Оджаев, Владимир Борисович

Оджа́ев Владим́ир Бори́сович (род. 13 сентября 1955г., в г.Слуцке, Минская область) — белорусский физик, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники физического факультета БГУ, соруководитель научной школы по физике полупроводников и наноэлектроники, известный ученый в области полупроводниковой микро- и наноэлектроники, радиационной физики полупроводников и высокомолекулярных соединений, ЭПР-спектроскопии композиционных материалов и полимеров. Является членом специализированного Совета по защите докторских диссертаций в БГУ, Государственного экспертного совета по приборостроению, радиоэлектронике и оптике при ГКНТ, Республиканского межведомственного совета по вопросам профессиональной подготовки и трудоустройства молодежи.

Биография

Родился 13 сентября 1955 года в городе Слуцке Минской области.

С отличием  окончил физический факультет БГУ в 1977 году.

В 1985 – Кандидат физико-математических наук.

Работал инженером, ассистентом, младшим и старшим научным сотрудником, заведующим научно-исследовательской лабораторией физики и техники полупроводников (1991), начальником научно-исследовательской части (НИЛ).

В 1999 году, защитив докторскую диссертацию по теме «Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации», получил учёную степень доктора физико-математических наук.

В 2000 году – Профессор.

С 2001 года – Проректор по учебной работе Белгосуниверситета.

С 2004 года – Заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники БГУ.

Научная деятельность

Профессор Оджаев Владимир Борисович автор более 200 научных статей, в том числе 4 монографии и курсов лекций. Областью научных исследований профессора являются радиационная физика полупроводников и диэлектриков, и физика высокомолекулярных соединений.

Под его руководством и при его непосредственном участии проведен комплекс теоретических и экспериментальных исследований процессов взаимодействия ионов с поверхностью полупроводников и полимеров, позволивший разработать унифицированные физические модели управления примесно-дефектным взаимодействием в конденсированных средах.

Постоянно руководит научно-исследовательскими работами по программам ГКПНИ, с предприятиями Министерства промышленности, Белнефтехима и проектов в рамках Республиканских программ фундаментальных исследований. Соруководитель с белорусской стороны совместного с Рурским университетом (Бохум, Германия) проекта «Исследования наноструктур в конденсированных материалах». Член редколлегии научного журнала PAKGOS (Республика Польша). Сопредседатель международных оргкомитетов научных конференций NEET (Республика Польша), «Материалы и структуры современной электроники» (Минск).

На кафедре физики полупроводников Владимир Борисович читает курсы лекций студентам специализаций «наноэлектроника», «новые материалы и технологии», «микроэлектроника» и «физика полупроводников и диэлектриков»: ведение в специализацию, современные методы исследования конденсированных материалов, тенденции в развитии электроники и электронной промышленности.

Подготовил 3 кандидатов наук.

Награды и премии

Награжден Почетными грамотами Совета Министров Республики Беларусь, Министерства образования Республики Беларусь, Белгосуниверситета, знаком Министерства образования «Отличник образования», НПО «Интеграл», лауреат премии имени А.Н.Севченко в 2008 г.

2 февраля 2011 г. награждён почётной грамотой Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований

Основные публикации

Книги

1. Sviridov D.V., Odzhaev V.B., Kozlov I.P. Ion-Implanted Polymers, in: Electrical and Optical Polymers Systems (Ed. T.Wise). - New York: Marcel Dekker Publ., 1997. - P.387-422.
2. Оджаев В.Б., Козлов И.П., Попок В.Н., Свиридов Д.В. Ионная имплантация полимеров. - Мн.: Белгосуниверситет, 1998. - 197 с.
3. Оджаев В.Б., Попок В.Н., Азарко И.И. Физика электропроводящих полимеров: Курс лекций для студентов физического факультета. – Мн.: БГУ, 2000. – 82 с.
4. Оджаев В.Б., Веренчиков И.Р., Бычковский П.М., Попок Р.П. Основные направления социальной политики и воспитательной работы университета. – Мн.: БГУ, 2000. – 190 с.
5. Оджаев В.Б., Свиридов Д.В., Карпович И.А., Понарядов В.В. Современные методы исследования конденсированных материалов. Курс лекций для студентов физического и химического факультетов. – Мн.: БГУ, 2003. – 82 с.
6. В. Б. Оджаев, В. С. Просолович, Ю. В. Сидоренко, А. Р. Челядинский. Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности: курс лекций. – Мн.: БГУ, 2010. – 264 с.

