Квантовая электроника: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м откат правок 212.115.252.143 (обс) к версии MBHbot
Строка 1: Строка 1:
'''Квантовая электроника''' — область [[физика|физики]], изучающая методы усиления и генерации [[Электромагнитное излучение|электромагнитного излучения]], основанные на использовании явления [[Вынужденное излучение|вынужденного излучения]] в [[Неравновесная система|неравновесных]] [[Квантовая система|квантовых системах]], а также свойства получаемых таким образом усилителей и [[Квантовый генератор|генераторов]] и их применения в [[Электронное устройство|электронных приборах]].
*

== Физические основы квантовой электроники ==
В классической [[Электроника (наука)|электронике]] генерация [[Электромагнитное излучение|электромагнитного излучения]] осуществляется за счет [[Кинетическая энергия|кинетической энергии]] свободных [[электрон]]ов, согласованно движущихся в [[Колебательный контур|колебательном контуре]]. В квантовой электронике энергия излучения берется из [[Внутренняя энергия|внутренней энергии]] [[Квантовая система|квантовых систем]] ([[атом]]ов, [[молекула|молекул]], [[ион]]ов), высвобождаемой при излучательных [[квантовый переход|переходах]] между её [[Уровни энергии|уровнями энергии]]. Излучательные переходы бывают трех видов — [[спонтанное излучение]], [[вынужденное излучение]] и [[поглощение света|поглощение]]. При спонтанном излучении возбужденная система самопроизвольно, без внешних воздействий испускает [[фотон]], характеристики которого ([[частота]], [[Поляризация света|поляризация]], направление распространения) никоим образом не связаны с характеристиками [[фотон]]ов, испускаемых другими частицами. Принципиально иная ситуация наблюдается при вынужденном испускании фотона под воздействием внешнего излучения той же частоты. При этом образуется [[фотон]] с точно теми же свойствами, что и у фотонов, вызвавших его появление, то есть формируется [[Когерентность|когерентное]] излучение. Наконец, имеет место процесс поглощения фотонов из внешнего излучения, противоположный вынужденному испусканию.

Обычно поглощение преобладает над вынужденным излучением. Если бы можно было добиться обратной ситуации, в веществе произошло бы усиление исходной внешней (вынуждающей) волны. Рассмотрим переходы между уровнями энергии <math>E_i</math> и <math>E_k</math>, характеризуемые частотой <math>\nu</math>, так что <math>h\nu=E_i-E_k^{}</math> (<math>h</math> — [[постоянная Планка]]). Вероятности переходов определяются через т. наз. [[коэффициенты Эйнштейна]] <math>A</math> и <math>B</math>:
* для спонтанных переходов <math>w_{ik}^{s}=A_{ik}</math>,
* для поглощения <math>w_{ki}=B_{ki}\rho_\nu^{}</math>,
* для вынужденного излучения <math>w_{ik}=B_{ik}\rho_\nu^{}</math> (<math>\rho_\nu^{}</math> — спектральная объемная плотность энергии).
При этом <math>A_{ik}=\frac{8\pi h \nu^3}{c^3}B_{ik}</math>, <math>B_{ki}=B_{ik}=\frac{32 \pi^3}{3} \frac{d_{ik}^2}{h^2}</math> (уровни считаются [[Вырождение (квантовая механика)|невырожденными]]). Изменение плотности энергии [[Электромагнитные волны|электромагнитной волны]] равна разности испускаемой и поглощаемой в вынужденных процессах энергии и пропорциональна разности населенностей уровней:
: <math>(n_i-n_k)h \nu B_{ik} \rho_\nu^{}</math>.
В состоянии термодинамического равновесия населенности подчиняются распределению Больцмана, так что
: <math>n_i= n_k \exp{(-h \nu/ kT)} < n_k^{}</math>,
поэтому энергия поглощается системой и волна ослабляется. Чтобы волна усиливалась, необходимо, чтобы выполнялось условие <math>n_i>n_k^{}</math>, то есть система оказалась в неравновесном состоянии. Такую ситуацию, когда населенность верхнего уровня больше, чем нижнего, называют [[Инверсия населенностей|инверсией населенностей]], или системой с [[Отрицательная абсолютная температура|отрицательной температурой]]. Это состояние системы характеризуется отрицательным значением [[показатель поглощения|показателя поглощения]], то есть происходит усиление электромагнитной волны.

