |
||
* ''[[Ахманов, Сергей Александрович|С. А. Ахманов]], [[Коротеев, Николай Иванович|Н. И. Коротеев]].'' Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. — М.: 1981. |
* ''[[Ахманов, Сергей Александрович|С. А. Ахманов]], [[Коротеев, Николай Иванович (физик)|Н. И. Коротеев]].'' Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. — М.: 1981. |
||
* ''О. Звелто.'' Принципы лазеров. — М.: Мир, 1984. |
* ''О. Звелто.'' Принципы лазеров. — М.: Мир, 1984. |
||
* ''И. Р. Шен.'' Принципы нелинейной оптики. — М.: 1989. |
* ''И. Р. Шен.'' Принципы нелинейной оптики. — М.: 1989. |
||
Строка 84: | Строка 85: | ||
== Ссылки == |
== Ссылки == |
||
* [http://www.quantum-electron.ru/pa.phtml?page=geninfo Журнал «Квантовая электроника»] |
* [http://www.quantum-electron.ru/pa.phtml?page=geninfo Журнал «Квантовая электроника»] {{Wayback|url=http://www.quantum-electron.ru/pa.phtml?page=geninfo |date=20070403005040 }}. |
||
* [http://www.nsu.ru/srd/lls/russian/lls-teach.htm Термины и электронные книги по квантовой электронике] |
* [http://www.nsu.ru/srd/lls/russian/lls-teach.htm Термины и электронные книги по квантовой электронике] {{Wayback|url=http://www.nsu.ru/srd/lls/russian/lls-teach.htm |date=20090410191557 }}. |
||
{{Библиоинформация}} |
|||
⚫ | |||
⚫ | |||
[[en:Quantum electronics]] |
|||
[[Категория:Электроника]] |
|||
[[es:Electrónica cuántica]] |
|||
[[Категория:Квантовая электроника|*]] |
|||
[[ja:量子エレクトロニクス]] |
|||
[[uk:Квантова електроніка]] |
|||
[[ur:مقداریہ برقیات]] |
Текущая версия от 00:11, 19 марта 2023
Квантовая электроника — область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитного излучения, основанные на использовании явления вынужденного излучения в неравновесных квантовых системах, а также свойства получаемых таким образом усилителей и генераторов и их применение в электронных приборах.
Физические основы квантовой электроники
[править | править код]С точки зрения классической электроники генерация электромагнитного излучения осуществляется за счёт кинетической энергии свободных электронов, согласованно движущихся в колебательном контуре. В соответствии с представлениями квантовой электроники энергия излучения берётся из внутренней энергии квантовых систем (атомов, молекул, ионов), высвобождаемой при излучательных переходах между её уровнями энергии. Излучательные переходы бывают двух видов — спонтанное излучение и вынужденное излучение. При спонтанном излучении возбуждённая система самопроизвольно, без внешних воздействий испускает фотон, характеристики которого (частота, поляризация, направление распространения) никоим образом не связаны с характеристиками фотонов, испускаемых другими частицами. Принципиально иная ситуация наблюдается при вынужденном испускании фотона под воздействием внешнего излучения той же частоты. При этом образуется фотон с точно теми же свойствами, что и у фотонов, вызвавших его появление, то есть формируется когерентное излучение. Наконец, имеет место процесс поглощения фотонов из внешнего излучения, противоположный вынужденному испусканию.
Обычно поглощение преобладает над вынужденным излучением. Если бы можно было добиться обратной ситуации, в веществе произошло бы усиление исходной внешней (вынуждающей) волны. Рассмотрим переходы между уровнями энергии и , характеризуемые частотой , так что ( — постоянная Планка). Вероятности переходов определяются через т. наз. коэффициенты Эйнштейна и :
- для спонтанных переходов ,
- для поглощения ,
- для вынужденного излучения ( — спектральная объёмная плотность энергии).
При этом , (уровни считаются невырожденными). Изменение плотности энергии электромагнитной волны равно разности испускаемой и поглощаемой в вынужденных процессах энергии и пропорционально разности населённостей уровней:
- .
В состоянии термодинамического равновесия населённости подчиняются распределению Больцмана, так что
- ,
поэтому энергия поглощается системой и волна ослабляется. Чтобы волна усиливалась, необходимо, чтобы выполнялось условие , то есть система оказалась в неравновесном состоянии. Такую ситуацию, когда населённость верхнего уровня больше, чем нижнего, называют инверсией населённостей, или системой с отрицательной температурой. Это состояние системы характеризуется отрицательным значением показателя поглощения, то есть происходит усиление электромагнитной волны.
