EDRAM: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
| [отпатрулированная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
A5b (обсуждение | вклад) м пунктуация |
PRAS2023 (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показаны 22 промежуточные версии 11 участников) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
{{lowercase}} |
{{lowercase}} |
||
{{Типы компьютерной памяти}} |
|||
{{DRAM types}}<!-- {{Memory types}}--> |
|||
'''eDRAM''' ({{lang-en|embedded DRAM}} — [[Встраиваемая система|встраиваемая]] [[DRAM]]) — [[DRAM]]-память на основе [[Электрический конденсатор|конденсаторов]], как правило встраиваемая в |
'''eDRAM''' ({{lang-en|embedded DRAM}} — [[Встраиваемая система|встраиваемая]] [[DRAM]]) — [[DRAM]]-память на основе [[Электрический конденсатор|конденсаторов]], как правило встраиваемая в ту же самую [[Интегральная схема|микросхему]] или в ту же самую {{iw|Мультичиповый модуль|систему|en|Multi-chip module}}<ref>{{Cite web |url=https://www.eetimes.com/intels-embedded-dram-new-era-of-cache-memory/ |title=Intel’s Embedded DRAM: New Era of Cache Memory |access-date=2021-07-24 |archive-date=2021-07-24 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210724004731/https://www.eetimes.com/intels-embedded-dram-new-era-of-cache-memory/ |deadlink=no }}</ref>, что и основной [[ASIC]] или [[Микропроцессор|процессор]], в отличие от памяти [[SRAM (память)|SRAM]] на основе [[транзистор]]ов, обычно используемой для [[кэш]]ей и от внешних модулей DRAM. |
||
Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство. |
Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство. |
||
eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет |
eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как {{iw|1T-SRAM}}. |
||
eDRAM используется в процессорах [[POWER7]] |
eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с [[POWER7]]<ref name="Realworldtech">{{cite web |
||
| |
|title = Hot Chips XXI Preview |
||
| |
|publisher = [http://www.realworldtech.com/ Real World Technologies] |
||
| |
|url = https://www.realworldtech.com/hot-chips-2009-preview/2/ |
||
| |
|accessdate = 2021-07-23 |
||
|date = 2009-08-12 |
|||
| archiveurl = http://www.webcitation.org/67BrHp6qe |
|||
| |
|archive-date = 2012-02-27 |
||
|archive-url = https://web.archive.org/web/20120227011739/http://realworldtech.com/page.cfm?ArticleID=RWT081209143650&p=2 |
|||
| ⚫ | |||
|deadlink = no |
|||
| ⚫ | }}</ref>) и во множестве [[Игровая приставка|игровых приставок]], включая [[PlayStation 2]] (4мб), [[PlayStation Portable]], [[Nintendo GameCube]], [[Wii]], [[Wii U]], [[Xbox 360]] (10Мб), Xbox One и One S (32Мб), [[Zune HD]], [[iPhone]]. А также в некоторых мобильных моделях процессоров компании [[Intel]] с архитектурой [[Haswell]]<ref>{{cite web |
||
|url = https://www.anandtech.com/show/6892/haswell-gt3e-pictured-coming-to-desktops-rsku-notebooks |
|||
|title = Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks |
|||
|publisher = [[AnandTech]] |
|||
|access-date = 2021-07-24 |
|||
|date = 2013-04-10 |
|||
|archive-date = 2016-11-05 |
|||
|archive-url = https://web.archive.org/web/20161105074626/http://www.anandtech.com/show/6892/haswell-gt3e-pictured-coming-to-desktops-rsku-notebooks |
|||
|deadlink = no |
|||
}}</ref> и десктопных [[Broadwell]] Intel Core 5-го поколения. |
|||
== Примечания == |
== Примечания == |
||
| Строка 20: | Строка 31: | ||
== Ссылки == |
== Ссылки == |
||
* [http://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf An Embedded DRAM for CMOS ASICs] |
* [http://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf An Embedded DRAM for CMOS ASICs]{{ref-en}} |
||
* [http://www.eetimes.com/story/OEG20030414S0040 Day dawns for eDRAM] |
* [https://web.archive.org/web/20070926220742/http://www.eetimes.com/story/OEG20030414S0040 Day dawns for eDRAM]{{ref-en}} |
||
* [http://www.necelam.com/edram90/ Embedded DRAM] |
* [https://web.archive.org/web/20090106052004/http://www.necelam.com/edram90/ Embedded DRAM]{{ref-en}} |
||
* [http://www.findarticles.com/p/articles/mi_qa3751/is_200501/ai_n9521086 Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use] |
* [http://www.findarticles.com/p/articles/mi_qa3751/is_200501/ai_n9521086 Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use]{{ref-en}} |
||
* [ |
* [https://arstechnica.com/news.ars/post/20070214-8842.html eDRAM: IBM’s new solution for CPU cache]{{ref-en}} |
||
| ⚫ | |||
* [https://ark.intel.com/content/www/ru/ru/ark/products/87718/intel-core-i7-5775r-processor-6m-cache-up-to-3-80-ghz.html Intel® Core™ i7-5775R] |
|||
| ⚫ | |||
{{нет сносок|дата=2014-08-14}} |
|||
{{DRAM}} |
|||
[[Категория:Оперативная память]] |
[[Категория:Оперативная память]] |
||
[[Категория:DRAM]] |
|||
Текущая версия от 07:44, 24 февраля 2024
eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую систему[англ.][1], что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.
Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.
eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM[англ.].
eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с POWER7[2]) и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2 (4мб), PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Wii U, Xbox 360 (10Мб), Xbox One и One S (32Мб), Zune HD, iPhone. А также в некоторых мобильных моделях процессоров компании Intel с архитектурой Haswell[3] и десктопных Broadwell Intel Core 5-го поколения.
Примечания
[править | править код]- ↑ Intel’s Embedded DRAM: New Era of Cache Memory. Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 24 июля 2021 года.
- ↑ Hot Chips XXI Preview. Real World Technologies (12 августа 2009). Дата обращения: 23 июля 2021. Архивировано 27 февраля 2012 года.
- ↑ Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks. AnandTech (10 апреля 2013). Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 5 ноября 2016 года.
Ссылки
[править | править код]- An Embedded DRAM for CMOS ASICs (англ.)
- Day dawns for eDRAM (англ.)
- Embedded DRAM (англ.)
- Logic-based eDRAM: Origins and rationale for use (англ.)
- eDRAM: IBM’s new solution for CPU cache (англ.)
- IBM eDram // EETimes (англ.)
- Intel® Core™ i7-5775R
