Диосмийтулий: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
[отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
KrBot (обсуждение | вклад) м + {{изолированная статья}} |
MBHbot (обсуждение | вклад) м →top: РДБ-запрос, replaced: еакционоспособност → еакционноспособност |
||
(не показано 7 промежуточных версий 4 участников) | |||
Строка 1: | Строка 1: | ||
{{Вещество |
{{Вещество |
||
⚫ | |||
| картинка = <!-- имя файла с изображением вещества --> |
|||
| картинка3D = <!-- имя файла с 3D-физуализацией молекулы вещества --> |
|||
| картинка малая = |
|||
⚫ | |||
| традиционные названия = |
|||
| сокращения = <!-- принятые сокращения названия --> |
|||
| хим. формула = Os{{sub|2}}Tm |
| хим. формула = Os{{sub|2}}Tm |
||
| рац. формула = TmOs{{sub|2}} |
| рац. формула = TmOs{{sub|2}} |
||
Строка 107: | Строка 101: | ||
| опасность для здоровья = 0 |
| опасность для здоровья = 0 |
||
| огнеопасность = 0 |
| огнеопасность = 0 |
||
| |
| реакционноспособность = 0 |
||
| прочее = }}--> |
| прочее = }}--> |
||
}} |
}} |
||
'''Диосмийтулий''' — [[интерметаллид]] [[осмий|осмия]] и [[тулий|тулия]] состава TmOs{{sub|2}}. |
|||
'''{{PAGENAME}}''' — бинарное неорганическое соединение |
|||
[[осмий|осмия]] и [[тулий|тулия]] |
|||
с формулой TmOs{{sub|2}}, |
|||
кристаллы. |
|||
Кристаллизуется в [[Гексагональная сингония|гексагональной сингонии]], [[пространственная группа]] '''''P 6{{sub|3}}/mmc''''', параметры ячейки ''a'' = 0,5424 нм, ''c'' = 0,8808 нм, Z = 4, структура типа [[Дицинкмагний|дицинкмагния MgZn{{sub|2}}]] ([[Фазы Лавеса|фаза Лавеса]])<ref name='Лякишев'>{{книга |
|||
== Получение == |
|||
⚫ | |||
⚫ | |||
}}</ref><ref>{{статья |
|||
|автор = B. Predel |
|||
|заглавие = Os-Tm (Osmium-Thulium) |
|||
|ссылка = |
|||
|язык = |
|||
|издание = Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry |
|||
|год = 1998 |
|||
|том = 5I |
|||
|номер = |
|||
|страницы = 1 |
|||
|doi = 10.1007/10542753_2358 |
|||
|issn = |
|||
}}</ref>. |
|||
При температуре < 6 К переходит в [[сверхпроводник|сверхпроводящее]] состояние<ref>{{Патент США|3185900|High Field Superconducting Devices|1965-05-25}}</ref>. |
|||
* Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ: |
|||
::<math>\mathsf{ 2\ Os + Tm \ \xrightarrow{T}\ TmOs_2 }</math> |
|||
== Примечания == |
|||
== Физические свойства == |
|||
{{примечания}} |
|||
{{PAGENAME}} образует кристаллы |
|||
[[Гексагональная сингония|гексагональной сингонии]], |
|||
[[пространственная группа]] '''''P 6{{sub|3}}/mmc''''', |
|||
параметры ячейки ''a'' = 0,5424 нм, ''c'' = 0,8808 нм, Z = 4. |
|||
<!-- |
|||
== Химические свойства == |
|||
== Применение == |
|||
--> |
|||
== Литература == |
|||
* {{книга |
|||
⚫ | |||
⚫ | |||
}} |
|||
{{rq|notability|sources|img|check}} |
|||
⚫ | |||
⚫ | |||
{{inorganic-compound-stub}} |
|||
{{изолированная статья}} |
|||
[[Категория: |
[[Категория:Интерметаллиды осмия|Тулий]] |
||
[[Категория: |
[[Категория:Интерметаллиды тулия|Осмий]] |
||
[[Категория: |
[[Категория:Сверхпроводники]] |
Текущая версия от 05:19, 5 мая 2023
Диосмийтулий | |
---|---|
Общие | |
Систематическое наименование |
Диосмийтулий |
Хим. формула | Os2Tm |
Рац. формула | TmOs2 |
Физические свойства | |
Состояние | кристаллы |
Молярная масса | 549,39 г/моль |
Плотность | 16,2 г/см³ |
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. |
Диосмийтулий — интерметаллид осмия и тулия состава TmOs2.
Кристаллизуется в гексагональной сингонии, пространственная группа P 63/mmc, параметры ячейки a = 0,5424 нм, c = 0,8808 нм, Z = 4, структура типа дицинкмагния MgZn2 (фаза Лавеса)[1][2].
При температуре < 6 К переходит в сверхпроводящее состояние[3].
Примечания
[править | править код]- ↑ Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 2001. — Т. 3 Книга 1. — 972 с. — ISBN 5-217-02843-2.
- ↑ B. Predel. Os-Tm (Osmium-Thulium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1998. — Т. 5I. — С. 1. — doi:10.1007/10542753_2358.
- ↑ Патент США № 3 185 900 от 25 мая 1965. High Field Superconducting Devices. Описание патента на сайте Ведомства по патентам и товарным знакам США.
Для улучшения этой статьи желательно:
|