Создать [[Инверсия населенностей|инверсию населенностей]] можно лишь затратив энергию — так называемую энергию [[накачка лазера|накачки]]. Среда с инверсией населенностей называется активной. Таким образом, в активной среде можно получить когерентное усиление излучения. Чтобы превратить [[Усилитель (электроника)|усилитель]] в [[Генератор (электроника)|генератор]], необходимо поместить среду в систему [[Положительная обратная связь|положительной обратной связи]], возвращающей часть излучения назад в среду. Для создания обратной связи используются объемные и открытые [[резонатор]]ы. Наконец, для создания устойчивой генерации необходимо превышение энергии вынужденного излучения над потерями энергии ([[рассеяние света|рассеяние]], нагрев среды, полезное излучение), что приводит к требованию превышения мощности накачки определенного порогового значения.

Надо отметить, что феменологическая теория Эйнштейна была построена для случая, когда излучатель находится в свободном пространстве и который излучает в бесконечное число мод пространства. При размещении излучателя в пространство с ограниченным числом мод коэффициенты Эйнштейна <math>~A_{ik} , B_{ik}</math> меняются, см. статью о [[Пёрселл-фактор]]е

== Из истории квантовой электроники ==

=== Предпосылки ===
Представление о [[Вынужденное излучение|вынужденном излучении]] было введено [[Эйнштейн, Альберт|А. Эйнштейном]] в [[1917 год]]у на основе [[термодинамика|термодинамических]] соображений и было использовано для получения [[Формула Планка|формулы Планка]]. В [[1940 год]]у [[Фабрикант, Валентин Александрович|В. А. Фабрикант]] предложил использовать вынужденное испускание для усиления света, однако в то время эта идея не была оценена. Важным непосредственным предшественником квантовой электроники стала [[радиоспектроскопия]], давшая многие экспериментальные методы для работы с молекулярными и атомными пучками ([[Раби, Исидор Айзек|И. Раби]], [[1937]]) и поставившая задачу создания [[квантовый стандарт частоты|квантовых стандартов частоты и времени]]. Следует отметить также ставшее важным этапом открытие в [[1944 год]]у [[Завойский, Евгений Константинович|Е. К. Завойским]] [[Электронный парамагнитный резонанс|электронного парамагнитного резонанса]].

=== Мазеры ===
{{Основная статья|Мазер}}

Датой рождения квантовой электроники можно считать [[1954 год]]у, когда [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]] и [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоров]] в [[СССР]] и независимо Дж. Гордон (J. Gordon), Х. Цайгер (H. Zeiger) и [[Таунс, Чарльз|Ч. Таунс]] (C. H. Townes) в [[США]] создали первый [[квантовый генератор]] ([[мазер]]) на молекулах [[аммиак]]а. Генерация в нем осуществляется на длине волны 1,25 см, соответствующей переходам между состояниями молекул с [[Зеркальная симметрия|зеркально симметричной]] структурой. [[Инверсия населенностей]] достигается за счет пространственного разделения возбужденных и невозбужденных молекул в сильно неоднородном электрическом поле (см. [[эффект Штарка]]). Отсортированный молекулярный пучок пропускается через [[объемный резонатор]], служащий для осуществления обратной связи. Впоследствии были созданы и другие молекулярные генераторы, например [[водородный мазер|мазер на пучке молекул водорода]]. Современные мазеры позволяют достигать стабильности частоты <math>\Delta\nu/\nu \approx 10^{-11}-10^{-13}</math>, что позволяет создавать [[Атомные часы|сверхточные часы]].

