Оджаев, Владимир Борисович

Владимир Борисович Оджаев
Дата рождения	13 сентября 1955(1955-09-13) (69 лет)
Место рождения	город Слуцк, Минская область
Род деятельности	учёный
Научная сфера	Полупроводниковая микро- и наноэлектроника, Радиационная физика полупроводников и высокомолекулярных соединений, ЭПР-спектроскопии композиционных материалов и полимеров
Место работы	Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники, Физический факультет БГУ
Альма-матер	Физический факультет БГУ
Учёная степень	Доктор физико-математических наук
Учёное звание	Заведующий кафедры полупроводников и наноэлектроники
Награды и премии	Почетная грамота Совета Министров Республики Беларусь, Почетная грамота Министерства образования Республики Беларусь, Почетная грамота Белгосуниверситета, Почётная грамота Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, Знак Министерства образования «Отличник образования», НПО «Интеграл», Лауреат премии имени А.Н.Севченко

Оджа́ев Владим́ир Бори́сович (род. 13 сентября 1955г., в г.Слуцке, Минская область) — белорусский физик, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники физического факультета БГУ, соруководитель научной школы по физике полупроводников и наноэлектроники, известный ученый в области полупроводниковой микро- и наноэлектроники, радиационной физики полупроводников и высокомолекулярных соединений, ЭПР-спектроскопии композиционных материалов и полимеров. Является членом специализированного Совета по защите докторских диссертаций в БГУ, Государственного экспертного совета по приборостроению, радиоэлектронике и оптике при ГКНТ, Республиканского межведомственного совета по вопросам профессиональной подготовки и трудоустройства молодежи.

Биография

Родился 13 сентября 1955 года в городе Слуцке Минской области.

С отличием  окончил физический факультет БГУ в 1977 году.

В 1985 – Кандидат физико-математических наук.

Работал инженером, ассистентом, младшим и старшим научным сотрудником, заведующим научно-исследовательской лабораторией физики и техники полупроводников (1991), начальником научно-исследовательской части (НИЛ).

В 1999 году, защитив докторскую диссертацию по теме «Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации», получил учёную степень доктора физико-математических наук.

В 2000 году – Профессор.

С 2001 года – Проректор по учебной работе Белгосуниверситета.

С 2004 года – Заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники БГУ.

Научная деятельность

Профессор Оджаев Владимир Борисович автор более 200 научных статей, в том числе 4 монографии и курсов лекций. Областью научных исследований профессора являются радиационная физика полупроводников и диэлектриков, и физика высокомолекулярных соединений.

Под его руководством и при его непосредственном участии проведен комплекс теоретических и экспериментальных исследований процессов взаимодействия ионов с поверхностью полупроводников и полимеров, позволивший разработать унифицированные физические модели управления примесно-дефектным взаимодействием в конденсированных средах.

Постоянно руководит научно-исследовательскими работами по программам ГКПНИ, с предприятиями Министерства промышленности, Белнефтехима и проектов в рамках Республиканских программ фундаментальных исследований. Соруководитель с белорусской стороны совместного с Рурским университетом (Бохум, Германия) проекта «Исследования наноструктур в конденсированных материалах». Сопредседатель международного оргкомитета научной конференции «Материалы и структуры современной электроники» (Минск).

На кафедре физики полупроводников Владимир Борисович читает курсы лекций студентам специализаций «наноэлектроника», «новые материалы и технологии», «микроэлектроника» и «физика полупроводников и диэлектриков»: ведение в специализацию, современные методы исследования конденсированных материалов, тенденции в развитии электроники и электронной промышленности.

Награды и премии

Награжден Почетными грамотами Совета Министров Республики Беларусь, Министерства образования Республики Беларусь, Белгосуниверситета, знаком Министерства образования «Отличник образования», НПО «Интеграл», лауреат премии имени А.Н.Севченко в 2008 г.

2 февраля 2011 г. награждён почётной грамотой Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований

Основные публикации

Книги

1. Sviridov D.V., Odzhaev V.B., Kozlov I.P. Ion-Implanted Polymers, in: Electrical and Optical Polymers Systems (Ed. T.Wise). - New York: Marcel Dekker Publ., 1997. - P.387-422.
2. Оджаев В.Б., Козлов И.П., Попок В.Н., Свиридов Д.В. Ионная имплантация полимеров. - Мн.: Белгосуниверситет, 1998. - 197 с.
3. Оджаев В.Б., Попок В.Н., Азарко И.И. Физика электропроводящих полимеров: Курс лекций для студентов физического факультета. – Мн.: БГУ, 2000. – 82 с.
4. Оджаев В.Б., Веренчиков И.Р., Бычковский П.М., Попок Р.П. Основные направления социальной политики и воспитательной работы университета. – Мн.: БГУ, 2000. – 190 с.
5. Оджаев В.Б., Свиридов Д.В., Карпович И.А., Понарядов В.В. Современные методы исследования конденсированных материалов. Курс лекций для студентов физического и химического факультетов. – Мн.: БГУ, 2003. – 82 с.
6. В. Б. Оджаев, В. С. Просолович, Ю. В. Сидоренко, А. Р. Челядинский. Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности: курс лекций. – Мн.: БГУ, 2010. – 264 с.

