Фальковский, Леонид Александрович

В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Фальковский.

Леонид Александрович Фальковский
Дата рождения	16 октября 1936(1936-10-16)
Место рождения	Москва, СССР
Дата смерти	27 марта 2020(2020-03-27) (83 года)
Место смерти	Москва, Россия
Страна	СССР→ Россия
Род деятельности	физик-теоретик
Научная сфера	теоретическая физика
Место работы	ИТФ им. Ландау
Альма-матер	физический факультет МГУ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Научный руководитель	Абрикосов, Алексей Алексеевич

Леонид Александрович Фальковский (16 октября 1936, Москва — 27 марта 2020) — советский и российский физик-теоретик, доктор физико-математических наук, профессор Московского физико-техническом института.

Биография

Родился в Москве 16 октября 1936 года в семье художника Александра Павловича Фальковского, который позже стал главным художником Союзгосцирка, и его жены Раисы Алексеевны Шустиной, которая была учителем истории, и впоследствии стала директором школы-интерната. Дед по матери ― золотых дел мастер А. Ф. Шустин.

В 1954 году поступил на физический факультет Московского государственного университета, где учился у Л. Д. Ландау. В 1959 году его фамилия значится под номером 31 в принадлежащем руке Ландау, списке сдавших ему теорминимум. Тогда же он становится аспирантом А. А. Абрикосова, под руководством которого защитил в 1960 году дипломную работу и в 1963 году кандидатскую диссертацию по теме «Теория электронного энергетического спектра металлов типа висмута».

В 1966 году стал сотрудником Института теоретической физики им. Л. Д. Ландау и много лет был учёным секретарем Диссертационного совета при иституте. Преподавал в Московском физико-техническом институте (МФТИ), где был избран профессором, принимал активное участие в издании научной литературы. Преподавал на физфаке и мехмате МГУ, в МИРЭА.

В 1980—2005 годах работал в Институте молекулярной физики в Познани (Польша), и был приглашённым профессором в Лаборатории полупроводников Университета Монпелье (Франция).

Был редактором книги А. А. Абрикосова «Основы теории металлов».

В последние годы совмещал научную деятельность в Институте Ландау с работой в Институте физики высоких давлений РАН, руководил работой российской группы, посвящённом изучению свойств графена

Сын — Илья (род. 1971) — российский драматург, прозаик, рэп-поэт, литературный критик.

Вклад в науку

Первая совместная работа с А. А. Абрикосовым «Комбинационное рассеяние света в сверхпроводниках», опубликованная в ЖЭТФ в 1961 году, становится классической как в теории сверхпроводимости, так и для последующих исследований в области комбинационного (рамановского) рассеяния.

За ней, в 1962 году, следует работа тех же авторов об энергетическом спектре электронов в металлах с решёткой висмута, где рассматривается деформационная теория, которая на многие годы вперед указала путь для исследований данного материала и его сплавов. В этой работе появился спектр дираковских фермионов.

Применение методов теоретической физики в тесном взаимодействии с экспериментом — характерный для школы Ландау научный стиль, проявился в последующей серии работ. Посредством выбора граничного условия для функции распределения приповерхностных электронов, которое называется условием Фальковского, рассматриваются скин-эффект, циклотронный резонанс, сопротивление тонких плёнок и проволок.

Позже Л. А. Фальковский изучал свойства примесных состояний, краевых состояний в квантовых точках, сверхбыстрых процессов релаксации решётки и другими актуальными задачами физики металлов и полупроводников.

В конце жизни Л. А. Фальковсктй занимался исследованием физических свойств графена. Его результаты получили известность и широко признаны сегодня мировым сообществом, например работы по кинетике электронов, оптике, магнитооптике, динамическим свойствам этого материала. Помимо найденной частотной дисперсии динамической проводимости графена, многослойного графена и полупроводников IV—VI групп, была обнаружена аномально большая диэлектрическая проницаемость на пороге прямых межзонных переходов в полупроводниках IV—VI групп. Этот результат оказался обусловлен узким зазором и линейностью электронного спектра, которые характерны для этих материалов. Фальковский нашел, что коэффициент пропускания графена в оптическом диапазоне не зависит от частоты, а его отклонение от единицы даёт значение постоянной тонкой структуры. Он показал, в чём заключается общность, а в чём различия в характере плазмонов и электромагнитных волн, распространяющихся вблизи порога поглощения в полупроводниках и графене.

Условие Фальковского

Шероховатость границы описывается функцией $\xi (s)$, где $s$ — параметр вдоль поверхности. Шероховатость приводит к рассеянию, которое статистически описывается корреляционной функцией $\xi _{2}(s-s')=\langle \xi (s)\xi (s')\rangle$. Фурье-компонента $\xi _{2}(p-k)$ отражает вклад шероховатости в обмен импульсами между состояниями $p$ и $k$. Условие Фальковского записывается для неравновесной функции распределния в виде интегрального уравнения

$f(p_{x},p)=f(-p_{x},p)\left[1-p_{x}\int {\frac {d^{2}k}{\pi ^{2}}}k_{x}\xi _{2}(p-k)\right]+p_{x}\int {\frac {d^{2}k}{\pi ^{2}}}k_{x}\xi _{2}(p-k)f(-k_{x},p)\,,$

где компоненты импульса $p_{x}={\sqrt {2m\varepsilon -p^{2}}},\quad k_{x}={\sqrt {2m\varepsilon -k^{2}}}$. Эти выражения связывают тангенциальный и полный импульс с энергией частицы $\varepsilon$ и её массой $m$. $\xi _{2}(p-k)$ служит ядром оператора рассеяния, определяющим вероятность перехода между состояниями с импульсами $p$ и $k$. Шероховатость границы изменяет распределение электронов, вводя корреляции между различными состояниями импульса. Первый член описывает вклад в распределение электронов, связанный с зеркальным отражением. Интеграл по $k_{x}$ отражает перераспределение компоненты импульса вдоль оси $x$, вызванное шероховатостью. Второй член представляет дополнительные вклады в распределение электронов, вызванные неупругим или диффузным рассеянием. Ядро рассеяния $\xi _{2}(p-k)$ определяет, как распределение $f(-k,p)$ вносит вклад в $f(p_{x},p)$ в зависимости от шероховатости границы. На практике условие Фальковского часто не используется и для простоты сводится к феноменологическогому подходу Фукса.

