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功率MOSFET

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二个SMT，TO-263（英语：TO-263）包装的功率MOSFET。若在有适当散热情形下，其截止电压是120伏特，连续运作电流为30安培
IRLZ24N 功率MOSFET，是通孔插装技术的TO-220（英语：TO-220）AB包装。从左到右的针脚为：闸极（逻辑电位）、汲极、源极。最上方的金属片也是汲极，和第2脚短路[1]

功率MOSFET是专门处理大功率的电压和电流的金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET），也是功率半导体（英语：power semiconductor device）的一种。和其他功率半导体（例如绝缘栅双极晶体管或晶闸管）比较，功率MOSFET的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔离的闸体，因此在驱动上比较容易。功率MOSFE的缺点是增益较小，有时闸极驱动的电压甚至比实际要控制的电压还低。

MOSFET及互补式金属氧化物半导体（CMOS）技术持续的演进，自1960年起已用在集成电路上，这也是功率MOSFET的设计得以实现的原因。功率MOSFET和一般信号级的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学，是源自信号级的MOSFET，自1970年代开始有商品贩售[2]。

功率MOSFET是最常见的功率半导体（英语：power semiconductor device），原因是因为其闸极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度[3]、容易实施的并联技术[3][4]、高带宽、坚固性、偏压简单、容易使用、也容易维修[4]。在低压（200V以下）的应用中，功率MOSFET是最常见的功率半导体。功率MOSFET可以用在许多不同的领域中，包括大部分的电源供应器、直流-直流转换器、低电压电机控制器等，以及许多其他的应用。

历史

参见：MOSFET、横向扩散金属氧化物半导体和IGBT

金属氧化物半导体场效晶体管是贝尔实验室的Mohamed Atalla（英语：Mohamed M. Atalla）和Dawon Kahng（英语：Dawon Kahng）在1959年发明的，是电力电子学的一大突破。MOSFET一代一代的推进，让电力电子元件的设计者可以达到双极性晶体管无法达到的性能以及功率密度[5]。

日立制作所在1969年发明了第一个垂直式的功率MOSFET[6]，之后称为VMOS（V 型槽MOSFET）[7]。日本产业技术综合研究所（英语：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology）的Y. Tarui, Y. Hayashi和Toshihiro Sekigawa首次提出有自对准闸极（英语：self-aligned gate）的双扩散MOSFET（DMOS）[8][9]。1974年时，日本东北大学的西泽润一发明了用在音频上的功率MOSFET，很就由山叶公司生产，用在高保真音频功率扩大器（英语：Audio power amplifier）。JVC、Pioneer、索尼及东芝也开始在1974年开始生产有功率MOSFET的放大器[10]。Siliconix在1975年开始贩售VMOS[7]。

VMOS和DMOS发展成当时所谓的VDMOS（垂直型DMOS）[10]。惠普实验室John Moll（英语：John L. Moll）的研突团队在1977年制作了DMOS的原型，展示DMOS比VMOS优越的特性，包括低导通阻抗以及高崩溃电压[7]。日立在同一年开发了横向扩散金属氧化物半导体（横向DMOS），属于平面型的DMOS。日立是1977年至1983年之间，唯一的LDMOS制造商，当时的LDMOS是由HH Electronics（英语：HH Electronics）和Ashly Audio（英语：Ashly Audio）用在音频功率扩大器中，也用在音乐以及公共广播系统（英语：public address system）中[10]。当2G数位蜂窝网络在1995年开始使用时，LDMOS广为使用在2G、3G等无线网络的无线电功率扩大器（英语：RF power amplifier）中[11]，后来也用在4G网络中[12]。

Alex Lidow（英语：Alex Lidow）于1977年在斯坦福大学和Tom Herman共同发明了HexFET，六边形的功率MOSFET[13][14]。国际整流器公司（英语：International Rectifier）在1978年开始贩售HexFET[7][14]。绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了功率MOSFET以及双极性晶体管（BJT）的特点，是由通用电气的B·贾扬特·巴利加在1977年至1979年所发明的[15]。

超接合面（Super Junction）MOSFET是用P+ columns穿透N-外延层的MOSFET。将P层和N层叠层的概令念最早是由大阪大学的Shozo Shirota和Shigeo Kaneda在1978年提出[16]。飞利浦的David J. Coe发明了超接合面的MOSFET，作法是将p型及n型的层对调，并且因此在1984年申请了美国专利，在1988年通过[17]。

