22纳米制程

22纳米制程是半导体制造制程的一个等级。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。^[1]

相比先前的制程，自22纳米制程开始，沟道长度不再成为最为重要的因素。

台积电研发出了20nmFinFET制程后，将其更名为16nm制程；比较Apple A9芯片的表现，台积电16nm的省电性，确实明显优于三星的14nm。

22纳米的后继制程是14纳米。

参考文献

先前 32纳米制程	半导体器件制造制程	其后 14纳米制程

半导体器件制造

金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量互补式金属氧化物半导体半导体器件（多闸极晶体管）摩尔定律晶体管数量半导体半导体产业纳电子学
查论编