Статьи

1. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Онгейзер П. Микроэлементный анализ анализ PIXE. // Czech. J. Phys., B34 1984, Р.1315-1323.  
2. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джмурань Р., Гоффман И., Рыбка В. Использование энергетических заряженных частиц для аналитических задач. // Chemicke listy N79 1985, S.1017-1030.
3. Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джмурань Р., Гоффман И. Исследования дефектов в кремнии с помощью каналирования.// Сzech.J.Phys., B35 1985, Р.465-468.
4. Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазерный отжиг кремния, имплантированного висмутом. // Phys.stat.sol. (a) 95(1986), p.511-515.
5. Оджаев В.Б., Сернов С.П., Янченко А.М. Влияние ростовых и термических дефектов на пространственное распределение рекомбинационных параметров в кремнии. // Электронная техника, сер.Материалы, вып.3/224, 1987, C.74-76.
6. Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазерный отжиг GaAs, имплантированного дуально Si и P ионами.// Czech.J.Phys., B37, 1987, p.919-923.
7. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохацкий А.С. Свойства слоев кремния, созданных имплантацией ионов высоких энергий // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 39-40.
8. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Толстых В.П. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами с энергией 1 МэВ/нуклон // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 34-35.
9. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С. Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетичной имплантации бора // ФТП. - 1991. - Т. 25, N10. - С. 1841-1844.
10. Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Янковский О.Н. Процессы отжига и перестройки радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами бора // ФТП. - 1993. - Т. 27, N 5. - С. 829-831.
11. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Особенности радиационного дефектообразования при двойной ионной имплантации в кремний // Вакуумная техника и технология. - 1994. - Т. 4, N 2. - С. 36-38.
12. Азарко И.И., Козлов И.П., Козлова Е.И., Оджаев В.Б., Пенина Н.М., Рубка В., Янковский О.Н. Ионная имплантация полимерных пленок // Вакуумная техника и технология. - 1993. - Т.4, N 2. - С. 36-38.
13. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Влияние двойной ионной имплантации B + N и B + Ar на электрические свойства кремния // Вакуумная техника и технология. - 1994. - Т. 4, N 3. - С. 25-28.
14. Оджаев В.Б., Карпович И.А., Козлов И.П., Азарко И.И., Свиридов Д.В. Тонкопленочный переключатель - Пат. С1 BY, МПКH 01L 29/51. /. - № 2259 Заявл. 28.11. 1994; Опубл. 30.09.1998 // Афiцыйны бюлетэнь / Дзярж. Пат. Камiтыт Рэсп. Беларусь. - 1998.
15. Азарко И.И., Карпович И.А., Козлов И.П.,Оджаев В.Б., Свиридов Д.В. Электропроводящие свойства ионно-имплантированного полиэтилена // Поверхность, 1999.-№11. С.80-84.
16. Азарко И.И., Гончаров В.К., Оджаев В.Б., Петров С.А., Пузырев М.В. Структура алмазоподобных углеродных пленок, синтезированных методом лазерного испарения графита в вакууме // Инженерно-физический журнал. —2004. —Т.77, №4 —С. 79-82. Journal of Engineering Physics and Thermophysics. - Volume 77, Issue 4, 2004, Pages 762-765.
17. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Процессы радиационного дефектообразования в имплантированном иттербием кремнии // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2005. – № 1. – С.35-38.
18. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Перераспределение примесей при отжиге кремния, имплантированного бором и иттербием // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2006. – № 8. – С.80-83.
19. И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, Ф. Н. Капуцкий, Т. Ф. Тихонова, С. М. Лукаше-вич, В. Б. Оджаев. Импедансная спектроскопия углеродного волокна, содержащего нанокластеры //Перспективные материалы.– 2008. - №1 - С.51-56.
20. Adakimchik A., Azarko I.  , Ivanovskaya M.  , Kotsikau D., Lukashevich M. , Odzhaev V. Transport and magnetic resonance characteristics of SiO ₂-y- Fe2O ₃ composites obtained by sol gel method //Przeglad Elektrotechniczny. - Volume 84, Issue 3, -2008, -Pages 209-210.
21. В.И.Плебанович, А.И. Белоус, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев. Создание бездислокационных ионно-легированных слоев кремния. ФТТ. 2008. т.50. в.8. с. 1378-1382. Physics of the Solid State. -Volume 50, Issue 8, August 2008, Pages 1433-1437.