应用

参见：MOSFET和IGBT

功率MOSFET是最常用到的功率半导体[3]。截至2010年 (2010-Missing required parameter 1=month!)，功率MOSFET占功率半导体市场的53%，比绝缘栅双极晶体管（27%）射频功率放大器（英语：RF power amplifier）（11%）及双极性晶体管（9%）要多[18]。截至2018年 (2018-Missing required parameter 1=month!)，每年销售的功率MOSFET超过五百亿个[19]，其中包括沟槽式（Trench）功率MOSFET，到2017年二月为止已销售一百亿个[20]，以及意法半导体的MDmesh（超接合面MOSFET），截至2019年 (2019-Missing required parameter 1=month!)已贩售五十亿个[16]。

功率MOSFET广为使用在消费电子产品中[21][22]。

RF DMOS，也称为RF功率MOSFET，是设计在射频（RF）应用的DMOS功率晶体管，用在许多电台广播及无线电应用中[23][24]

功率MOSFET也常用在运输技术中[25][26][27]，包括许多不同种类的载具。

在汽车产业中[28][29][30]，功率MOSFET是常见的汽车电子元件[31][32][21]。

功率MOSFET（包括DMOS、LDMOS及VMOS）也可以用在其他的应用领域中。

基本结构

图1：VDMOS的截面，是一个基本单元。单元其实非常的小（数微米到数十微米的宽度），功率MOSFET中有上千个类似的单元

在第一个商用功率半导体问世的1970年代，已研发了许多的结构，不过大部分（至少到目前为止）已不再开发，主要的结构为垂直扩散MOS（VDMOS）结构（也称为是双扩散MOS，或DMOS）,以及横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）结构。

VDMOS的截面（如图1）可以看出元件的“垂直特性”：可以看出源极电极放在汲极的上方，在晶体管导通时，电流主要是垂直路径。VDMOS的“扩散作用”是指其制程。P极井（如图1）是透过扩散过程形成（其实是双重扩散过程，产生P和N+区，因此称为双扩散）。

功率MOSFET和侧向MOSFET的结构不同：就像大部分功率元件一样，其结构是垂直的，不是水平的。在平面结构中，电流和击穿电压额定都是通道大小的函数（也就是通道的长和寛），因此在硅晶面积上没有有效率的使用。在垂直架构中，晶体管的电压额定是N磊晶掺杂及厚度的函数（可以参考图1），而电流额定是通道宽度的函数。因此可以让晶体管在小的硅芯片中，可以维持高截止电压以及大电流额定。

LDMOS是侧向结构的功率MOSFET，主要是用在高端音响放大器[10]以及无线蜂窝网络（例如2G、3G[11]及4G[12]）用的无线电功率放大器 。好处是在饱和区（对应晶体管的线性区）特性比VDMOS好。VDMOS主要用在切换的应用中，只会有开和关二个状态，不需考虑饱和区的特性。

导通电阻

图2：MOSFET的不同部分对导通电阻的贡献

当功率MOSFET在导通状态时，在汲极和源极之间有电阻性的行为。在图2中可以看到电阻（称为RDSon，表示导通时，在汲极和源极之间的电阻）是以下电阻的和：

  • RS是源极电阻。代表了从封装的端子到MOSFET通道之间的所有电阻：包括打线接合的电阻、源端金属化的电阻,以及N+井的电阻。
  • Rch是通道电阻，和通道寛度成反比，and for a given die size, to the channel density.。通道电阻是低压MOSFET中，RDSon的主要贡献来源，因此有许多的研究是在缩小芯片大小，增加通道密度。
  • Ra是接触电阻，若电阻的方向从水平（通道）变成垂直（到汲极接触）时，接触电阻表示在闸极电阻下磊晶区的电阻。
  • RJFET是上述尺寸减少造成的不良影响：P注入（如图1）形成了闸极的寄生JFET晶体管，会减少电流的流动。
  • Rn是磊晶层的电阻，磊晶层的作用是维持截止电压，Rn直接和元件的电压额定有关。高压的MOSFET需要较厚，较少掺杂的磊晶层，也就是高电阻，相对的，低压的的MOSFET只需要较薄的磊晶层，但掺杂要比较多，也就是低电阻。因此，Rn是高压MOSFET中，RDSon的主要贡献来源。
  • RD是汲极电阻，其特性类似RS，代表了晶体管基板的电阻（截面图是示意图，未照实际比例，底下的N+层其实是最厚的）以及连接到封装端子之间的电阻。

