EDRAM: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
категория
Нет описания правки
Строка 5: Строка 5:
Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.
Встраивание предусматривает использование более широких [[Шина (компьютер)|шин]] и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.


eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует переодического обновления хранящихся данных, что усложняет ее по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в нее, и тогда чип работает с памятью так же как с SRAM, например такой как [[1T-SRAM]].
eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет ее по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в нее, и тогда чип работает с памятью так же как с SRAM, например такой как [[1T-SRAM]].


eDRAM используется в процессорах [[POWER7]] корпорации IBM<ref name="Realworldtech">{{cite web
eDRAM используется в процессорах [[POWER7]] корпорации IBM<ref name="Realworldtech">{{cite web

Версия от 16:11, 22 сентября 2011

Шаблон:DRAM types eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в тот же самый чип или в ту же самую систему, что и основной ASIC или процессор, в отличие от внешних модулей DRAM и SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет ее по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в нее, и тогда чип работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM.

eDRAM используется в процессорах POWER7 корпорации IBM[1] и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Zune HD, iPhone и Xbox 360.

Примечания

  1. Hot Chips XXI Preview. Real World Technologies. Дата обращения: 17 августа 2009.

Ссылки

Новости

  • IBM eDram — проверено 17 февраля 2007