Мемристор: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
м орфография
 
(не показано 13 промежуточных версий 9 участников)
Строка 1: Строка 1:
[[Файл:Memristor-Symbol.svg|100px|thumb|Обозначение мемристора]]
[[Файл:Memristor-Symbol.svg|thumb|99px|Обозначение мемристора на электрических принципиальных схемах]]
[[Файл:Two-terminal non-linear circuit elements-ru.svg|thumb|Соотношения между четырьмя фундаментальными электрическими переменными и двухполюсниками, связывающими эти переменные]]
'''Мемри́стор''' (от {{lang-en|memory}} — память, и {{lang-en|resistor}} — электрическое сопротивление) — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда (интеграла тока за время работы).
[[Файл:Memristor-ru.svg|thumb|Схема устройства мемристора]]
'''Мемри́стор''' (от {{lang-en|memory}} — память, и {{lang-en|resistor}} — электрическое сопротивление) — пассивный электрический элемент, [[двухполюсник]] в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него [[Электрический заряд|электрического заряда]] (интеграла тока по времени).


Может быть описан как [[двухполюсник]] с нелинейной [[вольт-амперная характеристика|вольт-амперной характеристикой]], обладающей [[гистерезис]]ом.<ref name="DiVentraPershin2011">
Может быть описан как двухполюсник с нелинейной [[вольт-амперная характеристика|вольт-амперной характеристикой]], обладающей [[гистерезис]]ом<ref name="DiVentraPershin2011">
{{citation
{{citation
|last=Pershin |first=Y. V.
|last=Pershin |first=Y. V.
Строка 13: Строка 15:
|bibcode=2011AdPhy..60..145P
|bibcode=2011AdPhy..60..145P
|doi=10.1080/00018732.2010.544961
|doi=10.1080/00018732.2010.544961
}}</ref>
}}</ref>.


== Математическая модель ==
== Математическая модель ==
[[Файл:Memristor VAC.svg|thumb|300px|Вольт-амперные характеристики образца мемристора снятые при трёх разных частотах приложенного напряжения]]
Теория мемристора была разработана в [[1971 год в науке|1971 году]] профессором {{нп3|Чуа Сяутонг, Леон Онг|Леоном Чуа||Leon O. Chua}} (Цай Шаотаном в китайской транскрипции)<ref>Chua, Leon O, «[http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf Memristor—The Missing Circuit Element]», IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507—519.<!-- cited by 2000--></ref>. В ней устанавливаются отношения между интегралами по времени [[электрический ток|силы тока]], протекающего через элемент, и [[Электрическое напряжение|напряжением]] на нём. Долгое время мемристор считался теоретическим объектом, который нельзя построить.
Теория мемристора была разработана в [[1971 год в науке|1971 году]] профессором {{нп3|Чуа Сяутонг, Леон Онг|Леоном Чуа||Leon O. Chua}} (Цай Шаотаном в китайской транскрипции<ref>''Chua, Leon O,'' «[http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf Memristor—The Missing Circuit Element] {{Wayback|url=http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf |date=20131213192149 }}», IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507—519.<!-- cited by 2000--></ref>). В ней устанавливаются отношения между интегралами по времени [[электрический ток|силы тока]], протекающего через элемент, и [[Электрическое напряжение|напряжением]] на нём. Долгое время мемристор считался теоретическим объектом, который нельзя построить{{Нет АИ|4|2|2021}}.