Статьи

1. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Онгейзер П. Микроэлементный анализ анализ PIXE. // Czech. J. Phys., B34 1984, Р.1315-1323.  
2. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джмурань Р., Гоффман И., Рыбка В. Использование энергетических заряженных частиц для аналитических задач. // Chemicke listy N79 1985, S.1017-1030.
3. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джмурань Р., Гоффман И. Исследования дефектов в кремнии с помощью каналирования.// Сzech.J.Phys., B35 1985, Р.465-468.
4. Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазерный отжиг кремния, имплантированного висмутом. // Phys.stat.sol. (a) 95(1986), p.511-515.
5. Оджаев В.Б., Сернов С.П., Янченко А.М. Влияние ростовых и термических дефектов на пространственное распределение рекомбинационных параметров в кремнии. // Электронная техника, сер.Материалы, вып.3/224, 1987, C.74-76.
6. Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазерный отжиг GaAs, имплантированного дуально Si и P ионами.// Czech.J.Phys., B37, 1987, p.919-923.
7. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохацкий А.С. Свойства слоев кремния, созданных имплантацией ионов высоких энергий // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 39-40.
8. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Толстых В.П. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами с энергией 1 МэВ/нуклон // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 34-35.
9. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С. Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетичной имплантации бора // ФТП. - 1991. - Т. 25, N10. - С. 1841-1844.
10. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Янковский О.Н. Процессы отжига и перестройки радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами бора // ФТП. - 1993. - Т. 27, N 5. - С. 829-831.
11. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Особенности радиационного дефектообразования при двойной ионной имплантации в кремний // Вакуумная техника и технология. - 1994. - Т. 4, N 2. - С. 36-38.
12. Азарко И.И., Козлов И.П., Козлова Е.И., Оджаев В.Б., Пенина Н.М., Рубка В., Янковский О.Н. Ионная имплантация полимерных пленок // Вакуумная техника и технология. - 1993. - Т.4, N 2. - С. 36-38.
13. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Влияние двойной ионной имплантации B + N и B + Ar на электрические свойства кремния // Вакуумная техника и технология. - 1994. - Т. 4, N 3. - С. 25-28.
14. Оджаев В.Б., Карпович И.А., Козлов И.П., Азарко И.И., Свиридов Д.В. Тонкопленочный переключатель - Пат. С1 BY, МПКH 01L 29/51. /. - № 2259 Заявл. 28.11. 1994; Опубл. 30.09.1998 // Афiцыйны бюлетэнь / Дзярж. Пат. Камiтыт Рэсп. Беларусь. - 1998.
15. Азарко И.И., Карпович И.А., Козлов И.П.,Оджаев В.Б., Свиридов Д.В. Электропроводящие свойства ионно-имплантированного полиэтилена // Поверхность, 1999.-№11. С.80-84.
16. Азарко И.И., Гончаров В.К., Оджаев В.Б., Петров С.А., Пузырев М.В. Структура алмазоподобных углеродных пленок, синтезированных методом лазерного испарения графита в вакууме // Инженерно-физический журнал. —2004. —Т.77, №4 —С. 79-82. Journal of Engineering Physics and Thermophysics. - Volume 77, Issue 4, 2004, Pages 762-765.
17. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Процессы радиационного дефектообразования в имплантированном иттербием кремнии // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2005. – № 1. – С.35-38.
18. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Перераспределение примесей при отжиге кремния, имплантированного бором и иттербием // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2006. – № 8. – С.80-83.
19. И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, Ф. Н. Капуцкий, Т. Ф. Тихонова, С. М. Лукаше-вич, В. Б. Оджаев. Импедансная спектроскопия углеродного волокна, содержащего нанокластеры //Перспективные материалы.– 2008. - №1 - С.51-56.
20. Adakimchik A., Azarko I.  , Ivanovskaya M.  , Kotsikau D., Lukashevich M. , Odzhaev V. Transport and magnetic resonance characteristics of SiO ₂-y- Fe2O ₃ composites obtained by sol gel method //Przeglad Elektrotechniczny. - Volume 84, Issue 3, -2008, -Pages 209-210.
21. В.И.Плебанович, А.И. Белоус, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев. Создание бездислокационных ионно-легированных слоев кремния. ФТТ. 2008. т.50. в.8. с. 1378-1382. Physics of the Solid State. -Volume 50, Issue 8, August 2008, Pages 1433-1437.