Создать инверсию населённостей можно лишь затратив энергию — так называемую энергию накачки. Среда с инверсией населённостей называется активной. Таким образом, в активной среде можно получить когерентное усиление излучения. Чтобы превратить усилитель в генератор, необходимо поместить среду в систему положительной обратной связи, возвращающей часть излучения назад в среду. Для создания обратной связи используются объёмные и открытые резонаторы. Наконец, для создания устойчивой генерации необходимо превышение энергии вынужденного излучения над потерями энергии (рассеяние, нагрев среды, полезное излучение), что приводит к требованию превышения мощности накачки определённого порогового значения.
Феменологическая теория Эйнштейна была построена для случая, когда излучатель находится в свободном пространстве и который излучает в бесконечное число мод пространства. При размещении излучателя в пространство с ограниченным числом мод коэффициенты Эйнштейна меняются, см. статью о Пёрселл-факторе
Из истории квантовой электроники
[править | править код]Предпосылки
[править | править код]Представление о вынужденном излучении было введено А. Эйнштейном в 1917 году на основе термодинамических соображений и было использовано для получения формулы Планка. В 1940 году В. А. Фабрикант предложил использовать вынужденное испускание для усиления света, однако в то время эта идея не была оценена. Непосредственным предшественником квантовой электроники стала радиоспектроскопия, давшая многие экспериментальные методы для работы с молекулярными и атомными пучками (И. Раби, 1937) и поставившая задачу создания квантовых стандартов частоты и времени. Также в 1944 году Е. К. Завойским был открыт электронный парамагнитный резонанс.
Мазеры
[править | править код]Датой рождения квантовой электроники можно считать 1954 год, когда Н. Г. Басов и А. М. Прохоров в СССР и независимо Дж. Гордон (J. Gordon), Х. Цайгер (H. Zeiger) и Ч. Таунс (C. H. Townes) в США создали первый квантовый генератор (мазер) на молекулах аммиака. Генерация в нём осуществляется на длине волны 1,25 см, соответствующей переходам между состояниями молекул с зеркально симметричной структурой. Инверсия населённостей достигается за счёт пространственного разделения возбуждённых и невозбуждённых молекул в сильно неоднородном электрическом поле (см. эффект Штарка). Отсортированный молекулярный пучок пропускается через объёмный резонатор, служащий для осуществления обратной связи. Впоследствии были созданы и другие молекулярные генераторы, например мазер на пучке молекул водорода. Современные мазеры позволяют достигать стабильности частоты , что позволяет создавать сверхточные часы.
Следующим важным шагом в развитии квантовой электроники стал предложенный в 1955 году Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым метод трёх уровней, позволивший существенно упростить достижение инверсии и использовать для этой цели оптическую накачку. На этой основе в 1957—1958 годах Г. Э. Д. Сковилом (H. E. D. Scovil) и другими были созданы квантовые усилители на парамагнитных кристаллах (например, на рубине), работавшие в радиодиапазоне.
Лазеры
[править | править код]Для продвижения квантовых генераторов в область оптических частот важной оказалась идея А. М. Прохорова об использовании открытых резонаторов (системы параллельных зеркал, как в резонаторе Фабри-Перо), крайне удобных для осуществления накачки. Первый лазер на кристалле рубина, дававший излучение на длине волны 0,6934 мкм, был создан Т. Майманом (Th. Maiman) в 1960 году. Оптическая накачка в нём реализуется при помощи импульсных газоразрядных ламп. Рубиновый лазер был первым твердотельным, также выделяются лазеры на неодимовом стекле и на кристаллах граната с неодимом (длина волны 1,06 мкм). Твердотельные лазеры позволили получить генерацию мощных коротких ( с) и сверхкоротких ( с) импульсов света в схемах модуляции добротности и синхронизации мод резонатора.
Вскоре А. Джаван (A. Javan) создал первый газовый лазер на смеси атомов гелия и неона (длина волны 0,6328 мкм). Накачка в нём осуществляется электронным ударом в газовом разряде и резонансной передачей энергии от вспомогательного газа (в данном случае — гелия) основному (неону). Среди других типов газовых лазеров выделяются мощные лазеры на углекислом газе (длина волны 10,6 мкм, вспомогательные газы — азот и гелий), аргоновые лазеры (0,4880 и 0,5145 мкм), кадмиевый лазер (0,4416 и 0,3250 мкм), лазер на парах меди, эксимерные лазеры (накачка за счёт распада молекул в основном состоянии), химические лазеры (накачка за счёт химических реакций, например, цепной реакции соединения фтора с водородом).
В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещённой зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.
В конце 1960-х были разработаны и созданы лазеры на молекулах органических красителей, обладающие чрезвычайно широкой полосой усиления, что позволяет плавно перестраивать частоту генерации при использовании дисперсионных элементов (призмы, дифракционная решётка). Набор из нескольких красителей позволяет охватить весь оптический диапазон.