Следующим важным шагом в развитии квантовой электроники стал предложенный в [[1955 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басовым]] и [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоровым]] метод трех уровней, позволивший существенно упростить достижение инверсии и использовать для этой цели [[оптическая накачка лазера|оптическую накачку]]. На этой основе в [[1957]]—[[1958 год]]ах [[Сковил, Генри Эвелин|Г. Э. Д. Сковилом]] (H. E. D. Scovil) и другими были созданы квантовые усилители на парамагнитных кристаллах (например, на [[рубин]]е), работавшие в радиодиапазоне.

=== Лазеры ===
{{Основная статья|Лазер}}

Для продвижения квантовых генераторов в область оптических частот важной оказалась идея [[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохорова]] об использовании [[открытый резонатор|открытых резонаторов]] (системы параллельных зеркал, как в [[резонатор Фабри-Перо|резонаторе Фабри-Перо]]), крайне удобных для осуществления [[Накачка лазера|накачки]]. Первый [[рубиновый лазер|лазер на кристалле рубина]], дававший излучение на длине волны 0,6934 мкм, был создан [[Майман, Теодор|Т. Майманом]] (Th. Maiman) в [[1960 год]]у. Оптическая накачка в нем реализуется при помощи импульсных [[газоразрядная лампа|газоразрядных ламп]]. [[Рубиновый лазер]] был первым твердотельным, также выделяются [[лазеры на неодимовом стекле]] и на [[Nd:YAG-лазер|кристаллах граната с неодимом]] (длина волны 1,06 мкм). [[Твердотельные лазеры]] позволили получить генерацию мощных коротких (<math>~10^{-9}</math> с) и сверхкоротких (<math>~10^{-12}</math> с) импульсов света в схемах [[Модуляция добротности|модуляции добротности]] и [[Синхронизация мод|синхронизации мод резонатора]].

Вскоре [[Джаван, Али|А. Джаван]] (A. Javan) создал первый [[Гелий-неоновый лазер|газовый лазер на смеси атомов гелия и неона]] (длина волны 0,6328 мкм). Накачка в нем осуществляется [[Электронный удар|электронным ударом]] в [[Газовый разряд|газовом разряде]] и резонансной передачей энергии от вспомогательного газа (в данном случае — [[гелий|гелия]]) основному ([[неон]]у). Среди других типов [[газовый лазер|газовых лазеров]] выделяются мощные лазеры на [[углекислый газ|углекислом газе]] (длина волны 10,6 мкм, вспомогательные газы — [[азот]] и [[гелий]]), [[аргоновый лазер|аргоновые лазеры]] (0,4880 и 0,5145 мкм), [[кадмиевый лазер]] (0,4416 и 0,3250 мкм), [[лазер на парах меди]], [[эксимерный лазер|эксимерные лазеры]] (накачка за счет распада молекул в основном состоянии), [[химические лазеры]] (накачка за счет [[Химическая реакция|химических реакций]], например, [[Цепная реакция (химия)|цепной реакции]] соединения [[фтор]]а с [[водород]]ом).

В [[1958 год]]у [[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]], [[Вул, Бенцион Моисеевич|Б. М. Вул]] и [[Попов, Юрий Михайлович|Ю. М. Попов]] заложили основы теории [[Полупроводниковый лазер|полупроводниковых лазеров]], а уже в [[1962 год]]у был создан первый [[инжекционный лазер]] [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким [[КПД]] и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной [[Запрещенная зона|запрещенной зоны]]). Существенным результатом является также создание в [[1968 год]]у [[гетеролазер|лазеров на полупроводниковых гетероструктурах]].

В конце [[1960-е|1960-х]] были разработаны и созданы [[Лазеры на красителях|лазеры на молекулах органических красителей]], обладающие чрезвычайно широкой полосой усиления, что позволяет плавно перестраивать частоту генерации при использовании дисперсионных элементов ([[Призма (оптика)|призмы]], [[дифракционная решетка]]). Набор из нескольких [[краситель|красителей]] позволяет охватить весь оптический диапазон.