Однако лабораторный образец запоминающего элемента, демонстрирующего некоторые свойства мемристора<ref>«The Missing Memristor: Novel Nanotechnology or rather new Case Study for the Philosophy and Sociology of Science?» by Sascha Vongehr, Advanced Science Letters 17, pp. 285—290 (2012), [http://arxiv.org/abs/1205.6129 arXiv:1205.6129]</ref><ref name=kiwi-was-not.2014-12>Бёрд Киви, [http://www.3dnews.ru/906763 Мемристоры: пора ли переписывать учебники?] // 3DNews, 18 декабря 2014: "А было ли открытие? .. следует отметить существенные различия между тем мемристором, который был теоретически предсказан Леоном Чуа в 1971 году и тем устройством .. наноконструкция, обнаруженная в HP, фактически представляет собой аналоговое запоминающее устройство, которое вообще не требует для своей работы эффектов магнетизма.</ref>, был создан в [[2008 год в науке|2008 году]] коллективом учёных во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы [[Hewlett-Packard]]<ref>{{cite news|url=http://www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/2008/080430a.html|title=HP Labs Proves Existence of New Basic Element for Electronic Circuits. “Memristor” discovery could lead to far more energy-efficient computing systems with memories that don’t forget, never need to be booted up|date=April 30, 2008|work=press-release|publisher=HP|lang=en|accessdate=2015-01-09}}</ref><ref>Strukov, Dmitri B., et al. «[http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee129/fa08/handouts/TheMissingMemristorFound.pdf The missing memristor found].» // Nature 453.7191 (2008): 80-83. [[doi:10.1038/nature06932]]</ref><ref>[http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?10/44/09 Четвертый элемент: специалисты HP воплотили в жизнь технологию памяти, придуманную 37 лет назад] {{Wayback|url=http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?10%2F44%2F09 |date=20090226031009 }} // IXBT, 05 Мая, 2008</ref><ref>{{cite news|url=http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/the-mysterious-memristor|title=The Mysterious Memristor. Researchers at HP have solved the 37-year mystery of the memory resistor, the missing 4th circuit element.|author=Sally Adee|date=1 May 2008|publisher=IEEE Spectrum|lang=en|accessdate=2015-01-09}}</ref>.
Однако лабораторный образец запоминающего элемента, демонстрирующего некоторые свойства мемристора<ref>«The Missing Memristor: Novel Nanotechnology or rather new Case Study for the Philosophy and Sociology of Science?» by Sascha Vongehr, Advanced Science Letters 17, pp. 285—290 (2012), [http://arxiv.org/abs/1205.6129 arXiv:1205.6129] {{Wayback|url=http://arxiv.org/abs/1205.6129 |date=20160826113514 }}</ref><ref name=kiwi-was-not.2014-12>''Бёрд Киви,'' [http://www.3dnews.ru/906763 Мемристоры: пора ли переписывать учебники?] {{Wayback|url=http://www.3dnews.ru/906763 |date=20150109070558 }} // 3DNews, 18 декабря 2014: "А было ли открытие? следует отметить существенные различия между тем мемристором, который был теоретически предсказан Леоном Чуа в 1971 году и тем устройством наноконструкция, обнаруженная в HP, фактически представляет собой аналоговое запоминающее устройство, которое вообще не требует для своей работы эффектов магнетизма.</ref>, был создан в [[2008 год в науке|2008 году]] коллективом учёных во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы [[Hewlett-Packard]]<ref>{{cite news|url=http://www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/2008/080430a.html|title=HP Labs Proves Existence of New Basic Element for Electronic Circuits. “Memristor” discovery could lead to far more energy-efficient computing systems with memories that don’t forget, never need to be booted up|date=2008-04-30|work=press-release|publisher=HP|lang=en|accessdate=2015-01-09|archivedate=2015-01-11|archiveurl=https://web.archive.org/web/20150111155234/http://www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/2008/080430a.html}}</ref><ref>Strukov, Dmitri B., et al. «[http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee129/fa08/handouts/TheMissingMemristorFound.pdf The missing memristor found] {{Wayback|url=http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee129/fa08/handouts/TheMissingMemristorFound.pdf |date=20150109042142 }}.» // Nature 453.7191 (2008): 80-83. [[doi:10.1038/nature06932]]</ref><ref>[http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?10/44/09 Четвертый элемент: специалисты HP воплотили в жизнь технологию памяти, придуманную 37 лет назад] {{Wayback|url=http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?10%2F44%2F09 |date=20090226031009 }} // IXBT, 05 Мая, 2008</ref><ref>{{cite news|url=http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/the-mysterious-memristor|title=The Mysterious Memristor. Researchers at HP have solved the 37-year mystery of the memory resistor, the missing 4th circuit element.|author=Sally Adee|date=2008-05-01|publisher=IEEE Spectrum|lang=en|accessdate=2015-01-09|archivedate=2015-01-09|archiveurl=https://web.archive.org/web/20150109051122/http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/the-mysterious-memristor}}</ref>.


В отличие от теоретической модели, полученное устройство не накапливает заряд, подобно [[конденсатор]]у, и не поддерживает магнитный поток, как [[катушка индуктивности]]. Работа устройства (изменение его сопротивления — резистивное переключение, — и других свойств<ref name=kiwi-was-not.2014-12/>) обеспечивается за счёт химических превращений в тонкой (5 [[нм]]) двухслойной плёнке [[Оксид титана (IV)|диоксида титана]]. Один из слоев плёнки слегка обеднен [[кислород]]ом, и кислородные [[Вакансия (физика)|вакансии]] мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству [[Электрическое напряжение|электрического напряжения]]. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу [[Наноионика|наноионных устройств]].
В отличие от теоретической модели, полученное устройство не накапливает заряд, подобно [[конденсатор]]у, и не сохраняет [[Магнитное поле|магнитный поток]], как [[катушка индуктивности]]. Работа устройства (изменение его сопротивления — резистивное переключение, — и других свойств<ref name=kiwi-was-not.2014-12/>) обеспечивается за счёт химических превращений в тонкой (5 [[нм]]) двухслойной плёнке [[Оксид титана (IV)|диоксида титана]]. Один из слоев плёнки слегка обеднен [[кислород]]ом, и кислородные [[Вакансия (физика)|вакансии]] мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству [[Электрическое напряжение|электрического напряжения]]. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу [[Наноионика|наноионных устройств]].


Наблюдающееся в мемристоре явление [[гистерезис]]а позволяет использовать его в качестве [[Компьютерная память|ячейки памяти]] ([[RRAM]]). Гипотетически мемристоры смогут заменить [[транзистор]]ы в части случаев.
Наблюдающееся в мемристоре явление [[гистерезис]]а позволяет использовать его в качестве [[Компьютерная память|ячейки памяти]] ([[RRAM]]). Гипотетически мемристоры смогут заменить [[транзистор]]ы в некоторых частных применениях.


Теоретически мемристорные запоминающие элементы могут быть более плотными и быстрыми, чем современная [[флеш-память]]. Также блоки из них могут заменить [[ОЗУ]]. Умение мемристоров «запоминать» заряд может позволить впоследствии отказаться от загрузки системы компьютера: в памяти компьютера, отключённого от питания, будет храниться его последнее состояние. При поддержке со стороны программного обеспечения компьютер можно будет включить и начать работу с того места, на котором она была остановлена при выключении.
Теоретически мемристорные запоминающие элементы могут быть более компактными и быстрыми, чем современная [[флеш-память]]. Также блоки из них могут заменить [[ОЗУ]]. Особенность мемристоров «запоминать» заряд может позволить впоследствии отказаться от загрузки системы компьютера: в памяти компьютера, отключённого от питания, будет храниться его последнее состояние. При поддержке со стороны программного обеспечения компьютер можно будет включить и начать работу с того места, на котором она была остановлена при выключении.


По заявлениям [[Hynix]] и [[Hewlett-Packard]], технология готова к производству. Изначально сообщалось, что накопители на базе мемристоров выйдут в 2013 году<ref>[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1260374 HP, Hynix to launch memristor memory 2013] // EETimes,
По заявлениям [[Hynix]] и [[Hewlett-Packard]], технология готова к производству. Изначально сообщалось, что накопители на базе мемристоров выйдут в 2013 году<ref>[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1260374 HP, Hynix to launch memristor memory 2013] {{Wayback|url=http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1260374 |date=20150108085901 }} // EETimes,
Peter Clarke, 2011-10-06</ref>, но затем выпуск был перенесён на 2014 год.<ref>[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/15/46 Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти] {{Wayback|url=http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16%2F15%2F46 |date=20170518123341 }} // IXBT, 28 Сентября, 2012</ref><ref>[http://www.zdnet.com/memristors-one-year-delay-will-hit-it-in-the-wallet-7000000586/ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet] // ZDNet, July 10, 2012</ref>
Peter Clarke, 2011-10-06</ref>, но затем выпуск был перенесён на 2014 год<ref>[http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/15/46 Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти] {{Wayback|url=http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16%2F15%2F46 |date=20170518123341 }} // IXBT, 28 Сентября, 2012</ref><ref>[http://www.zdnet.com/memristors-one-year-delay-will-hit-it-in-the-wallet-7000000586/ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet] {{Wayback|url=http://www.zdnet.com/memristors-one-year-delay-will-hit-it-in-the-wallet-7000000586/ |date=20121003202302 }} // ZDNet, July 10, 2012</ref>.


