Теллурид свинца
| Теллурид свинца | |
|---|---|
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | PbTe |
| Физические свойства | |
| Состояние | твердый |
| Молярная масса | 334,80 г/моль |
| Плотность |
8,16 г/см3 Период решетки 0,646 нм |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 924 °C |
| Коэфф. тепл. расширения | 19,8*10-6 K-1 |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура NaBr |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 1314-91-6 |
| PubChem | 4389803 и 101946397 |
| Рег. номер EINECS | 215-247-1 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 3591410 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl. Узкозонный прямозонный полупроводник группы AIVBVI [1] с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K. Популярный термоэлектрический материал. Встречается в природе в виде минерала алтаита.
Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость (410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 7,8 K. Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам[2].
Большое практическое значение имеет тройное соединение свинец-олово-теллур[англ.], имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов, фотодиодов, лазеров, работающих в инфракрасной области спектра.
Примечания
[править | править код]- ↑ Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6 // Успехи физических наук : журнал. — Российская академия наук, 1985. — Т. 145. — С. 51—86. Архивировано 17 мая 2015 года.
- ↑ Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, J. S. Paraelectric Behavior of PbTe (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1970. — Vol. 25. — P. 159—162. — doi:10.1103/PhysRevLett.25.159.
Ссылки
[править | править код]- G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts". In: Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
- Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
- H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
- H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.
