Тестирование полупроводниковых пластин: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
викификация, иллюстрация
Классификация: стилевые правки
Строка 6: Строка 6:
По назначению: параметрические, функциональные.
По назначению: параметрические, функциональные.
* Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов [[Интегральная схема|ИС]], таких как геометрические размеры [[Топология|топологических]] элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов.
* Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов [[Интегральная схема|ИС]], таких как геометрические размеры [[Топология|топологических]] элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов.
* Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности [[Интегральная схема|ИС]] после прохождения всех [[Технологическая операция|технологических операций]]. Конструктивно функциональные тестовые структуры могут быть выполнены в виде [[Транзистор|транзисторов]], [[Кольцевой генератор|кольцевых генераторов]], различных [[Логический элемент|логических элементов]]; позволяют контролировать [[Скорость рекомбинации|скорость рекомбинации]] и [[Время жизни носителей заряда|время жизни носителей заряда]], профиль распределения [[Примесь|примесей]], динамические характеристики [[Прибор|прибора]].
* Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности [[Интегральная схема|ИС]] после прохождения всех [[Технологический процесс в электронной промышленности|технологических операций]]. Конструктивно функциональные тестовые структуры могут быть выполнены в виде [[Транзистор|транзисторов]], [[Кольцевой генератор|кольцевых генераторов]], различных [[Логический элемент|логических элементов]]; позволяют контролировать [[Скорость рекомбинации|скорость рекомбинации]] и [[Время жизни носителей заряда|время жизни носителей заряда]], профиль распределения [[Примесь|примесей]], динамические характеристики [[Прибор|прибора]].


{{elec-stub}}
{{elec-stub}}

Версия от 16:14, 29 мая 2011

Оборудование для тестирования полупроводниковой подложки

Тестовая структура — это гетероструктура, формируемая на полупроводниковой пластине, используемая в процессе тестового контроля микросхем на производстве. Тестовым кристаллом называют совокупность различных тестовых структур, сформированных в определённой области рабочей пластины параллельно с кристаллами производимых микросхем. Тестовые структуры должны иметь определённое сходство с рабочими компонентами интегральных схем (ИС), чтобы объективно отражать их свойства. Все тестовые структуры имеют большое число конструкторских, топологических и схемотехнических исполнений.

Классификация

По назначению: параметрические, функциональные.

  • Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов ИС, таких как геометрические размеры топологических элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов.
  • Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности ИС после прохождения всех технологических операций. Конструктивно функциональные тестовые структуры могут быть выполнены в виде транзисторов, кольцевых генераторов, различных логических элементов; позволяют контролировать скорость рекомбинации и время жизни носителей заряда, профиль распределения примесей, динамические характеристики прибора.