功率MOSFET
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功率MOSFET是特殊的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），特別設計處理大功率的電壓和電流，屬於功率半導體的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其開關速度快，在低電壓下的效率良好。功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFE的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。
MOSFET及互補式金屬氧化物半導體（CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在集成电路上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学，是源自信號級的MOSFET，自1970年代開始有商品販售[2]。
功率MOSFET是世界上最常見的功率半導體，原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度[3]、容易實施的並聯技術[3][4]、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修[4]。在低壓（200V以下）的應用中，功率MOSFET是最常見的功率半導體。功率MOSFET可以用在許多不同的領域中，包括大部份的電源供應、直流-直流轉換器、低壓电机控制器等。
相關條目
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- ^ IRLZ24N, 55V N-Channel Power MOSFET, TO-220AB package; Infineon.
- ^ Irwin, J. David. The Industrial Electronics Handbook. CRC Press. 1997: 218. ISBN 9780849383434.
- ^ 3.0 3.1 Power MOSFET Basics (PDF). Alpha & Omega Semiconductor. [29 July 2019].
- ^ 4.0 4.1 Duncan, Ben. High Performance Audio Power Amplifiers. Elsevier. 1996: 178–81. ISBN 9780080508047.
延伸閱讀
- "Power Semiconductor Devices", B. Jayant Baliga, PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6