22. Оджаев, В.Б. Зависимость электропроводности пленочных композитов SiO2–γ-Fe2O3 во влажном воздухе /А. В. Адакимчик, Н. И. Горбачук, М. И. Ивановская, Д. А. Ко-тиков, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, Ю. В. Сидоренко //Журнал физической химии, 2010, том 84, -№ 4, с. 1–6. Russian Journal of Physical Chemistry A. -Volume 84, Issue 4, April. - 2010, - Pages 684-688.
23. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Партыка Я. Электрофизические свойства КМОП-структур, созданных высокоэнергетичной ионной имплантацией // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – R.86, № 7. – C.184-186.
24. Вабищевич C.А., Бринкевич Д. И., Волобуев В.С., Нажим Ф.А., Лукашевич М.Г., Валеев В.Ф., Хайбуллин Р.И., Оджаев В.Б. Физико-механические свойства приповерхностных слоев полиэтилентерефталата и полиимида, модифицированных имплантацией ионов никеля // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. – 2010. – № 9. – C.105-111.
25. Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев. Особенности электрических свойств пленок полиимида, имплантированных ионами меди и кобальта / Ф.А. Нажим [и др.] //  Известия  Нац. Акад. Наук Беларусь. Сер. Физ.–Мат. наук. – 2010. – №.2. – С. 100–105.
26. Ф.А. Нажим, М.Г.Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металлов// Вестник БГУ. Сер. 1., 2010. - № 4. – С. 22- 26.
27. I.Azarko, Yu.Bumai, V.Volobuev, P.Zhukowski, M.Lukashevich, V.Odzhaev. AFM, ESR and optic study of Sb⁺ ions implanted photoresist // Przeglad elektrotechniczny, 2010. - № 7. – P. 270 – 271.
28. Оджаев, В.Б. Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра / Ю.А Бумай,. В.Ф.Валеев, Н.И.Долгих, М.Г.Лукашевич, Ф.А.Нажим, В.И Нуждин. // Материалы, технологии, инструменты. 2010. – Т. 15, № 4 – с.54 -58.  
29. Вабищевич Н.В., Вабищевич С.А., Бринкевич Д.И., Волобуев В.С., Лукашевич М.Г., Оджаев В.Б., Просолович В.С. Микроиндентирование структур фотополимер-кремний // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C.77-83.
30. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С. Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле // Микроэлектроника. – 2011. – Т.40, № 4. – C.309-312.
31. А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике. Вестник БГУ. Сер.1. № 3. 2011. С.10-17.
32. Лукашевич М.Г., Оджаев В.Б., Горбочук Н.И., Ивановская М.И., Котиков Д.А., Сидоренко Ю.В. Способ определения влажности окружающей среды. Патент на изобретение РБ №15041.Зарегистрирован 2011.07.13.  BY 15041 C1 2011.10.30.
33. Ю.А. Бумай, Н.И. Долгих, А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами B⁺ и Ag⁺ // Вестник БГУ, серия 1, №2, 2011 С. 41-44.
34. П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, А.С., А.С. Турцевич, В.И. Плебанович, А.И. Белоус, Ю.Б. Васильев. Способ формирования геттерного слоя в пластинах кремния. 10 ноября 2011г, номер а20111498.
35. Оптические характеристики композита, полученного имплантацией ионов серебра в полиэтилентерефталат. / Ю. А. Бумай, В. С. Волобуев, В. Ф. Валеев, Н. И. Долгих, М. Г. Лукашевич, Р. И. Хайбуллин, В. И. Нуждин, В. Б. Оджаев // Журнал прикладной спектроскопии. – 2012. – Т. 79. –№ 5. – C.781–787.  Journal of Applied Spectroscopy.- Volume 79, Issue 5, November .-2012, -Pages 773-779.
36. Белоус А.И., Прибыльский А.В., Оджаев В.Б. Алгоритм контроля логических схем методом второй производной // Вестник БГУ. Серия 1. Физика.Математика.Информатика. – 2012. – № 3. – C.30-32.
37. П.К. Садовский, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев, П.И. Гайдук, А.И. Белоус, В.И. Плебанович Ю.Б. Васильев. Структурные и электрофизические параметры сильно легированных слоев кремния n-типа, создаваемых ионной имплантацией. //Микроэлектроника.- 2013.- Т.42. № 1.- С. 1-6.
38. Модификация оптических свойств пленок полиамида имплантацией ионов углерода / Ю. А. Бумай, В. С. Н. И. Долгих, И.А.Карпович, А.А.Харченко, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев // Материалы.Технологии.Инструменты. – 2012. –№ 4. – C..
39. М. Джадан, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами С⁺, В⁺ и совместно С⁺ и В⁺ //Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, В.2, С.243-246.
40. П.К. Садовский, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев, П.И. Гайдук, А.И. Белоус, В.И. ПлебановичЮ Ю.Б. Васильев. Совместная имплантация сурьмы и фосфора в кремний // Доклады НАН Б. – 2013. – Т.57, №1, С.46-50.
41. П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, М.И. Тарасик, А.С. Турцевич, Ю.Б. Васильев. Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы // Физика твердого тела, 2013, том 55, вып. 6, стр. 1071-1073.

Литература

Прафесары і дактаранты навук Беларускага Дзяржаўнага Універсітэта/ Склад. А. А. Яноўскі. - Мн.: БДУ, 2001. - 212 с.

Ссылки

[1]Биография на сайте БГУ