DDR3 SDRAM: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Интерактивная навигация по истории
(Показать все непатрулированные изменения)
[непроверенная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Нет описания правки
Строка 1: Строка 1:
[[Файл:DDR3.jpg|thumb|модуль DIMM c установленными на нём микросхемами памяти DDR3]]
[[Файл:DDR3.jpg|thumb|модуль DIMM c установленными на нём микросхемами памяти DDR3]]
{{DRAM types}}
{{DRAM types}}
'''DDR3 SDRAM''' ({{lang-en|double-data-rate three synchronous dynamic random access memory}} — тройная система подачи звуковых волн на основе пердолинейной симуляции динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип [[оперативная память|оперативной памяти]], используемой в [[ЭВМ|вычислительной технике]] в качестве оперативной и видео- памяти. Пришла на смену памяти типа [[DDR2 SDRAM]].
'''DDR3 SDRAM''' ({{lang-en|double-data-rate three synchronous dynamic random access memory}} — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип [[оперативная память|оперативной памяти]], используемой в [[ЭВМ|вычислительной технике]] в качестве оперативной и видео- памяти. Пришла на смену памяти типа [[DDR2 SDRAM]].


У DDR3 уменьшено на 40 % потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) [[Электрическое напряжение|напряжением питания]] ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) [[техпроцесс]]а при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором ''Dual-gate'' (что способствует снижению токов утечки).
У DDR3 уменьшено на 40 % потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) [[Электрическое напряжение|напряжением питания]] ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) [[техпроцесс]]а при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором ''Dual-gate'' (что способствует снижению токов утечки).

Версия от 18:09, 21 февраля 2010

Файл:DDR3.jpg
модуль DIMM c установленными на нём микросхемами памяти DDR3

Шаблон:DRAM types DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео- памяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 40 % потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость

Модули DIMM с памятью DDR3 механически не совместимы с такими же модулями памяти DDR2 (ключ расположен в другом месте), поэтому DDR2 не могут быть установлены в слоты под DDR3 (это сделано с целью предотвращения ложной установки одних модулей вместо других — эти типы памяти не совпадают по электрическим параметрам). В переходный период производители будут выпускать также материнские платы, которые поддерживают оба типа памяти, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов (обычно они различаются цветами).

Спецификации стандартов

Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Передач данных в секунду Название модуля Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800 100 МГц 10.00 нс 400 МГц 800 млн PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7.50 нс 533 МГц 1066 млн PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6.00 нс 667 МГц 1333 млн PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5.00 нс 800 МГц 1600 млн PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1800 225 МГц 4.44 нс 900 МГц 1800 млн PC3-14400 14400 МБ/с
DDR3-2000 250 МГц 4.00 нс 1000 МГц 2000 млн PC3-16000 16000 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3.75 нс 1066 МГц 2133 млн PC3-17000 17066 МБ/с
DDR3-2200 275 МГц 3.64 нс 1100 МГц 2200 млн PC3-17600 17600 МБ/с
DDR3-2400 300 МГц 3.33 нс 1200 МГц 2400 млн PC3-19200 19200 МБ/с

Возможности

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

  • Предвыборка 8 бит
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки

Преимущества по сравнению с DDR2

  • Более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
  • Сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания)
  • Меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение

Недостатки по сравнению с DDR2

  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

См. также

Ссылки

Источник — https://ru.wikipedia.org/ruwiki/w/index.php?title=DDR3_SDRAM&oldid=22364416