В 2014 году HP опубликовала проект суперкомпьютера [[The Machine]], в котором планируется использовать волоконно-оптические линии связи и память на базе мемристоров<ref name="hp-themachine-2014-06-11-ars">{{cite news|url=http://arstechnica.com/information-technology/2014/06/hp-plans-to-launch-memristor-silicon-photonic-computer-within-the-decade/|title=HP plans to launch memristor, silicon photonic computer within the decade Electrons, photons, and ions will work together to revolutionize computing.|author=Peter Bright|date=Jun 11, 2014 |publisher=arstechnica|lang=en|accessdate=2015-01-09}}</ref>. Рабочий прототип устройства продемонстрирован в конце 2016 года, коммерциализация технологии ожидалась к 2018 или 2019 году.<ref>{{Cite news|title=HP представила прототип суперкомпьютера, который в 8000 раз быстрее существующих ПК|url=https://tproger.ru/news/hp-the-machine/|work=Типичный программист|accessdate=2016-12-06}}
В 2014 году HP опубликовала проект [[суперкомпьютер]]а The Machine, в котором планируется использовать [[Волоконно-оптическая линия передачи|волоконно-оптические линии]] связи и память на базе мемристоров<ref name="hp-themachine-2014-06-11-ars">{{cite news|url=http://arstechnica.com/information-technology/2014/06/hp-plans-to-launch-memristor-silicon-photonic-computer-within-the-decade/|title=HP plans to launch memristor, silicon photonic computer within the decade Electrons, photons, and ions will work together to revolutionize computing.|author=Peter Bright|date=2014-06-11|publisher=arstechnica|lang=en|accessdate=2015-01-09|archivedate=2015-01-10|archiveurl=https://web.archive.org/web/20150110211641/http://arstechnica.com/information-technology/2014/06/hp-plans-to-launch-memristor-silicon-photonic-computer-within-the-decade/}}</ref>. Рабочий прототип устройства продемонстрирован в конце 2016 года, коммерциализация технологии ожидалась к 2018 или 2019 году<ref>{{Cite news|title=HP представила прототип суперкомпьютера, который в 8000 раз быстрее существующих ПК|url=https://tproger.ru/news/hp-the-machine/|work=Типичный программист|accessdate=2016-12-06|archivedate=2016-12-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161220081054/https://tproger.ru/news/hp-the-machine/}}</ref>. До сих пор ведутся работы по этому направлению.
</ref> Работы по этому направлению до сих пор ведутся.


== Перспективы применения в качестве вычислительных устройств ==
== Перспективы применения в качестве вычислительных устройств ==
Мемристоры могут быть использованы не только для хранения данных. Так, М. Ди Вентра и Ю. В. Першиным была предложена концепция вычислительных машин, в которых хранение и обработка информации осуществляется одним и тем же физическим устройством, основанным на мемристорах<ref name=memputer13arx>[http://arxiv.org/abs/1211.4487 M. Di Ventra, Y. V. Pershin. Memcomputing: a computing paradigm to store and process information on the same physical platform] // Nature Physics 9, 200—202, 2013; [http://arxiv.org/abs/1304.1675 arXiv:1304.1675]{{ref-en}}</ref><ref>{{cite news|url=http://www.technologyreview.com/view/507721/the-computer-that-stores-and-processes-information-at-the-same-time/|title=The Computer That Stores and Processes Information At the Same Time|quote=Emerging Technology From the arXiv|date=November 21, 2012|publisher=MIT Technology review|lang=en|accessdate=2015-01-09}}</ref>.
Мемристоры могут быть использованы не только для хранения данных. Так, М. Ди Вентра и Ю. В. Першиным была предложена концепция вычислительных машин, в которых хранение и обработка информации осуществляется одним и тем же физическим устройством, основанным на мемристорах<ref name=memputer13arx>[http://arxiv.org/abs/1211.4487 M. Di Ventra, Y. V. Pershin. Memcomputing: a computing paradigm to store and process information on the same physical platform] {{Wayback|url=http://arxiv.org/abs/1211.4487 |date=20151223134209 }} // Nature Physics 9, 200—202, 2013; [http://arxiv.org/abs/1304.1675 arXiv:1304.1675] {{Wayback|url=http://arxiv.org/abs/1304.1675 |date=20210225100655 }}{{ref-en}}</ref><ref>{{cite news|url=http://www.technologyreview.com/view/507721/the-computer-that-stores-and-processes-information-at-the-same-time/|title=The Computer That Stores and Processes Information At the Same Time|quote=Emerging Technology From the arXiv|date=2012-11-21|publisher=MIT Technology review|lang=en|accessdate=2015-01-09|archivedate=2015-01-09|archiveurl=https://web.archive.org/web/20150109042058/http://www.technologyreview.com/view/507721/the-computer-that-stores-and-processes-information-at-the-same-time/}}</ref>.


