ОЗУ: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки |
м откат правок 83.234.82.170 (обс) к версии Xqbot |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
#redirect [[Оперативная память]] |
|||
'''Оперативное запоминающее устройство''' — [[устройство]], специально предназначеное для хранения [[оперативная память|оперативной памяти]] ЭВМ. В [[ПК]] этот вид устройств обычно представлен специальными микросхемами, размещенными на [[печатная плата|печатной плате]], подключеной к [[материнская плата|материнской плате]]. |
|||
== Физические виды ОЗУ ПК == |
|||
На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ: |
|||
=== SRAM (Static RAM) === |
|||
{{main|SRAM (память)}} |
|||
ОЗУ, собранное на [[триггер]]ах, называется ''статической памятью с произвольным доступом'' или просто ''статической памятью''. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на [[Логический вентиль|вентилях]], а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа [[транзистор]]ов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они [[травление|вытравляются]] миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи. |
|||
=== DRAM (Dynamic RAM) === |
|||
{{main|DRAM}} |
|||
Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда ([[бит]]а или [[трит]]а) используется схема, состоящая из одного [[конденсатор]]а и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени. |
|||
Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах. |
|||
Текущая версия от 10:35, 27 июля 2010
Перенаправление на: