橢圓偏振技術

橢圓偏振技術是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。

分析自樣品反射之極化光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃(Angstrom)或數十奈米到幾微米皆有極佳的準確性。

之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的極化多是橢圓的。此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。

基本原理

此技術係在測量光在反射或穿透樣品時，其偏振性質的改變。通常，橢圓偏振多在反射模式下進行。偏振性質的改變主要是由樣品的性質來決定(厚度、複折射率或介電性質(Dielectric function))。

Although optical techniques are inherently diffraction limited, ellipsometry exploits phase  information and the polarization state of light, and can achieve angstrom  resolution. In its simplest form, the technique is applicable to thin films with thickness less than a nanometer to several micrometers. The sample must be composed of a small number of discrete, well-defined layers that are optically homogeneous, isotropic, and non-absorbing. Violation of these assumptions will invalidate the standard ellipsometric modeling procedure, and more advanced variants of the technique must be applied (see below).