EDRAM: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Спасено источников — 1, отмечено мёртвыми — 0. Сообщить об ошибке. См. FAQ. #IABot (v2.0beta15)
Нет описания правки
 
(не показано 13 промежуточных версий 5 участников)
Строка 1: Строка 1:
{{lowercase}}
{{lowercase}}
{{Типы компьютерной памяти}}
<!-- {{Memory types}}-->
'''eDRAM''' ({{lang-en|embedded DRAM}} — [[Встраиваемая система|встраиваемая]] [[DRAM]]) — [[DRAM]]-память на основе [[Электрический конденсатор|конденсаторов]], как правило встраиваемая в ту же самую [[Интегральная схема|микросхему]] или в ту же самую [[Мультичиповый модуль|систему]], что и основной [[ASIC]] или [[Микропроцессор|процессор]], в отличие от памяти [[SRAM (память)|SRAM]] на основе [[транзистор]]ов, обычно используемой для [[кэш]]ей и от внешних модулей DRAM.
'''eDRAM''' ({{lang-en|embedded DRAM}} — [[Встраиваемая система|встраиваемая]] [[DRAM]]) — [[DRAM]]-память на основе [[Электрический конденсатор|конденсаторов]], как правило встраиваемая в ту же самую [[Интегральная схема|микросхему]] или в ту же самую {{iw|Мультичиповый модуль|систему|en|Multi-chip module}}<ref>{{Cite web |url=https://www.eetimes.com/intels-embedded-dram-new-era-of-cache-memory/ |title=Intel’s Embedded DRAM: New Era of Cache Memory |access-date=2021-07-24 |archive-date=2021-07-24 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210724004731/https://www.eetimes.com/intels-embedded-dram-new-era-of-cache-memory/ |deadlink=no }}</ref>, что и основной [[ASIC]] или [[Микропроцессор|процессор]], в отличие от памяти [[SRAM (память)|SRAM]] на основе [[транзистор]]ов, обычно используемой для [[кэш]]ей и от внешних модулей DRAM.


Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.
Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.


eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как [[1T-SRAM]].
eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как {{iw|1T-SRAM}}.


eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с [[POWER7]] <ref name="Realworldtech">{{cite web
eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с [[POWER7]]<ref name="Realworldtech">{{cite web
|title = Hot Chips XXI Preview
|title = Hot Chips XXI Preview
|publisher = [http://www.realworldtech.com/ Real World Technologies]
|publisher = [http://www.realworldtech.com/ Real World Technologies]
|url = http://realworldtech.com/page.cfm?ArticleID=RWT081209143650&p=2
|url = https://www.realworldtech.com/hot-chips-2009-preview/2/
|accessdate = 2009-08-17
|accessdate = 2021-07-23
|date = 2009-08-12
|archiveurl = https://www.webcitation.org/67BrHp6qe?url=http://realworldtech.com/page.cfm?ArticleID=RWT081209143650
|archivedate = 2012-04-25
|archive-date = 2012-02-27
|archive-url = https://web.archive.org/web/20120227011739/http://realworldtech.com/page.cfm?ArticleID=RWT081209143650&p=2
|deadurl = yes
|deadlink = no
}}</ref>) и во множестве [[Игровая приставка|игровых приставок]], включая [[PlayStation 2]], [[PlayStation Portable]], [[Nintendo GameCube]], [[Wii]], [[Zune HD]], [[iPhone]], [[Xbox 360]] и [[Wii U]], а также в некоторых мобильных моделях процессоров компании [[Intel]] с архитектурой [[Haswell]].
}}</ref>) и во множестве [[Игровая приставка|игровых приставок]], включая [[PlayStation 2]] (4мб), [[PlayStation Portable]], [[Nintendo GameCube]], [[Wii]], [[Wii U]], [[Xbox 360]] (10Мб), Xbox One и One S (32Мб), [[Zune HD]], [[iPhone]]. А также в некоторых мобильных моделях процессоров компании [[Intel]] с архитектурой [[Haswell]]<ref>{{cite web
|url = https://www.anandtech.com/show/6892/haswell-gt3e-pictured-coming-to-desktops-rsku-notebooks
|title = Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks
|publisher = [[AnandTech]]
|access-date = 2021-07-24
|date = 2013-04-10
|archive-date = 2016-11-05
|archive-url = https://web.archive.org/web/20161105074626/http://www.anandtech.com/show/6892/haswell-gt3e-pictured-coming-to-desktops-rsku-notebooks
|deadlink = no
}}</ref> и десктопных [[Broadwell]] Intel Core 5-го поколения.


== Примечания ==
== Примечания ==
Строка 21: Строка 31:


== Ссылки ==
== Ссылки ==
* [http://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf An Embedded DRAM for CMOS ASICs] {{ref-en}}
* [http://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf An Embedded DRAM for CMOS ASICs]{{ref-en}}
* [http://www.eetimes.com/story/OEG20030414S0040 Day dawns for eDRAM] {{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20070926220742/http://www.eetimes.com/story/OEG20030414S0040 Day dawns for eDRAM]{{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20090106052004/http://www.necelam.com/edram90/ Embedded DRAM] {{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20090106052004/http://www.necelam.com/edram90/ Embedded DRAM]{{ref-en}}
* [http://www.findarticles.com/p/articles/mi_qa3751/is_200501/ai_n9521086 Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use] {{ref-en}}
* [http://www.findarticles.com/p/articles/mi_qa3751/is_200501/ai_n9521086 Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use]{{ref-en}}
* [https://arstechnica.com/news.ars/post/20070214-8842.html eDRAM: IBM’s new solution for CPU cache] {{ref-en}}
* [https://arstechnica.com/news.ars/post/20070214-8842.html eDRAM: IBM’s new solution for CPU cache]{{ref-en}}
* [http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=197006869 IBM eDram] // EETimes {{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20070926220928/http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=197006869 IBM eDram] // EETimes{{ref-en}}
* [https://ark.intel.com/content/www/ru/ru/ark/products/87718/intel-core-i7-5775r-processor-6m-cache-up-to-3-80-ghz.html Intel® Core™ i7-5775R]


{{DRAM}}
{{нет сносок|дата=2014-08-14}}


[[Категория:Оперативная память]]
[[Категория:Оперативная память]]
[[Категория:DRAM]]

Текущая версия от 07:44, 24 февраля 2024

Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[англ.]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая

eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую систему[англ.][1], что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM[англ.].

eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с POWER7[2]) и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2 (4мб), PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Wii U, Xbox 360 (10Мб), Xbox One и One S (32Мб), Zune HD, iPhone. А также в некоторых мобильных моделях процессоров компании Intel с архитектурой Haswell[3] и десктопных Broadwell Intel Core 5-го поколения.

Примечания

[править | править код]
  1. Intel’s Embedded DRAM: New Era of Cache Memory. Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 24 июля 2021 года.
  2. Hot Chips XXI Preview. Real World Technologies (12 августа 2009). Дата обращения: 23 июля 2021. Архивировано 27 февраля 2012 года.
  3. Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks. AnandTech (10 апреля 2013). Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 5 ноября 2016 года.