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File:Threshold formation nowatermark.gif

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Threshold_formation_nowatermark.gif （722 × 328像素，文件大小：267 KB，MIME类型：image/gif、​循环、​24帧、​3.6秒）

摘要

描述
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire
日期
来源 自己的作品
作者 Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris

许可协议

Public domain 我，本作品著作权人，释出本作品至公有领域。这适用于全世界。
在一些国家这可能不合法；如果是这样的话，那么：
我无条件地授予任何人以任何目的使用本作品的权利，除非这些条件是法律规定所必需的。

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当前2010年8月26日 (四) 16:572010年8月26日 (四) 16:57版本的缩略图722 × 328（267 KB）Zephyris{{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o

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