Избранные публикации

Основной источник:

• Abrikosov, A. A.; Fal’kovskii, L. A. (1961). "Raman Scattering of Light in Superconductors" (PDF). JETP. 13: 179.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
• Абрикосов А. А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металла с решеткой висмута // ЖЭТФ. — 1962. — Т. 43. — С. 1089—1101.
• Khaikin, M. S.; Fal’kovskii, L. A.; Edel’man, V. S.; Mina, R. T. (1964). "Properties of Magnetoplasma Waves in Bismuth Single Crystals" (PDF). Sov. Phys. JETP. 18: 1167–1175.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
• Fal’kovskii, L. A. (1963). "Theory of electron spectra of bismuth type metals in a magnetic field" (PDF). Sov. Phys. JETP. 17: 1302—1305.
• Фальковский Л. А. (1970). "Диффузное граничное условие для электронов проводимости" (PDF). Письма в ЖЭТФ. 11: 222–226.
• Fal’kovskii, L. A. (1971). "Skin Effect on a Rough Surface" (PDF). Sov. Phys. JETP. 33: 454—457.
• Фальковский Л. А. О некоторых граничных задачах со случайной поверхностью // Успехи мат. наук. — 1974. — Т. 29:3. — С. 245—246.
• Fal’kovskii, L. A. (1973). "The resistance of thin metallic samples" (PDF). Sov. Phys. JETP. 37: 937–939.
• Falkovsky L. A. Theory of impurity states in Bi-Sb alloys (англ.) / Ed. by M. Krusius, M. Vuorio. — North-Holland, 1975. — Vol. 3. — P. 134-136. — xiii+525 p. — (Proc. Int. Conference on Low Temperature Physics. Otaniemi, Finland, 14 Aug 1975).
• Фальковский Л. А. О влиянии магнитного поля на примесные состояния в веществе с узкой запрещенной зоной // Физика тверд. тела. — 1975. — Т. 17. — С. 2849—2856.
• Fal’kovskii, L. A. "Impurity states in substances with narrow energy gaps" (PDF). Sov. Phys. JETP.
• Falkovsky, L. A. (2008). "Optical properties of graphene". Journal of Physics: Conference Series. 129: 012004. doi:10.1088/1742-6596/129/1/012004.
• Falkovsky, L. A.; Varlamov, A. A. (2007). "Space-time dispersion of graphene conductivity". The European Physical Journal B. 56: 281—284. doi:10.1140/epjb/e2007-00142-3.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
• Falkovsky, L. A.; Pershoguba, S. S. (2007). "Optical far-infrared properties of a graphene monolayer and multilayer". Physical Review B. 76: 153410. doi:10.1103/PhysRevB.76.153410.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
• Falkovsky, L. A. (2008). "Optical properties of graphene and IV–VI semiconductors". Physics-Uspekhi. 51: 887—897. doi:10.1070/PU2008v051n09ABEH006625.

Диссертации

• Фальковский, Леонид Александрович. Электронные свойства полуметаллов : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.02. — Черноголовка, 1976. — 223 с.
• Фальковский, Леонид Александрович. Теория электронного энергетического спектра металлов типа висмута : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. — Москва, 1963. — 80 с.

Литература

• А. Ф. Андреев, В. А. Бендерский, С. А. Бразовский, А. А. Варламов, А. М. Дюгаев, В. Е. Захаров, Е. И. Кац, И. П. Ким, Н. Н. Кирова, П. С. Кондратенко, Е. А. Кузнецов, И. А. Лукьянчук, С. В. Мешков, В. П. Минеев, С. П. Новиков, Ю. Н. Овчинников, Н. М. Плакида, С. М. Стишов, В. А. Фатеев, И. А. Фомин, Д. Е. Хмельницкий, Ю. М. Шукринов. Памяти Леонида Александровича Фальковского // УФН. — 2020. — С. 1—3. — doi:10.3367/UFNr.2020.05.m3.
• Миловидов Владимир. Теормаксимум // Городской ритм. — 2020. — 8 апреля (№ 13). — С. 3.

Ссылки

• Фальковский Илья. Л. А. Фальковский: Заметки об Институте Ландау 31-го ученика Ландау  (рус.). https://pop-grafika.net (29 мая 2020). Дата обращения: 17 ноября 2024.
• Варламов Андрей. Памяти Леонида Александровича Фальковского (1936–2020)  (рус.). https://www.trv-science.ru/. Троицкий вариант — Наука (31 марта 2020). Дата обращения: 17 ноября 2024.
• Яхонтов Андрей. Дети войны  (рус.). https://www.mk.ru/. Московский Комсомолец (9 мая 2020). Дата обращения: 17 ноября 2024.
• Леонид Александрович Фальковский  (рус.). https://www.itp.ac.ru/. Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау (2020). Дата обращения: 17 ноября 2024.