崩溃电压以及导通电阻之间的取舍

图3：MOSFET的RDSon会随着电压额定而提高

在不导通时，功率MOSFET可以等效为PIN二极管（由the P+扩散层、N−磊晶层以及N+基板组成）。在这个高度不对称的结构逆向偏压时，无载子的区域会往低掺杂的区域扩展，也就是N−层的上方。表示这一层需要承受不导通时，大部分汲极到源极的电压。

不过当MOSFET在导通状态时，N−层没有功能，而且，因为是低掺杂的区域，其本质电阻无法忽略，会加在导通时的电阻RDSon当中（就是图2中的电阻Rn）。

二个主要的参数决定了晶体管的崩溃电压以及RDSon：掺杂程度以及N−磊晶层厚度。磊晶层厚度越厚，掺杂越少，崩溃电压越高。相反的，磊晶层厚度越薄，掺杂越多，RDSon越低（MOSFET的导通损失也会越少）。因此这是MOSFET设计上的取舍，在电压额定以及导通电阻之间进行取舍[来源请求]，这也是图3所描述的。

本体二极管

在图1中可以看到，MOSET的工作原理只要源极连接到N+区，但源极的金属化连接了N+和P+的注入部分。若有这样的情形出现，会形成在N掺杂源极以及汲极之间的浮动的P区，可以等效为NPN晶体管，有一个未连接的基极。在特定情形下（例如汲极有大电流、汲极到源极的电压有数伏特的大小），会触发杂散NPN晶体管，使得MOSFET不可控。P注入层到源极金属化部分的连接会使杂散晶体管的基极对射极短路（MOSFET的源极），因此不会有了寄生锁存效应。

不过这解法在MOSFET的汲极（阴极）和源极（阳极）之间产生了二极管（本体二极管，body doide），使其只能单一方向阻隔电流。

在H桥或半桥的电路组态中，若是电感性负载，可以把本体二极管用来作为续流二极管。这些二极管的顺向导通压降会比较高，但可以承受大电流，在许多的应用中已经足够，而且可以节省元件个数，减少设备的成本以及电路板的大小。

切换特性

图4：功率MOSFET中本质电容的位置

功率MOSFET是单载子元件，可以高速进行切换。没有双载子元件需要移除少数载子的问题。不过功率MOSFET的切换速度仍有本质上的限制，就是MOSFET中的内部电容（如图4）。在MOSFET切换时，需要将电容器充电及放电。流进闸极电容的电流会受到外部驱动电路的限制，因此充放电的速度会比较慢。若不考虑功率电路中的电感，驱动电路会主控MOSFET的切换速度。

电容

在MOSFET的datasheet（英语：datasheet）中，电容会用Ciss（汲极和源极短路时的输入电容）、Coss（闸极和源极短路时的输出电容）、Crss（源极短路到地时的反向传递电容）。这些电容和内部电容的关系如下：

其中CGS、CGD和CDS是闸极对源极、闸极对汲极、汲极对源极的电容。供应商选用Ciss、Coss和Crss来标示的原因是可以直接量测。而CGS、CGD和CDS比较接近物理上的意义，条目后续内容也会用此方式说明。

闸极对源极电容

闸极对源极电容CGS是由CoxN+、CoxP和Coxm的并联连接组成（如图4）。N+和P区都是高度掺杂的区域，这二部分的电容可以视为是常数，Coxm是多晶硅闸极和金属源极之间的电容，也是常数。因此一般会将CGS视为是常数，不会随晶体管的状态而改变。

闸极对汲极电容

闸极对汲极电容CGD可以视为二个基本电容串联后所组成。第一个是氧化层的电容（CoxD），是由闸极电极、二氧化硅以及上方N磊晶层所产生，这个电容是定值。第二个电容（CGDj）是因为MOSFET不导通时，空乏层的扩展所产生，因此和源极及汲极之间的电压有关。CGD的值为：

空乏层的宽度为[33]

其中是硅的电容率，q是电子电荷，N是掺杂程度。CGDj的值可以用平板电容器的公式来近似：

其中AGD是源极及汲极重叠部分的面积，因此：

可以看出CGDj（以及CGD）的电容值会随源极及汲极的电压而改变。若电压是增加，则电容也会增加。若MOSFET在导通态，CGDj短路，闸极对汲极电容等于CoxD，为一定值。

汲极对源极电容

因为源极的金属化会覆盖P井（如图1），汲极和源极的端子会被PN结隔开，因此CDS即为PN结的电容，电容是非线性电容，可以用类似CGDj的公式求得。

相关条目

参考资料

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延伸阅读

  • "Power Semiconductor Devices", B. Jayant Baliga, PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6
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