== Применения квантовой электроники ==
* [[Мазер]]ы позволили улучшить чувствительность и стабильность работы радиоустройств, что нашло применение в [[радиоастрономия|радиоастрономии]] (открытие [[Реликтовое излучение|реликтового излучения]] и [[Межзвездный газ|межзвездного водорода]]) и [[Космическая связь|космической связи]].
* [[Лазер]]ы позволили достичь [[Напряженность электрического поля|напряженностей электрического поля]], сравнимых с внутриатомными, при которых свойства вещества начинают зависеть от [[Интенсивность света|интенсивности световой волны]]: проявляются эффекты [[нелинейная оптика|нелинейной оптики]]. Они позволяют исследовать вещество и управлять характеристиками светового пучка ([[многофотонные процессы]], явления [[Насыщение|насыщения]] и [[самоиндуцированная прозрачность|резонансного просветления]], [[генерация гармоник]], суммарной и разностной частоты, [[параметрическая генерация света]], явления [[самофокусировка света|самофокусировки]], [[вынужденное рассеяние света]] и т. д.)
* [[Лазер]]ы используются для создания и управления высокотемпературной [[Плазма (агрегатное состояние)|плазмы]], в том числе для целей [[Управляемый термоядерный синтез|термоядерного синтеза]].
* Квантовая электроника привела к существенному повышению разрешения спектроскопических систем ([[лазерная спектроскопия]]).
* [[Монохроматическое излучение|Монохроматичность лазерного излучения]] дает возможность селективного воздействия на вещество, что находит применение в [[фотохимия|фотохимии]] и [[фотобиология|фотобиологии]], лазерной очистке и [[лазерное разделение изотопов|лазерном разделении изотопов]].
* Использование квантовой электроники в [[метрология|метрологии]] для создания [[квантовый стандарт частоты|квантовых стандартов частоты и времени]], [[Лазерный дальномер|лазерных дальномеров]], систем дистанционного химического анализа, [[Лазерная локация|лазерной локации]].
* [[Лазер]]ы широко используются в системах [[оптическая связь|оптической связи]] и [[оптическая обработка информации|обработки информации]], в которых сочетаются принципы [[волоконная оптика|волоконной]] и [[интегральная оптика|интегральной оптики]].
* Высокая степень [[когерентность|когерентности]] лазерных источников позволила осуществить идею [[голография|голографии]] и голографических приборов.
* [[Лазер]]ы находят множество применений в [[медицина|медицине]] ([[хирургия]], [[офтальмология]] и т. д.) и технологии ([[сварка]], резка и т. д.).

== Литература ==
{{викифицировать литературу}}
=== Общие сведения и научно-популярная литература ===
* Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1969.
* ''[[Пекара, Аркадиуш Хенрик|А. Пекара]].'' Новый облик оптики. — М.: Советское радио, 1973.
* ''[[Карлов, Николай Васильевич|Н. В. Карлов]].'' Квантовая электроника. // Физика микромира: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1980. — С. 200—217.
* ''М. Е. Жаботинский.'' [http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1566.html Квантовая электроника.] // Физическая энциклопедия. — Т. 2 — М.: СЭ, 1990. — С. 319—320.

=== Монографии ===
* ''[[Карлов, Николай Васильевич|Н. В. Карлов]], А. А. Маненков.'' Квантовые усилители. — М.: 1966.
* ''[[Бломберген, Николас|Н. Бломберген]].'' Нелинейная оптика. — М.: 1966.
* ''В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. Ф. Золин.'' Квантовые стандарты частоты. — М.: 1968
* ''Р. Пантел, Г. Путхоф.'' Основы квантовой электроники. — М.: Мир, 1972.
* ''Ф. Цернике, Дж. Мидвинтер.'' Прикладная нелинейная оптика. — М.: Мир, 1976.
* ''А. Ярив.'' Квантовая электроника. — М.: Советское радио, 1980.
* ''[[Ахманов, Сергей Александрович|С. А. Ахманов]], [[Коротеев, Николай Иванович (физик)|Н. И. Коротеев]].'' Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. — М.: 1981.
* ''О. Звелто.'' Принципы лазеров. — М.: Мир, 1984.
* ''И. Р. Шен.'' Принципы нелинейной оптики. — М.: 1989.

