肖克利二極體

肖克利二極體電路符號

关于肖克利二極體方程式，请见「en:Diode § Shockley diode equation」。

提示：此条目页的主题不是蕭特基二極體。

肖克利二極體（英語：Shockley diode)，是一個四層半導體二極體，首批被發明的半導體元件之一；以其發明者物理學家威廉·肖克利名字命名。他是一個"PNPN"二極體。等效於沒有連接閘極的閘流體。

小信號肖克利二極體已不再生產，但是單向閘流體導通二極體，也就是反向開關二極體(dynistor)，使用於大電流電源裝置上的高速開關。

參考來源

引用

書目

• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）.  （繁體中文）
• 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）.  （繁體中文）
• Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.（英文）

外部連結

• （英文）Shockley diode analysis （页面存档备份，存于互联网档案馆）
• （英文）Shockley diode information （页面存档备份，存于互联网档案馆）