光生伏打效應
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光生伏打效應（英語：Photovoltaic effect），簡稱為太陽能光電效應，是指受光線或其他電磁輻射照射的半導體或半導體與金屬組合的部位間產生電壓與電流的現象。光生伏打效應與光電效應密切相關，屬內光電效應。在光電效應中，材料吸收了光子的能量產生了一些自由電子溢出表面。而在光生伏打效應中，由於材料內部的不均勻（例如當材料內部形成PN接面時）在自建電場的作用下，受到激勵的電子和失去電子的電洞向相反方向移動，而形成了正負兩極[1]。
光生伏打效應最早於1839年由法國物理學家亞歷山大·愛德蒙·貝克勒發現[2][3]。
在實際應用中的光能通常來自太陽能，這樣的元件即是一般所指的太陽能電池。
參考資料
[編輯]- ^ The Photovoltaic Effect – Introduction （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）. Photovoltaics.sandia.gov (2001-02-01). Retrieved on 2010-12-12.
- ^ Edmond Becquerel - "Mémoire sur les effets électriques produits sous l'influence des rayons solaires", le 29 juillet 1939 Sur le site gallica.bnf.fr, consulté en mars 2016（法文）
- ^ Photovoltaic Effect （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）. Mrsolar.com. Retrieved on 2010-12-12.