=== Статьи ===
* {{Статья:УФН-57-3:Молекулярный генератор и усилитель}}
* {{статья|автор=[[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоров]].|заглавие=Квантовая электроника|ссылка=http://www.ufn.ru/ufn65/ufn65_4/Russian/r654b.pdf|издание=[[УФН]]|год=1965|том=85|номер=4|страницы=599—604}}
* {{статья|автор=[[Шавлов, Артур Леонард|А. Шавлов]].|заглавие=Современные оптические квантовые генераторы|ссылка=http://ufn.ru/ufn63/ufn63_12/Russian/r6312d.pdf|издание=[[УФН]]|год=1963|том=81|номер=12}}
* {{статья|автор=[[Басов, Николай Геннадиевич|Н. Г. Басов]].|заглавие=Полупроводниковые квантовые генераторы|ссылка=http://ufn.ru/ufn65/ufn65_4/Russian/r654a.pdf|издание=[[УФН]]|год=1965|том=85|номер=4}}
* {{статья|автор=[[Таунс, Чарльз|Ч. Таунс]].|заглавие=Получение когерентного излучения с помощью атомов и молекул|ссылка=http://ufn.ru/ru/articles/1966/3/d/|издание=[[УФН]]|год=1966|том=88|номер=3}}
* {{статья|автор=[[Таунс, Чарльз|Ч. Таунс]].|заглавие=Квантовая электроника и технический прогресс|ссылка=http://ufn.ru/ufn69/ufn69_5/Russian/r695g.pdf|издание=[[УФН]]|год=1969|том=98|номер=5}}
* {{Статья:УФН-118-4:Лазерное разделение изотопов}}
* {{статья|автор=[[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоров]], [[Карлов, Николай Васильевич|Н. В. Карлов]].|заглавие=Квантовая электроника и Эйнштейновская теория излучения|ссылка=http://ufn.ru/ufn79/ufn79_7/Russian/r797e.pdf|издание=[[УФН]]|год=1979|том=128|номер=3}}
* {{статья|автор=[[Прохоров, Александр Михайлович|А. М. Прохоров]].|заглавие=К 25-летнему юбилею лазера|ссылка=http://ufn.ru/ufn86/ufn86_1/Russian/r861a.pdf|издание=[[УФН]]|год=1986|том=148|номер=1}}
* {{статья|автор=А. А. Маненков.|заглавие=О роли электронного парамагнитного резонанса в становлении и развитии квантовой электроники: факты и комментарии|ссылка=http://ufn.ru/ufn06/ufn06_6/Russian/r066h.pdf|издание=[[УФН]]|год=2006|том=176|номер=6}}

== Ссылки ==
* [http://www.quantum-electron.ru/pa.phtml?page=geninfo Журнал «Квантовая электроника»]
* [http://www.nsu.ru/srd/lls/russian/lls-teach.htm Термины и электронные книги по квантовой электронике]


[[Категория:Лазерная физика]]
[[Категория:Лазерная физика]]

Версия от 15:40, 10 марта 2016

Квантовая электроника — область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитного излучения, основанные на использовании явления вынужденного излучения в неравновесных квантовых системах, а также свойства получаемых таким образом усилителей и генераторов и их применения в электронных приборах.

Физические основы квантовой электроники

В классической электронике генерация электромагнитного излучения осуществляется за счет кинетической энергии свободных электронов, согласованно движущихся в колебательном контуре. В квантовой электронике энергия излучения берется из внутренней энергии квантовых систем (атомов, молекул, ионов), высвобождаемой при излучательных переходах между её уровнями энергии. Излучательные переходы бывают трех видов — спонтанное излучение, вынужденное излучение и поглощение. При спонтанном излучении возбужденная система самопроизвольно, без внешних воздействий испускает фотон, характеристики которого (частота, поляризация, направление распространения) никоим образом не связаны с характеристиками фотонов, испускаемых другими частицами. Принципиально иная ситуация наблюдается при вынужденном испускании фотона под воздействием внешнего излучения той же частоты. При этом образуется фотон с точно теми же свойствами, что и у фотонов, вызвавших его появление, то есть формируется когерентное излучение. Наконец, имеет место процесс поглощения фотонов из внешнего излучения, противоположный вынужденному испусканию.

