電子抹除式可複寫唯讀記憶體

放在美國一分硬幣上的一枚SOT-23封裝與正反面兩枚超微型DFN封裝的序列式EEPROM ，型號11LC160，容量16 kbit

一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量，型號 29C040 的 Flash EEPROM

EEPROM，或写作E²PROM，全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （英語：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一種可以通過電子方式多次複寫的半導體存儲設備。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據。

EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，芯片通過Vpp（一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V）獲得編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定地址的內容。為保證寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。

由於EEPROM的優秀性能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦除的BIOS晶片以及快閃記憶體芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（見固态硬盘）。它與高速RAM成為當前（21世紀00年代）最常用且發展最快的兩種儲存技術。

歷史

1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技術的基礎上，改用薄的閘極氧化層，以便無需紫外光，晶片就可以用電氣方式抹除自身的位元，因而開發出型號為2816的16kbit EEPROM。Perlegos與一些同事後來離開Intel，創立 Seeq Technology 公司後，在晶片上內建電荷泵（charge pump）以提供燒錄時自身所需的高電壓，因而推出只需5V電壓的EEPROM，利於實施線上燒錄（In-System Programming，ISP 或稱 In-Circuit Programming，ICP）。

EEPROM 元件的類型

有的 EEPROM 是包含於其他元件中，為該元件的一部份。 例如：MCU 中可能包含用來儲存程式或資料的 EEPROM、數位電位器（Digital Potentiometer）內也需要 EEPROM 來儲存目前的設定值。

單獨的 EEPROM 元件，其通信口通常可分為串行（serial）與并行（parallel）兩類。除電源線外，串行通信口只使用1~4隻接線來傳遞訊號，所需接腳較并行式少，通常用來儲存資料。執行用的程式則通常放在并行式的 EEPROM 中，以利存取。

序列式EEPROM

• Microwire 通信口（4線）：型號為以 93 開頭的系列。例：93C46
• I2C^TM 通信口（2線）：型號為以 24 開頭的系列。例：24LC02
• SPI 通信口（3線）：型號為以 25 開頭的系列。例：25LC08
• UNI/O^TM通信口（1線）：由 Microchip 公司出品，型號為以 11 開頭的系列。
• 1-Wire^® 通信口（1線）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

並列式EEPROM

型號通常為以 28 開頭的系列。

至於型號通常為以 29 或 49 開頭的系列，寫入須以較大的區塊為單位，此種記憶體一般會使用 Flash （閃存/快閃記憶體）來稱呼。至於能以較小單位(例如以位元組)擦除或寫入的則才以 EEPROM 稱呼，以作區別。

世界主要製造商

• ON Semiconductor 安森美半導體
• Mitsubishi 三菱
• Atmel 愛特梅爾
• Hitachi 日立
• Infineon 英飛凌
• Macronix 旺宏電子 （只生產 NOR 型 Flash）
• 美信集成产品
• Maxwell Technologies
• 微晶片科技 微芯
• NXP Semiconductors 恩智浦半導體
• Renesas Technology 瑞萨科技
• Rohm 羅姆電子
• Samsung Electronics 三星電子
• STMicroelectronics 意法半導體
• Seiko Instruments 精工
• Toshiba Semiconductor 東芝
• Winbond 華邦電子