三氟化氮
| 三氟化氮 | |
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| IUPAC名 Nitrogen trifluoride | |
| 別名 | 氟化氮 三氟胺 三氟氨 |
| 識別 | |
| CAS號 | 7783-54-2 ? |
| PubChem | 24553 |
| UN編號 | 2451 |
| RTECS | QX1925000 |
| 性質 | |
| 化學式 | NF3 |
| 莫耳質量 | 71.0019 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 無色氣體 |
| 密度 | 3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C) 1.885 g/cm3 (沸點時，液態) |
| 熔點 | −207.15 °C（66 K） |
| 沸點 | −129.1 °C（144 K） |
| 溶解性（水） | 0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar) |
| 結構 | |
| 分子構型 | 三角錐 |
| 偶極矩 | 0.234 D |
| 危險性 | |
| MSDS | Air Liquide MSDS |
| 歐盟編號 | 未列出 |
| NFPA 704 |
 0
1
0
OX
|
| 閃點 | 不易燃 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
三氟化氮（NF3）是鹵化氮中最穩定的無機化合物，可在銅的催化下由氨氣與氟氣製成。[1] 它可以用作氟化氫雷射器的氧化劑，半導體、液晶和薄膜太陽能電池生產過程中的蝕刻劑。曾被試做火箭燃料。[2] 但由於三氟化氮屬於溫室氣體，能加劇溫室效應，因此有人認為應該限制這種化合物的使用。[3]
三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。
在半導體中，薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機台，會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料，但這些材料不僅會附著在晶片上，也附著在反應室內的牆壁上，內牆上的二氧化矽累積至相當數量，就會在反應室內形成微塵粒子（Particle），影響晶圓片的良率。
因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後，就要使用含氟的氣體清洗，以去除內壁上的矽化物質。不過NF3與CF4、C2F6等氣體都屬於多氟碳化物，是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響，在排放含氟廢氣前，會以高溫（攝氏700、800度才進行）將氣體由有機轉分解為無機，才不會破壞臭氧層。