Обычно поглощение преобладает над вынужденным излучением. Если бы можно было добиться обратной ситуации, в веществе произошло бы усиление исходной внешней (вынуждающей) волны. Рассмотрим переходы между уровнями энергии и , характеризуемые частотой , так что ( — постоянная Планка). Вероятности переходов определяются через т. наз. коэффициенты Эйнштейна и :

  • для спонтанных переходов ,
  • для поглощения ,
  • для вынужденного излучения ( — спектральная объемная плотность энергии).

При этом , (уровни считаются невырожденными). Изменение плотности энергии электромагнитной волны равна разности испускаемой и поглощаемой в вынужденных процессах энергии и пропорциональна разности населенностей уровней:

.

В состоянии термодинамического равновесия населенности подчиняются распределению Больцмана, так что

,

поэтому энергия поглощается системой и волна ослабляется. Чтобы волна усиливалась, необходимо, чтобы выполнялось условие , то есть система оказалась в неравновесном состоянии. Такую ситуацию, когда населенность верхнего уровня больше, чем нижнего, называют инверсией населенностей, или системой с отрицательной температурой. Это состояние системы характеризуется отрицательным значением показателя поглощения, то есть происходит усиление электромагнитной волны.

Создать инверсию населенностей можно лишь затратив энергию — так называемую энергию накачки. Среда с инверсией населенностей называется активной. Таким образом, в активной среде можно получить когерентное усиление излучения. Чтобы превратить усилитель в генератор, необходимо поместить среду в систему положительной обратной связи, возвращающей часть излучения назад в среду. Для создания обратной связи используются объемные и открытые резонаторы. Наконец, для создания устойчивой генерации необходимо превышение энергии вынужденного излучения над потерями энергии (рассеяние, нагрев среды, полезное излучение), что приводит к требованию превышения мощности накачки определенного порогового значения.

Надо отметить, что феменологическая теория Эйнштейна была построена для случая, когда излучатель находится в свободном пространстве и который излучает в бесконечное число мод пространства. При размещении излучателя в пространство с ограниченным числом мод коэффициенты Эйнштейна меняются, см. статью о Пёрселл-факторе

Из истории квантовой электроники

Предпосылки

Представление о вынужденном излучении было введено А. Эйнштейном в 1917 году на основе термодинамических соображений и было использовано для получения формулы Планка. В 1940 году В. А. Фабрикант предложил использовать вынужденное испускание для усиления света, однако в то время эта идея не была оценена. Важным непосредственным предшественником квантовой электроники стала радиоспектроскопия, давшая многие экспериментальные методы для работы с молекулярными и атомными пучками (И. Раби, 1937) и поставившая задачу создания квантовых стандартов частоты и времени. Следует отметить также ставшее важным этапом открытие в 1944 году Е. К. Завойским электронного парамагнитного резонанса.

Мазеры

Датой рождения квантовой электроники можно считать 1954 году, когда Н. Г. Басов и А. М. Прохоров в СССР и независимо Дж. Гордон (J. Gordon), Х. Цайгер (H. Zeiger) и Ч. Таунс (C. H. Townes) в США создали первый квантовый генератор (мазер) на молекулах аммиака. Генерация в нем осуществляется на длине волны 1,25 см, соответствующей переходам между состояниями молекул с зеркально симметричной структурой. Инверсия населенностей достигается за счет пространственного разделения возбужденных и невозбужденных молекул в сильно неоднородном электрическом поле (см. эффект Штарка). Отсортированный молекулярный пучок пропускается через объемный резонатор, служащий для осуществления обратной связи. Впоследствии были созданы и другие молекулярные генераторы, например мазер на пучке молекул водорода. Современные мазеры позволяют достигать стабильности частоты , что позволяет создавать сверхточные часы.