Рассматривается возможность применения мемристоров в качестве искусственных синапсов (весовых модулей) нейропроцессоров и [[Искусственная нейронная сеть|искусственных нейросетей]]. Поведение мемристора напомининает работу биологического [[синапс]]а — чем интенсивнее входной сигнал, тем выше пропускная способность синапса («вес» сигнала). В частности, нейросети на основе мемристоров могут обучаться по биоподобным локальным правилам, таким как {{iw|STDP|STDP|en|STDP}}<ref>[https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fnins.2013.00002/full]</ref>. Данное решение позволит сильно упростить конструкцию [[Искусственная нейронная сеть|нейропроцессора]] и уменьшить его стоимость, так как хорошо воспроизводится на уже имеющихся технологических линиях по производству микрочипов. Однако на 2020 год остается не решенной основная проблема мемристивных устройств — их воспроизводимость (как от устройства к устройству, так и от цикла к циклу резистивного переключения).
Рассматривается возможность применения мемристоров в качестве искусственных синапсов (весовых модулей) нейропроцессоров и [[Искусственная нейронная сеть|искусственных нейросетей]]. Поведение мемристора напоминает работу биологического [[синапс]]а — чем интенсивнее входной сигнал, тем выше пропускная способность синапса («вес» сигнала). В частности, нейросети на основе мемристоров могут обучаться по биоподобным локальным правилам, таким как {{iw|STDP|STDP|en|STDP}}<ref>{{Статья|ссылка=https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fnins.2013.00002/full|автор=Teresa Serrano-Gotarredona, Timothée Masquelier, Themistoklis Prodromakis, Giacomo Indiveri, Bernabe Linares-Barranco|заглавие=STDP and STDP variations with memristors for spiking neuromorphic learning systems|год=2013|язык=English|издание=Frontiers in Neuroscience|том=7|issn=1662-453X|doi=10.3389/fnins.2013.00002|archivedate=2020-11-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20201128194052/https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fnins.2013.00002/full}}</ref>. Это решение позволит сильно упростить конструкцию [[Искусственная нейронная сеть|нейропроцессора]] и уменьшить его стоимость, так как хорошо приспособлен для производства на уже имеющихся технологических линиях по производству микросхем. Однако, (2021 год) остается нерешённой основная проблема мемристорных устройств — их воспроизводимость (как от экземпляра к экземпляру, так и от цикла к циклу переключения состояния).


== См. также ==
== См. также ==
Строка 50: Строка 52:


== Литература ==
== Литература ==
* Chua, Leon O, «[http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf Memristor—The Missing Circuit Element]», IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507—519. [[doi:10.1109/TCT.1971.1083337]]<!-- cited by 2000-->
* ''Chua, Leon O.'' «[http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf Memristor—The Missing Circuit Element]», IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507—519. [[doi:10.1109/TCT.1971.1083337]]<!-- cited by 2000-->
* Strukov, Dmitri B., et al. «[http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee129/fa08/handouts/TheMissingMemristorFound.pdf The missing memristor found].» // Nature 453.7191 (2008): 80-83. [[doi:10.1038/nature06932]]<!-- cited by 2,7k-->
* ''Strukov, Dmitri B., et al.'' «[http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee129/fa08/handouts/TheMissingMemristorFound.pdf The missing memristor found].» // Nature 453.7191 (2008): 80-83. [[doi:10.1038/nature06932]]<!-- cited by 2,7k-->
* [http://engineering-science.ru/doc/409216.html ''Храповицкая Ю. В., Маслова Н. Е., Занавескин М. Л., Марченков А. Н.'' Моделирование частотных и мощностных характеристик мемристора на основе оксида титана.]


