电可擦可编程只读存储器

放在美国一分硬币上的一枚SOT-23封装与正反面两枚超微型DFN封装的序列式EEPROM ，型号11LC160，容量16 kbit

一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量，型号 29C040 的 Flash EEPROM

EEPROM，或写作E²PROM，全称电子抹除式可复写唯读记忆体 （英语：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。

EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。编程写入时，芯片通过Vpp（一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。

由于EEPROM的优秀性能，以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的BIOS晶片以及快闪记忆体芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（见固态硬盘）。它与高速RAM成为当前（21世纪00年代）最常用且发展最快的两种储存技术。

历史

1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上，改用薄的闸极氧化层，以便无需紫外光，晶片就可以用电气方式抹除自身的位元，因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel，创立 Seeq Technology 公司后，在晶片上内建电荷泵（charge pump）以提供烧录时自身所需的高电压，因而推出只需5V电压的EEPROM，利于实施线上烧录（In-System Programming，ISP 或称 In-Circuit Programming，ICP）。

EEPROM 元件的类型

有的 EEPROM 是包含于其他元件中，为该元件的一部份。 例如：MCU 中可能包含用来储存程式或资料的 EEPROM、数位电位器（Digital Potentiometer）内也需要 EEPROM 来储存目前的设定值。

单独的 EEPROM 元件，其通信口通常可分为串行（serial）与并行（parallel）两类。除电源线外，串行通信口只使用1~4只接线来传递讯号，所需接脚较并行式少，通常用来储存资料。执行用的程式则通常放在并行式的 EEPROM 中，以利存取。

序列式EEPROM

• Microwire 通信口（4线）：型号为以 93 开头的系列。例：93C46
• I2C^TM 通信口（2线）：型号为以 24 开头的系列。例：24LC02
• SPI 通信口（3线）：型号为以 25 开头的系列。例：25LC08
• UNI/O^TM通信口（1线）：由 Microchip 公司出品，型号为以 11 开头的系列。
• 1-Wire^® 通信口（1线）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

并列式EEPROM

型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列，写入须以较大的区块为单位，此种记忆体一般会使用 Flash （闪存/快闪记忆体）来称呼。至于能以较小单位(例如以位元组)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼，以作区别。

世界主要制造商

• ON Semiconductor 安森美半导体
• Mitsubishi 三菱
• Atmel 爱特梅尔
• Hitachi 日立
• Infineon 英飞凌
• Macronix 旺宏电子 （只生产 NOR 型 Flash）
• 美信集成产品
• Maxwell Technologies
• 微晶片科技 微芯
• NXP Semiconductors 恩智浦半导体
• Renesas Technology 瑞萨科技
• Rohm 罗姆电子
• Samsung Electronics 三星电子
• STMicroelectronics 意法半导体
• Seiko Instruments 精工
• Toshiba Semiconductor 东芝
• Winbond 华邦电子