電子抹除式可複寫唯讀記憶體

EEPROM，或稱 E²PROM，全稱「電子抹除式可編程唯讀記憶體 (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)」。相比 EPROM，EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據。

EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，芯片通過 Vpp（一般+25V）獲得編程電壓，並通過 PGM 編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定地址的內容。為保證編程寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。

由於EEPROM的優秀性能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦除的BIOS晶片以及快閃記憶體芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（見SSD）。它與高速 RAM 成為當前（21 世紀 00 年代）最常用且發展最快的兩種儲存技術。

他可以直接利用電氣訊號來更新程式，所以比 EPROM 更方便。