Тестирование полупроводниковых пластин: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
[непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Mixabest (обсуждение | вклад) викификация, иллюстрация |
Mixabest (обсуждение | вклад) →Классификация: стилевые правки |
||
Строка 6: | Строка 6: | ||
По назначению: параметрические, функциональные. |
По назначению: параметрические, функциональные. |
||
* Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов [[Интегральная схема|ИС]], таких как геометрические размеры [[Топология|топологических]] элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов. |
* Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов [[Интегральная схема|ИС]], таких как геометрические размеры [[Топология|топологических]] элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов. |
||
* Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности [[Интегральная схема|ИС]] после прохождения всех [[ |
* Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности [[Интегральная схема|ИС]] после прохождения всех [[Технологический процесс в электронной промышленности|технологических операций]]. Конструктивно функциональные тестовые структуры могут быть выполнены в виде [[Транзистор|транзисторов]], [[Кольцевой генератор|кольцевых генераторов]], различных [[Логический элемент|логических элементов]]; позволяют контролировать [[Скорость рекомбинации|скорость рекомбинации]] и [[Время жизни носителей заряда|время жизни носителей заряда]], профиль распределения [[Примесь|примесей]], динамические характеристики [[Прибор|прибора]]. |
||
{{elec-stub}} |
{{elec-stub}} |
Версия от 16:14, 29 мая 2011
Тестовая структура — это гетероструктура, формируемая на полупроводниковой пластине, используемая в процессе тестового контроля микросхем на производстве. Тестовым кристаллом называют совокупность различных тестовых структур, сформированных в определённой области рабочей пластины параллельно с кристаллами производимых микросхем. Тестовые структуры должны иметь определённое сходство с рабочими компонентами интегральных схем (ИС), чтобы объективно отражать их свойства. Все тестовые структуры имеют большое число конструкторских, топологических и схемотехнических исполнений.
Классификация
По назначению: параметрические, функциональные.
- Параметрические тестовые структуры предназначены для исследования физических параметров компонентов ИС, таких как геометрические размеры топологических элементов, удельное поверхностное сопротивление слоёв, качество металлизации. Конструктивно такие тестовые структуры могут быть выполнены в виде различных поверхностных резисторов, встречно-штыревых линий либо группы контактов.
- Функциональные тестовые структуры предназначены для исследования функциональности или контроля работоспособности ИС после прохождения всех технологических операций. Конструктивно функциональные тестовые структуры могут быть выполнены в виде транзисторов, кольцевых генераторов, различных логических элементов; позволяют контролировать скорость рекомбинации и время жизни носителей заряда, профиль распределения примесей, динамические характеристики прибора.
Это заготовка статьи об электронике. Помогите Википедии, дополнив её. |
Для улучшения этой статьи желательно:
|