Применения квантовой электроники
[править | править код]- Мазеры позволили улучшить чувствительность и стабильность работы радиоустройств, что нашло применение в радиоастрономии (открытие реликтового излучения и межзвёздного водорода) и космической связи.
- Лазеры позволили достичь напряжённостей электрического поля, сравнимых с внутриатомными, при которых свойства вещества начинают зависеть от интенсивности световой волны: проявляются эффекты нелинейной оптики. Они позволяют исследовать вещество и управлять характеристиками светового пучка (многофотонные процессы, явления насыщения и резонансного просветления, генерация гармоник, суммарной и разностной частоты, параметрическая генерация света, явления самофокусировки, вынужденное рассеяние света и т. д.)
- Лазеры используются для создания и управления высокотемпературной плазмы, в том числе для целей термоядерного синтеза.
- Квантовая электроника привела к существенному повышению разрешения спектроскопических систем (лазерная спектроскопия).
- Монохроматичность лазерного излучения даёт возможность селективного воздействия на вещество, что находит применение в фотохимии и фотобиологии, лазерной очистке и лазерном разделении изотопов.
- Использование квантовой электроники в метрологии для создания квантовых стандартов частоты и времени, лазерных дальномеров, систем дистанционного химического анализа, лазерной локации.
- Лазеры широко используются в системах оптической связи и обработки информации, в которых сочетаются принципы волоконной и интегральной оптики.
- Высокая степень когерентности лазерных источников позволила осуществить идею голографии и голографических приборов.
- Лазеры находят множество применений в медицине (хирургия, офтальмология и т. д.) и технологии (сварка, резка и т. д.).
Литература
[править | править код]Общие сведения и научно-популярная литература
[править | править код]- Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1969.
- А. Пекара. Новый облик оптики. — М.: Советское радио, 1973.
- Н. В. Карлов. Квантовая электроника. // Физика микромира: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1980. — С. 200—217.
- М. Е. Жаботинский. Квантовая электроника. Архивная копия от 4 октября 2009 на Wayback Machine // Физическая энциклопедия. — Т. 2 — М.: СЭ, 1990. — С. 319—320.
Монографии
[править | править код]- Н. В. Карлов, А. А. Маненков. Квантовые усилители. — М.: 1966.
- Н. Бломберген. Нелинейная оптика. — М.: 1966.
- В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. Ф. Золин. Квантовые стандарты частоты. — М.: 1968
- Р. Пантел, Г. Путхоф. Основы квантовой электроники. — М.: Мир, 1972.
- Ф. Цернике, Дж. Мидвинтер. Прикладная нелинейная оптика. — М.: Мир, 1976.
- А. Ярив. Квантовая электроника. — М.: Советское радио, 1980.
- С. А. Ахманов, Н. И. Коротеев. Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. — М.: 1981.
- О. Звелто. Принципы лазеров. — М.: Мир, 1984.
- И. Р. Шен. Принципы нелинейной оптики. — М.: 1989.
Статьи
[править | править код]- А. М. Прохоров, Н. Г. Басов. Молекулярный генератор и усилитель // УФН. — 1955. — Т. 57, № 3. — С. 485—501.
- А. М. Прохоров. Квантовая электроника // УФН. — 1965. — Т. 85, № 4. — С. 599—604.
- А. Шавлов. Современные оптические квантовые генераторы // УФН. — 1963. — Т. 81, № 12.
- Н. Г. Басов. Полупроводниковые квантовые генераторы // УФН. — 1965. — Т. 85, № 4.
- Ч. Таунс. Получение когерентного излучения с помощью атомов и молекул // УФН. — 1966. — Т. 88, № 3.
- Ч. Таунс. Квантовая электроника и технический прогресс // УФН. — 1969. — Т. 98, № 5.
- Н. В. Карлов, А. М. Прохоров. Лазерное разделение изотопов // УФН. — 1976. — Т. 118, № 4. — С. 583—609.
- А. М. Прохоров, Н. В. Карлов. Квантовая электроника и Эйнштейновская теория излучения // УФН. — 1979. — Т. 128, № 3.
- А. М. Прохоров. К 25-летнему юбилею лазера // УФН. — 1986. — Т. 148, № 1.
- А. А. Маненков. О роли электронного парамагнитного резонанса в становлении и развитии квантовой электроники: факты и комментарии // УФН. — 2006. — Т. 176, № 6.
Ссылки
[править | править код]- Журнал «Квантовая электроника» Архивная копия от 3 апреля 2007 на Wayback Machine.
- Термины и электронные книги по квантовой электронике Архивная копия от 10 апреля 2009 на Wayback Machine.