多重图形
多重图形（Multiple patterning）是指一种在半导体制造过程中的技术。在光刻过程中使用了多重图形曝光增强了制作图形的密度。
尽管极紫外光刻将在下一代光刻中作为一个选项，但是这个仍然需要额外一次曝光。
中心距分离
[编辑]多重图形的最简单形式是将图形分离成二个或者三个部分。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最终会合并形成最终的图层。这种方法有时称为中心距分离，也会被称为光照-刻蚀-光照-刻蚀（LELE）。
这种技术用于20纳米制程、14纳米制程等。额外暴光的成本在相关制程中可以承受。一个重要的关注点是多次暴光中的图形交叠问题。自对准多重暴光技术成功的引入解决这一问题。
侧壁图像转移
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侧壁是一个通过将预图形两边淀积而产生的物质。
由于侧壁使用的是hardmask材料，它们的后刻蚀图形质量非常重要。
| 公司 | 逻辑工艺 | 最小金属间距(MMP) | 栅间间距 (CGP) | MMP*CGP | CGP:MMP ratio | 最先进技术 | 量产开始时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Intel | 10nm | 36 nm[1] | 54 nm[1] | 1944 nm2 | 1.5 | SAQP[1][2] | 2017年末[3] |
| 台積電（TSMC） | 7nm | 40 nm | 57 nm[4] | 2280 nm2 | 1.425 | LELELE[5] | 2017年初[6] |
| 三星電子 | 10LPE | 48 nm[7] | 64 nm[7] | 3072 nm2 | 1.33 | LELELE[8] | 2016年末 |
| GlobalFoundries | 7LP | 40 nm[4] | 56 nm[4] | 2240 nm2 | 1.4 | LELELE,[9] SADP[4] | 2018年末[9] |
参考资料
[编辑]- ^ 1.0 1.1 1.2 Intel unveils 10nm. [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-05）.
- ^ Intel 14 nm Leadership (PDF). [2017-08-25]. （原始内容存档 (PDF)于2020-12-09）.
- ^ Intel Cannonlake may slip to 2018. [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-04-04）.
- ^ 4.0 4.1 4.2 4.3 存档副本. [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-03-30）.
- ^ TSMC 7nm to use triple patterning. [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-12-01）.
- ^ TSMC on 2017. [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-04）.
- ^ 7.0 7.1 Samsung 10nm. [2017-08-25]. （原始内容存档于2017-12-30）.
- ^ 引用错误：没有为名为
samsung10nm的参考文献提供内容 - ^ 9.0 9.1 GlobalFoundries Updates 7nm. [2017-08-25]. （原始内容存档于2019-08-08）.