22. Оджаев, В.Б. Зависимость электропроводности пленочных композитов SiO2–γ-Fe2O3 во влажном воздухе /А. В. Адакимчик, Н. И. Горбачук, М. И. Ивановская, Д. А. Ко-тиков, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, Ю. В. Сидоренко //Журнал физической химии, 2010, том 84, -№ 4, с. 1–6. Russian Journal of Physical Chemistry A. -Volume 84, Issue 4, April. - 2010, - Pages 684-688.
23. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Партыка Я. Электрофизические свойства КМОП-структур, созданных высокоэнергетичной ионной имплантацией // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – R.86, № 7. – C.184-186.
24. Вабищевич C.А., Бринкевич Д. И., Волобуев В.С., Нажим Ф.А., Лукашевич М.Г., Валеев В.Ф., Хайбуллин Р.И., Оджаев В.Б. Физико-механические свойства приповерхностных слоев полиэтилентерефталата и полиимида, модифицированных имплантацией ионов никеля // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. – 2010. – № 9. – C.105-111.
25. Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев. Особенности электрических свойств пленок полиимида, имплантированных ионами меди и кобальта / Ф.А. Нажим [и др.] //  Известия  Нац. Акад. Наук Беларусь. Сер. Физ.–Мат. наук. – 2010. – №.2. – С. 100–105.
26. Ф.А. Нажим, М.Г.Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металлов// Вестник БГУ. Сер. 1., 2010. - № 4. – С. 22- 26.
27. I.Azarko, Yu.Bumai, V.Volobuev, P.Zhukowski, M.Lukashevich, V.Odzhaev. AFM, ESR and optic study of Sb⁺ ions implanted photoresist // Przeglad elektrotechniczny, 2010. - № 7. – P. 270 – 271.
28. Оджаев, В.Б. Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра / Ю.А Бумай,. В.Ф.Валеев, Н.И.Долгих, М.Г.Лукашевич, Ф.А.Нажим, В.И Нуждин. // Материалы, технологии, инструменты. 2010. – Т. 15, № 4 – с.54 -58.  
29. Вабищевич Н.В., Вабищевич С.А., Бринкевич Д.И., Волобуев В.С., Лукашевич М.Г., Оджаев В.Б., Просолович В.С. Микроиндентирование структур фотополимер-кремний // Вестник Полоцкого университета. Серия С. Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C.77-83.
30. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С. Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле // Микроэлектроника. – 2011. – Т.40, № 4. – C.309-312.
31. А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике. Вестник БГУ. Сер.1. № 3. 2011. С.10-17.
32. Лукашевич М.Г., Оджаев В.Б., Горбочук Н.И., Ивановская М.И., Котиков Д.А., Сидоренко Ю.В. Способ определения влажности окружающей среды. Патент на изобретение РБ №15041.Зарегистрирован 2011.07.13.  BY 15041 C1 2011.10.30.
33. Ю.А. Бумай, Н.И. Долгих, А.А. Харченко, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами B⁺ и Ag⁺ // Вестник БГУ, серия 1, №2, 2011 С. 41-44.
34. П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, А.С., А.С. Турцевич, В.И. Плебанович, А.И. Белоус, Ю.Б. Васильев. Способ формирования геттерного слоя в пластинах кремния. 10 ноября 2011г, номер а20111498.
35. Оптические характеристики композита, полученного имплантацией ионов серебра в полиэтилентерефталат. / Ю. А. Бумай, В. С. Волобуев, В. Ф. Валеев, Н. И. Долгих, М. Г. Лукашевич, Р. И. Хайбуллин, В. И. Нуждин, В. Б. Оджаев // Журнал прикладной спектроскопии. – 2012. – Т. 79. –№ 5. – C.781–787.  Journal of Applied Spectroscopy.- Volume 79, Issue 5, November .-2012, -Pages 773-779.
36. Белоус А.И., Прибыльский А.В., Оджаев В.Б. Алгоритм контроля логических схем методом второй производной // Вестник БГУ. Серия 1. Физика.Математика.Информатика. – 2012. – № 3. – C.30-32.
37. П.К. Садовский, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев, П.И. Гайдук, А.И. Белоус, В.И. Плебанович Ю.Б. Васильев. Структурные и электрофизические параметры сильно легированных слоев кремния n-типа, создаваемых ионной имплантацией. //Микроэлектроника.- 2013.- Т.42. № 1.- С. 1-6.
38. Модификация оптических свойств пленок полиамида имплантацией ионов углерода / Ю. А. Бумай, В. С. Н. И. Долгих, И.А.Карпович, А.А.Харченко, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев // Материалы.Технологии.Инструменты. – 2012. –№ 4. – C..
39. М. Джадан, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами С⁺, В⁺ и совместно С⁺ и В⁺ //Физика твердого тела. – 2013. – Т.55, В.2, С.243-246.
40. П.К. Садовский, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев, П.И. Гайдук, А.И. Белоус, В.И. ПлебановичЮ Ю.Б. Васильев. Совместная имплантация сурьмы и фосфора в кремний // Доклады НАН Б. – 2013. – Т.57, №1, С.46-50.
41. П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, М.И. Тарасик, А.С. Турцевич, Ю.Б. Васильев. Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы // Физика твердого тела, 2013, том 55, вып. 6, стр. 1071-1073.

Литература

Прафесары і дактаранты навук Беларускага Дзяржаўнага Універсітэта/ Склад. А. А. Яноўскі. - Мн.: БДУ, 2001. - 212 с.

Ссылки

Биография на сайте БГУ