Следующим важным шагом в развитии квантовой электроники стал предложенный в 1955 году Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым метод трех уровней, позволивший существенно упростить достижение инверсии и использовать для этой цели оптическую накачку. На этой основе в 19571958 годах Г. Э. Д. Сковилом (H. E. D. Scovil) и другими были созданы квантовые усилители на парамагнитных кристаллах (например, на рубине), работавшие в радиодиапазоне.

Лазеры

Для продвижения квантовых генераторов в область оптических частот важной оказалась идея А. М. Прохорова об использовании открытых резонаторов (системы параллельных зеркал, как в резонаторе Фабри-Перо), крайне удобных для осуществления накачки. Первый лазер на кристалле рубина, дававший излучение на длине волны 0,6934 мкм, был создан Т. Майманом (Th. Maiman) в 1960 году. Оптическая накачка в нем реализуется при помощи импульсных газоразрядных ламп. Рубиновый лазер был первым твердотельным, также выделяются лазеры на неодимовом стекле и на кристаллах граната с неодимом (длина волны 1,06 мкм). Твердотельные лазеры позволили получить генерацию мощных коротких ( с) и сверхкоротких ( с) импульсов света в схемах модуляции добротности и синхронизации мод резонатора.

Вскоре А. Джаван (A. Javan) создал первый газовый лазер на смеси атомов гелия и неона (длина волны 0,6328 мкм). Накачка в нем осуществляется электронным ударом в газовом разряде и резонансной передачей энергии от вспомогательного газа (в данном случае — гелия) основному (неону). Среди других типов газовых лазеров выделяются мощные лазеры на углекислом газе (длина волны 10,6 мкм, вспомогательные газы — азот и гелий), аргоновые лазеры (0,4880 и 0,5145 мкм), кадмиевый лазер (0,4416 и 0,3250 мкм), лазер на парах меди, эксимерные лазеры (накачка за счет распада молекул в основном состоянии), химические лазеры (накачка за счет химических реакций, например, цепной реакции соединения фтора с водородом).

В 1958 году Н. Г. Басов, Б. М. Вул и Ю. М. Попов заложили основы теории полупроводниковых лазеров, а уже в 1962 году был создан первый инжекционный лазер [Р. Холл (R. N. Hall), У. Думке (W. L. Dumke) и др.] Интерес к ним обусловлен простотой в изготовлении, высоким КПД и возможностью плавной перестройки частоты в широком диапазоне (длина волны излучения определяется шириной запрещенной зоны). Существенным результатом является также создание в 1968 году лазеров на полупроводниковых гетероструктурах.

В конце 1960-х были разработаны и созданы лазеры на молекулах органических красителей, обладающие чрезвычайно широкой полосой усиления, что позволяет плавно перестраивать частоту генерации при использовании дисперсионных элементов (призмы, дифракционная решетка). Набор из нескольких красителей позволяет охватить весь оптический диапазон.

Применения квантовой электроники

Литература

Общие сведения и научно-популярная литература

  • Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1969.
  • А. Пекара. Новый облик оптики. — М.: Советское радио, 1973.
  • Н. В. Карлов. Квантовая электроника. // Физика микромира: Маленькая энциклопедия. — М.: СЭ, 1980. — С. 200—217.
  • М. Е. Жаботинский. Квантовая электроника. // Физическая энциклопедия. — Т. 2 — М.: СЭ, 1990. — С. 319—320.

Монографии

  • Н. В. Карлов, А. А. Маненков. Квантовые усилители. — М.: 1966.
  • Н. Бломберген. Нелинейная оптика. — М.: 1966.
  • В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. Ф. Золин. Квантовые стандарты частоты. — М.: 1968
  • Р. Пантел, Г. Путхоф. Основы квантовой электроники. — М.: Мир, 1972.
  • Ф. Цернике, Дж. Мидвинтер. Прикладная нелинейная оптика. — М.: Мир, 1976.
  • А. Ярив. Квантовая электроника. — М.: Советское радио, 1980.
  • С. А. Ахманов, Н. И. Коротеев. Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. — М.: 1981.
  • О. Звелто. Принципы лазеров. — М.: Мир, 1984.
  • И. Р. Шен. Принципы нелинейной оптики. — М.: 1989.

Статьи

Ссылки