== Ссылки ==
== Ссылки ==
* Олег Нечай, [https://web.archive.org/web/20120805122407/http://www.computerra.ru/vision/591537/ Мемристор: «недостающий элемент»] // Компьютерра-Онлайн, 3 февраля 2011 года
* ''Олег Нечай'' [https://web.archive.org/web/20120805122407/http://www.computerra.ru/vision/591537/ Мемристор: «недостающий элемент»] // Компьютерра-Онлайн, 3 февраля 2011 года
* Бёрд Киви, [http://www.3dnews.ru/906763 Мемристоры: пора ли переписывать учебники?] // 3DNews, 18 декабря 2014
* Бёрд Киви, [http://www.3dnews.ru/906763 Мемристоры: пора ли переписывать учебники?] // 3DNews, 18 декабря 2014
* [http://memlinks.eu MEMLINKS] // Ссылки на научные работы о мемристорах
* [http://memlinks.eu MEMLINKS] // Ссылки на научные работы о мемристорах

{{электронные компоненты}}
{{электронные компоненты}}


[[Категория:Пассивные компоненты]]
[[Категория:Резисторы]]
[[Категория:Нанотехнология]]
[[Категория:Нанотехнология]]

Текущая версия от 08:07, 14 марта 2024

Обозначение мемристора на электрических принципиальных схемах
Соотношения между четырьмя фундаментальными электрическими переменными и двухполюсниками, связывающими эти переменные
Схема устройства мемристора

Мемри́стор (от англ. memory — память, и англ. resistor — электрическое сопротивление) — пассивный электрический элемент, двухполюсник в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда (интеграла тока по времени).

Может быть описан как двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, обладающей гистерезисом[1].

Математическая модель

[править | править код]
Вольт-амперные характеристики образца мемристора снятые при трёх разных частотах приложенного напряжения

Теория мемристора была разработана в 1971 году профессором Леоном Чуа[англ.] (Цай Шаотаном в китайской транскрипции[2]). В ней устанавливаются отношения между интегралами по времени силы тока, протекающего через элемент, и напряжением на нём. Долгое время мемристор считался теоретическим объектом, который нельзя построить[источник не указан 1406 дней].

Однако лабораторный образец запоминающего элемента, демонстрирующего некоторые свойства мемристора[3][4], был создан в 2008 году коллективом учёных во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы Hewlett-Packard[5][6][7][8].

В отличие от теоретической модели, полученное устройство не накапливает заряд, подобно конденсатору, и не сохраняет магнитный поток, как катушка индуктивности. Работа устройства (изменение его сопротивления — резистивное переключение, — и других свойств[4]) обеспечивается за счёт химических превращений в тонкой (5 нм) двухслойной плёнке диоксида титана. Один из слоев плёнки слегка обеднен кислородом, и кислородные вакансии мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу наноионных устройств.

Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти (RRAM). Гипотетически мемристоры смогут заменить транзисторы в некоторых частных применениях.

Теоретически мемристорные запоминающие элементы могут быть более компактными и быстрыми, чем современная флеш-память. Также блоки из них могут заменить ОЗУ. Особенность мемристоров «запоминать» заряд может позволить впоследствии отказаться от загрузки системы компьютера: в памяти компьютера, отключённого от питания, будет храниться его последнее состояние. При поддержке со стороны программного обеспечения компьютер можно будет включить и начать работу с того места, на котором она была остановлена при выключении.

По заявлениям Hynix и Hewlett-Packard, технология готова к производству. Изначально сообщалось, что накопители на базе мемристоров выйдут в 2013 году[9], но затем выпуск был перенесён на 2014 год[10][11].

В 2014 году HP опубликовала проект суперкомпьютера The Machine, в котором планируется использовать волоконно-оптические линии связи и память на базе мемристоров[12]. Рабочий прототип устройства продемонстрирован в конце 2016 года, коммерциализация технологии ожидалась к 2018 или 2019 году[13]. До сих пор ведутся работы по этому направлению.

Перспективы применения в качестве вычислительных устройств

[править | править код]

Мемристоры могут быть использованы не только для хранения данных. Так, М. Ди Вентра и Ю. В. Першиным была предложена концепция вычислительных машин, в которых хранение и обработка информации осуществляется одним и тем же физическим устройством, основанным на мемристорах[14][15].

Рассматривается возможность применения мемристоров в качестве искусственных синапсов (весовых модулей) нейропроцессоров и искусственных нейросетей. Поведение мемристора напоминает работу биологического синапса — чем интенсивнее входной сигнал, тем выше пропускная способность синапса («вес» сигнала). В частности, нейросети на основе мемристоров могут обучаться по биоподобным локальным правилам, таким как STDP[англ.][16]. Это решение позволит сильно упростить конструкцию нейропроцессора и уменьшить его стоимость, так как хорошо приспособлен для производства на уже имеющихся технологических линиях по производству микросхем. Однако, (2021 год) остается нерешённой основная проблема мемристорных устройств — их воспроизводимость (как от экземпляра к экземпляру, так и от цикла к циклу переключения состояния).

