2纳米制程

在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程水准之后的下一个微缩制程。到2020年，台积电和英特尔都已经在他们的路线图上有2nm的产品，最早的生产计划是在2023年或更晚。

背景

2018年底，台积电董事长劉德音预测芯片规模将继续扩大到3nm和2nm水准；然而，到2019年，其他半导体专家还没有决定台积电的技术水平是否可以在3nm以外的水准上使用。

台积电于2019年开始了2nm技术的研究。台积电希望在从3nm到2nm时，能实现从FinFET到闸极全环晶体管（GAAFET）类型的转变。据报道，台积电预计将在2023年或2024年左右进入2nm风险生产。2020年8月，台积电开始在新竹科學工業園區建立一个2nm技术的研发实验室，预计到2021年部分投入使用。据报道，在2020年9月，台积电董事长劉德音曾表示，公司将在台湾新竹建立一个2nm水准的工厂，也可以根据需求在台中市的中部科學工業園區安装生产。

英特尔於2019年计划在2027年实现2nm制程水准。

2021年5月，IBM宣佈在美國紐約州奧爾巴尼的晶片生產研究中心成功製造出全球首顆2nm製程GAAFET晶片。

Intel在其路線圖以1.4奈米（2029年）作為2奈米的繼承者，台積電亦表示後續會發展至1奈米。