Диосмийтулий: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м + {{изолированная статья}}
м top: РДБ-запрос, replaced: еакционоспособност → еакционноспособност
 
(не показано 7 промежуточных версий 4 участников)
Строка 1: Строка 1:
{{Вещество
{{Вещество
| наименование = Диосмийтулий
| картинка = <!-- имя файла с изображением вещества -->
| картинка3D = <!-- имя файла с 3D-физуализацией молекулы вещества -->
| картинка малая =

| наименование = {{PAGENAME}}
| традиционные названия =
| сокращения = <!-- принятые сокращения названия -->
| хим. формула = Os{{sub|2}}Tm
| хим. формула = Os{{sub|2}}Tm
| рац. формула = TmOs{{sub|2}}
| рац. формула = TmOs{{sub|2}}
Строка 107: Строка 101:
| опасность для здоровья = 0
| опасность для здоровья = 0
| огнеопасность = 0
| огнеопасность = 0
| реакционоспособность = 0
| реакционноспособность = 0
| прочее = }}-->
| прочее = }}-->
}}
}}


'''Диосмийтулий''' — [[интерметаллид]] [[осмий|осмия]] и [[тулий|тулия]] состава TmOs{{sub|2}}.
'''{{PAGENAME}}''' — бинарное неорганическое соединение
[[осмий|осмия]] и [[тулий|тулия]]
с формулой TmOs{{sub|2}},
кристаллы.


Кристаллизуется в [[Гексагональная сингония|гексагональной сингонии]], [[пространственная группа]] '''''P 6{{sub|3}}/mmc''''', параметры ячейки ''a'' = 0,5424 нм, ''c'' = 0,8808 нм, Z = 4, структура типа [[Дицинкмагний|дицинкмагния MgZn{{sub|2}}]] ([[Фазы Лавеса|фаза Лавеса]])<ref name='Лякишев'>{{книга
== Получение ==
|заглавие = Диаграммы состояния двойных металлических систем |ответственный = Под ред. Н. П. Лякишева |место = М.
|издательство = Машиностроение |год = 2001 |том = 3 Книга 1 |страниц = 972 |isbn = 5-217-02843-2
}}</ref><ref>{{статья
|автор = B. Predel
|заглавие = Os-Tm (Osmium-Thulium)
|ссылка =
|язык =
|издание = Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry
|год = 1998
|том = 5I
|номер =
|страницы = 1
|doi = 10.1007/10542753_2358
|issn =
}}</ref>.


При температуре < 6 К переходит в [[сверхпроводник|сверхпроводящее]] состояние<ref>{{Патент США|3185900|High Field Superconducting Devices|1965-05-25}}</ref>.
* Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
::<math>\mathsf{ 2\ Os + Tm \ \xrightarrow{T}\ TmOs_2 }</math>


== Примечания ==
== Физические свойства ==
{{примечания}}

{{PAGENAME}} образует кристаллы
[[Гексагональная сингония|гексагональной сингонии]],
[[пространственная группа]] '''''P 6{{sub|3}}/mmc''''',
параметры ячейки ''a'' = 0,5424 нм, ''c'' = 0,8808 нм, Z = 4.
<!--

== Химические свойства ==

== Применение ==
-->

== Литература ==
* {{книга
|заглавие = Диаграммы состояния двойных металлических систем |ответственный = Под ред. Н. П. Лякишева |место = М.
|издательство = Машиностроение |год = 2001 |том = 3 Книга 1 |страниц = 972 |isbn = 5-217-02843-2
}}


{{rq|notability|sources|img|check}}
{{Соединения осмия}}


{{Соединения тулия}}
{{inorganic-compound-stub}}
{{изолированная статья}}


[[Категория: Соединения осмия]]
[[Категория:Интерметаллиды осмия|Тулий]]
[[Категория: Соединения тулия]]
[[Категория:Интерметаллиды тулия|Осмий]]
[[Категория:Интерметаллиды]]
[[Категория:Сверхпроводники]]

Текущая версия от 05:19, 5 мая 2023

Диосмийтулий
Общие
Систематическое
наименование
Диосмийтулий
Хим. формула Os2Tm
Рац. формула TmOs2
Физические свойства
Состояние кристаллы
Молярная масса 549,39 г/моль
Плотность 16,2 г/см³
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Диосмийтулий — интерметаллид осмия и тулия состава TmOs2.

Кристаллизуется в гексагональной сингонии, пространственная группа P 63/mmc, параметры ячейки a = 0,5424 нм, c = 0,8808 нм, Z = 4, структура типа дицинкмагния MgZn2 (фаза Лавеса)[1][2].

При температуре < 6 К переходит в сверхпроводящее состояние[3].

Примечания

[править | править код]
  1. Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 2001. — Т. 3 Книга 1. — 972 с. — ISBN 5-217-02843-2.
  2. B. Predel. Os-Tm (Osmium-Thulium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1998. — Т. 5I. — С. 1. — doi:10.1007/10542753_2358.
  3. Патент США № 3 185 900 от 25 мая 1965. High Field Superconducting Devices. Описание патента на сайте Ведомства по патентам и товарным знакам США.