Примечания

[править | править код]
  1. Pershin, Y. V.; Di Ventra, M. (2011), "Memory effects in complex materials and nanoscale systems", Advances in Physics, 60 (2): 145, arXiv:1011.3053, Bibcode:2011AdPhy..60..145P, doi:10.1080/00018732.2010.544961
  2. Chua, Leon O, «Memristor—The Missing Circuit Element Архивная копия от 13 декабря 2013 на Wayback Machine», IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507—519.
  3. «The Missing Memristor: Novel Nanotechnology or rather new Case Study for the Philosophy and Sociology of Science?» by Sascha Vongehr, Advanced Science Letters 17, pp. 285—290 (2012), arXiv:1205.6129 Архивная копия от 26 августа 2016 на Wayback Machine
  4. 1 2 Бёрд Киви, Мемристоры: пора ли переписывать учебники? Архивная копия от 9 января 2015 на Wayback Machine // 3DNews, 18 декабря 2014: "А было ли открытие? … следует отметить существенные различия между тем мемристором, который был теоретически предсказан Леоном Чуа в 1971 году и тем устройством … наноконструкция, обнаруженная в HP, фактически представляет собой аналоговое запоминающее устройство, которое вообще не требует для своей работы эффектов магнетизма.
  5. "HP Labs Proves Existence of New Basic Element for Electronic Circuits. "Memristor" discovery could lead to far more energy-efficient computing systems with memories that don't forget, never need to be booted up". press-release (англ.). HP. 2008-04-30. Архивировано 11 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.
  6. Strukov, Dmitri B., et al. «The missing memristor found Архивная копия от 9 января 2015 на Wayback Machine.» // Nature 453.7191 (2008): 80-83. doi:10.1038/nature06932
  7. Четвертый элемент: специалисты HP воплотили в жизнь технологию памяти, придуманную 37 лет назад Архивная копия от 26 февраля 2009 на Wayback Machine // IXBT, 05 Мая, 2008
  8. Sally Adee (2008-05-01). "The Mysterious Memristor. Researchers at HP have solved the 37-year mystery of the memory resistor, the missing 4th circuit element" (англ.). IEEE Spectrum. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.
  9. HP, Hynix to launch memristor memory 2013 Архивная копия от 8 января 2015 на Wayback Machine // EETimes, Peter Clarke, 2011-10-06
  10. Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти Архивная копия от 18 мая 2017 на Wayback Machine // IXBT, 28 Сентября, 2012
  11. Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet Архивная копия от 3 октября 2012 на Wayback Machine // ZDNet, July 10, 2012
  12. Peter Bright (2014-06-11). "HP plans to launch memristor, silicon photonic computer within the decade Electrons, photons, and ions will work together to revolutionize computing" (англ.). arstechnica. Архивировано 10 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015.
  13. "HP представила прототип суперкомпьютера, который в 8000 раз быстрее существующих ПК". Типичный программист. Архивировано 20 декабря 2016. Дата обращения: 6 декабря 2016.
  14. M. Di Ventra, Y. V. Pershin. Memcomputing: a computing paradigm to store and process information on the same physical platform Архивная копия от 23 декабря 2015 на Wayback Machine // Nature Physics 9, 200—202, 2013; arXiv:1304.1675 Архивная копия от 25 февраля 2021 на Wayback Machine (англ.)
  15. "The Computer That Stores and Processes Information At the Same Time" (англ.). MIT Technology review. 2012-11-21. Архивировано 9 января 2015. Дата обращения: 9 января 2015. Emerging Technology From the arXiv
  16. Teresa Serrano-Gotarredona, Timothée Masquelier, Themistoklis Prodromakis, Giacomo Indiveri, Bernabe Linares-Barranco. STDP and STDP variations with memristors for spiking neuromorphic learning systems (англ.) // Frontiers in Neuroscience. — 2013. — Т. 7. — ISSN 1662-453X. — doi:10.3389/fnins.2013.00002. Архивировано 28 ноября 2020 года.

Литература

[править | править код]